Electrochemical studies of copper-doping processes in layered crystals of the family [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]m[(Bi,Sb)2(Te,Se)3]n (m, n = 0, 1, 2…)


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The processes of copper intercalation into the van der Waals gaps of layered ternary alloys of the family [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]m[(Bi,Sb)2(Te,Se)3]n (m, n = 0, 1, 2…) to modify the electrical, mechanical, and other physical properties of samples are studied. A proportional decrease in the intercalated copper concentration ΔNCu with decreasing relative volume density of van der Waals gaps DVdW = s–1 and with increasing package plyness s and package thickness ξ1 under variations in the composition of ternary alloys is revealed.

Авторлар туралы

M. Kretova

Baikov Institute of Metallurgy and Material Science

Email: korzhuev@imet.ac.ru
Ресей, Moscow, 119334

M. Korzhuev

Baikov Institute of Metallurgy and Material Science

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: korzhuev@imet.ac.ru
Ресей, Moscow, 119334

E. Avilov

Baikov Institute of Metallurgy and Material Science

Email: korzhuev@imet.ac.ru
Ресей, Moscow, 119334

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017