Stimulated emission from a metamorphic GaAsSb bulk layer on a GaAs substrate

V. Ya. Aleshkin; A. A. Dubinov; K. E. Kudryavtsev; P. A. Yunin; M. N. Drozdov; O. V. Vikhrova; S. M. Nekorkin; B. N. Zvonkov

doi:10.1134/S106378261605002X

Stimulated emission from a metamorphic GaAsSb bulk layer on a GaAs substrate

Авторлар: Aleshkin V.Y.¹^,2, Dubinov A.A.¹^,2, Kudryavtsev K.E.¹^,2, Yunin P.A.¹^,2, Drozdov M.N.¹^,2, Vikhrova O.V.³, Nekorkin S.M.³, Zvonkov B.N.³
Мекемелер:
1. Institute for Physics of Microstructures
2. Lobachevsky Nizhny Novgorod State University
3. Physical–Technical Research Institute
Шығарылым: Том 50, № 5 (2016)
Беттер: 586-589
Бөлім: Spectroscopy, Interaction with Radiation
URL: https://bakhtiniada.ru/1063-7826/article/view/197057
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261605002X
ID: 197057

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The structural and optical properties of a metamorphic GaAsSb bulk layer grown on a GaAs substrate are studied. As the excitation power density (at a wavelength of 0.65 μm) reaches 9 kW cm⁻² at liquid-nitrogen temperature and 230 kW cm⁻² at room temperature, a superluminescence signal is observed at wave-lengths of 0.943 and 0.992 μm, respectively.