The Effect of the Ion Assistance Energy on the Electrical Resistivity of Carbon Films Prepared by Pulsed Plasma Deposition in a Nitrogen Atmosphere


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Thin carbon films prepared by pulsed plasma ion-assisted deposition of graphite in an atmosphere of a mixture of argon and nitrogen are studied. The results of characteristic electron energy loss spectroscopy and electron diffraction indicate the increase in the graphite component with increasing ion assistance energy. The use of ion assistance during the film deposition makes it possible to control their resistivity by changing it from 105 to 102 Ω cm.

Авторлар туралы

I. Zavidovskii

Moscow State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: ia.zavidovskii@physics.msu.ru
Ресей, Moscow

O. Streletskii

Moscow State University

Email: ia.zavidovskii@physics.msu.ru
Ресей, Moscow

O. Nishchak

Moscow State University

Email: ia.zavidovskii@physics.msu.ru
Ресей, Moscow

A. Khaidarov

Moscow State University

Email: ia.zavidovskii@physics.msu.ru
Ресей, Moscow

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019