🔧На сайте запланированы технические работы
25.12.2025 в промежутке с 18:00 до 21:00 по Московскому времени (GMT+3) на сайте будут проводиться плановые технические работы. Возможны перебои с доступом к сайту. Приносим извинения за временные неудобства. Благодарим за понимание!
🔧Site maintenance is scheduled.
Scheduled maintenance will be performed on the site from 6:00 PM to 9:00 PM Moscow time (GMT+3) on December 25, 2025. Site access may be interrupted. We apologize for the inconvenience. Thank you for your understanding!

 

Transport and Photosensitivity in Structures: A Composite Layer of Silicon and Gold Nanoparticles on p-Si


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The temperature dependences of the current–voltage characteristics and photosensitivity of composite layers of silicon and gold nanoparticles on single-crystal silicon with p-type conductivity are investigated. The current transfer mechanisms in the structures and their influence on the photosensitivity of structures with different amounts of gold in the composite layer are determined.

Авторлар туралы

M. Teplyakov

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: twarm@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 195251

O. Ken

Ioffe Institute

Email: twarm@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

D. Goryachev

Ioffe Institute

Email: twarm@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

O. Sreseli

Ioffe Institute

Email: twarm@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2018