Поиск

Выпуск
Название
Авторы
Том 50, № 3 (2016)
Effect of the Ti-Nanolayer Thickness on the Self-Lift-off of Thick GaN Epitaxial Layers
Yugov A., Malahov S., Donskov A., Duhnovskii M., Knyazev S., Kozlova Y., Yugova T., Belogorokhov I.
PDF
(Eng)
Том 52, № 12 (2018)
Photodetectors with an InGaAs Active Region and InGaP Metamorphic Buffer Layer Grown on GaAs Substrates
Samartsev I., Nekorkin S., Zvonkov B., Aleshkin V., Dubinov A., Pashenkin I., Dikareva N., Chigineva A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Features of the diagnostics of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures by high-resolution X-ray diffraction in the ω-scanning mode
Vasil’evskii I., Pushkarev S., Grekhov M., Vinichenko A., Lavrukhin D., Kolentsova O.
PDF
(Eng)
Том 52, № 12 (2018)
On the Application of Strain-Compensating GaAsP Layers for the Growth of InGaAs/GaAs Quantum-Well Laser Heterostructures Emitting at Wavelengths above 1100 nm on Artificial Ge/Si Substrates
Baidus N., Yunin P., Shaleev M., Reunov D., Rykov A., Novikov A., Nekorkin S., Kudryavtsev K., Krasilnik Z., Dubinov A., Aleshkin V., Yurasov D.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Possibility of the use of intermediate carbidsiliconoxide nanolayers on polydiamond substrates for gallium nitride layers epitaxy
Averichkin P., Donskov A., Dukhnovsky M., Knyazev S., Kozlova Y., Yugova T., Belogorokhov I.
PDF
(Eng)
Том 52, № 11 (2018)
Verification of the Hypothesis on the Thermoelastic Nature of Deformation of a (0001)GaN Layer Grown on the Sapphire a-Cut
Drozdov Y., Khrikin O., Yunin P.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Heterostructures of metamorphic GaInAs photovoltaic converters fabricated by MOCVD on GaAs substrates
Mintairov S., Emelyanov V., Rybalchenko D., Salii R., Timoshina N., Shvarts M., Kalyuzhnyy N.
PDF
(Eng)
Том 52, № 11 (2018)
Investigation of the Anisotropy of the Structural Properties of GaN(0001) Layers Grown by MOVPE on a-Plane (11\(\bar {2}\)0) Sapphire
Yunin P., Drozdov Y., Khrykin O., Grigoryev V.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
Formation of Cadmium-Sulfide Nanowhiskers via Vacuum Evaporation and Condensation in a Quasi-Closed Volume
Belyaev A., Antipov V., Rubets V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 12 (2019)
Edge Doping in Graphene Devices on SiO2 Substrates
Vasilyeva G., Smirnov D., Vasilyev Y., Greshnov A., Haug R.
PDF
(Eng)
Том 52, № 10 (2018)
Influence of the Synthesis Conditions and Tin Nanoparticles on the Structure and Properties of a-C:H〈Sn〉 Composite Thin Films
Ryaguzov A., Nemkayeva R., Guseinov N.
PDF
(Eng)
Том 53, № 12 (2019)
High-Resistivity Gallium Antimonide Produced by Metal–Organic Vapor-Phase Epitaxy
Levin R., Vlasov A., Smirnov A., Pushnyi B.
PDF
(Eng)
Том 52, № 10 (2018)
Effect of Epitaxial-Structure Design and Growth Parameters on the Characteristics of Metamorphic Lasers of the 1.46-μm Optical Range Based on Quantum Dots Grown on GaAs Substrates
Maximov M., Nadtochiy A., Shernyakov Y., Payusov A., Vasil’ev A., Ustinov V., Serin A., Gordeev N., Zhukov A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
On Measurements of the Electrons and Holes Impact-Ionization Coefficients in 4H–SiC
Kyuregyan A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
Studies of the Cross Section and Photoluminescence of a GaAs Layer Grown on a Si/Al2O3 Substrate
Sushkov A., Pavlov D., Shengurov V., Denisov S., Chalkov V., Baidus N., Rykov A., Kryukov R.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Formation and reconstruction of Se nanoislands at the surface of thin epitaxial ZnSe layers grown on GaAs substrates
Kozlovskiy V., Krivobok V., Kuznetsov P., Nikolaev S., Onistchenko E., Pruchkina A., Temiryazev A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation
Tikhomirov V., Zemlyakov V., Volkov V., Parnes Y., Vyuginov V., Lundin W., Sakharov A., Zavarin E., Tsatsulnikov A., Cherkashin N., Mizerov M., Ustinov V.
PDF
(Eng)
Том 52, № 12 (2018)
Electrical Properties of Indium-Oxide Thin Films Produced by Plasma-Enhanced Reactive Thermal Evaporation
Ilin A., Matsukatova A., Forsh P., Vygranenko Y.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Stimulated emission from a metamorphic GaAsSb bulk layer on a GaAs substrate
Aleshkin V., Dubinov A., Kudryavtsev K., Yunin P., Drozdov M., Vikhrova O., Nekorkin S., Zvonkov B.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Influence of defects on the photoluminescence kinetics in GaN/AlN quantum-dot structures
Aleksandrov I., Zhuravlev K., Mansurov V.
PDF
(Eng)
1 - 20 из 20 результатов
Подсказки:
  • Ключевые слова чувствительны к регистру
  • Английские предлоги и союзы игнорируются
  • По умолчанию поиск проводится по всем ключевым словам (агенс AND экспериенцер)
  • Используйте OR для поиска того или иного термина, напр. образование OR обучение
  • Используйте скобки для создания сложных фраз, напр. архив ((журналов OR конференций) NOT диссертаций)
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки, напр. "научные исследования"
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или оператора NOT; напр. конкурс -красоты или же конкурс NOT красоты
  • Используйте * в качестве версификатора, напр. научн* охватит слова "научный", "научные" и т.д.

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».