Heteroepitaxy of GaP Nucleation Layers on Si by Molecular Beam Epitaxy

M. S. Sobolev; A. A. Lazarenko; A. M. Mizerov; E. V. Nikitina; E. V. Pirogov; S. N. Timoshnev; A. D. Bouravleuv

doi:10.1134/S1063782618160327

Heteroepitaxy of GaP Nucleation Layers on Si by Molecular Beam Epitaxy

Авторлар: Sobolev M.S.¹, Lazarenko A.A.¹, Mizerov A.M.¹, Nikitina E.V.¹, Pirogov E.V.¹, Timoshnev S.N.¹, Bouravleuv A.D.¹^,2
Мекемелер:
1. St. Petersburg Academic University
2. St. Petersburg Electrotechnical University
Шығарылым: Том 52, № 16 (2018)
Беттер: 2128-2131
Бөлім: 26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE TECHNOLOGY
URL: https://bakhtiniada.ru/1063-7826/article/view/205472
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618160327
ID: 205472

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The growth of single crystalline GaP nucleation and buffer layers on Si substrates by molecular-beam epitaxy is demonstrated. The use of two different regimes of migration-enhanced epitaxy was studied. It was found that p–n junctions can be created due to the interdiffusion during the growth of GaP layer on p-type Si substrate.