🔧На сайте запланированы технические работы
25.12.2025 в промежутке с 18:00 до 21:00 по Московскому времени (GMT+3) на сайте будут проводиться плановые технические работы. Возможны перебои с доступом к сайту. Приносим извинения за временные неудобства. Благодарим за понимание!
🔧Site maintenance is scheduled.
Scheduled maintenance will be performed on the site from 6:00 PM to 9:00 PM Moscow time (GMT+3) on December 25, 2025. Site access may be interrupted. We apologize for the inconvenience. Thank you for your understanding!

 

Xxiii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 11–14, 2019

Выпуск Название Файл
Том 53, № 10 (2019) On the Intracenter Relaxation of Shallow Antimony Donors in Strained Germanium PDF
(Eng)
Tsyplenkov V., Shastin V.
Том 53, № 10 (2019) On the Two-Phonon Relaxation of Excited States of Boron Acceptors in Diamond PDF
(Eng)
Bekin N.
Том 53, № 10 (2019) Ohmic Contacts to CVD Diamond with Boron-Doped Delta Layers PDF
(Eng)
Arkhipova E., Demidov E., Drozdov M., Kraev S., Shashkin V., Lobaev M., Vikharev A., Gorbachev A., Radishchev D., Isaev V., Bogdanov S.
Том 53, № 10 (2019) Comparison of the Radiation Resistance of Prospective Bipolar and Heterobipolar Transistors PDF
(Eng)
Shobolova T., Korotkov A., Petryakova E., Lipatnikov A., Puzanov A., Obolensky S., Kozlov V.
Том 53, № 10 (2019) Emission Properties of Heavily Doped Epitaxial Indium-Nitride Layers PDF
(Eng)
Andreev B., Lobanov D., Krasil’nikova L., Bushuykin P., Yablonskiy A., Novikov A., Davydov V., Yunin P., Kalinnikov M., Skorohodov E., Krasil’nik Z.
Том 53, № 10 (2019) Residual-Photoconductivity Spectra in HgTe/CdHgTe Quantum-Well Heterostructures PDF
(Eng)
Spirin K., Gaponova D., Gavrilenko V., Mikhailov N., Dvoretsky S.
Том 53, № 10 (2019) Vertical Field-Effect Transistor with a Controlling GaAs-Based p–n Junction PDF
(Eng)
Vostokov N., Daniltsev V., Kraev S., Krukov V., Skorokhodov E., Strelchenko S., Shashkin V.
Том 53, № 10 (2019) 2D Bragg Resonators Based on Planar Dielectric Waveguides (from Theory to Model-Based Testing) PDF
(Eng)
Ginzburg N., Peskov N., Zaslavsky V., Kocharovskaya E., Malkin A., Sergeev A., Baryshev V., Proyavin M., Sobolev D.
Том 53, № 10 (2019) On the Asymmetric Generation of a Superradiant Laser with a Symmetric Low-Q Cavity PDF
(Eng)
Kocharovsky V., Kukushkin V., Tarasov S., Kocharovskaya E., Kocharovsky V.
Том 53, № 10 (2019) Features of the Simultaneous Generation of Low-Q and High-Q Modes in Heterolasers Based on Quantum Dots with a Long Incoherent Relaxation Time of Optical Dipole Oscillations PDF
(Eng)
Kocharovskaya E., Mishin A., Ryabinin I., Kocharovsky V.
Том 53, № 10 (2019) Nonclassical Light Sources Based on Selectively Positioned Deterministic Microlens Structures and (111) In(Ga)As Quantum Dots PDF
(Eng)
Derebezov I., Gaisler V., Gaisler A., Dmitriev D., Toropov A., von Helversen M., de la Haye C., Bounouar S., Reitzenstein S.
Том 53, № 10 (2019) Coherence Dynamics of the Exciton-Polariton System in GaAs Microcavities under Pulse Resonant Photoexcitation PDF
(Eng)
Kulakovskii V., Demenev A.
Том 53, № 10 (2019) Interaction of a Tamm Plasmon and Exciton in an Organic Material in the Strong Coupling Mode PDF
(Eng)
Morozov K., Belonovskii A., Ivanov K., Girshova E., Kaliteevski M.
Том 53, № 10 (2019) Comparative Analysis of the Luminescence of Ge:Sb Layers Grown on Ge(001) and Si(001) Substrates PDF
(Eng)
Novikov A., Yurasov D., Baidakova N., Bushuykin P., Andreev B., Yunin P., Drozdov M., Yablonskiy A., Kalinnikov M., Krasilnik Z.
Том 53, № 10 (2019) Locally Strained Ge/SOI Structures with an Improved Heat Sink as an Active Medium for Silicon Optoelectronics PDF
(Eng)
Yurasov D., Baidakova N., Verbus V., Gusev N., Mashin A., Morozova E., Nezhdanov A., Novikov A., Skorohodov E., Shengurov D., Yablonskiy A.
Том 53, № 10 (2019) Ordered Arrays of Ge(Si) Quantum Dots Incorporated into Two-Dimensional Photonic Crystals PDF
(Eng)
Smagina Z., Zinovyev V., Rodyakina E., Fomin B., Stepikhova M., Yablonskiy A., Gusev S., Novikov A., Dvurechenskii A.
Том 53, № 9 (2019) On the Suppression of Electron-Hole Exchange Interaction in a Reservoir of Nonradiative Excitons PDF
(Eng)
Eliseev S., Lovtcius V., Trifonov A., Ignatiev I., Kavokin K., Kavokin A., Shapochkin P., Efimov Y.
Том 53, № 9 (2019) Simulation of the Formation of a Cascade of Displacements and Transient Ionization Processes in Silicon Semiconductor Structures under Neutron Exposure PDF
(Eng)
Zabavichev I., Potehin A., Puzanov A., Obolenskiy S., Kozlov V.
Том 53, № 9 (2019) Hyperfine Interaction and Shockley–Read–Hall Recombination in Semiconductors PDF
(Eng)
Ivchenko E., Kalevich V., Kunold A., Balocchi A., Marie X., Amand T.
Том 53, № 9 (2019) Stimulated Terahertz Emission of Bismuth Donors in Uniaxially Strained Silicon under Optical Intracenter Excitation PDF
(Eng)
Zhukavin R., Pavlov S., Pohl A., Abrosimov N., Riemann H., Redlich B., Hübers H., Shastin V.
Том 53, № 9 (2019) Surface Сonductivity Dynamics in PbSnTe:In Films in the Vicinity of a Band Inversion PDF
(Eng)
Klimov A., Akimov A., Akhundov I., Golyashov V., Gorshkov D., Ishchenko D., Sidorov G., Suprun S., Tarasov A., Epov V., Tereshchenko O.
Том 53, № 9 (2019) Nonradiative Energy Transfer in Hybrid Nanostructures with Varied Dimensionality PDF
(Eng)
Khrebtov A., Reznik R., Ubyivovk E., Litvin A., Skurlov I., Parfenov P., Kulagina A., Danilov V., Cirlin G.
Том 53, № 9 (2019) On the Specific Features of the Plasma-Assisted MBE Synthesis of n+-GaN Layers on GaN/c-Al2O3 Templates PDF
(Eng)
Mizerov A., Timoshnev S., Nikitina E., Sobolev M., Shubin K., Berezovskaia T., Mokhov D., Lundin W., Nikolaev A., Bouravleuv A.
Том 53, № 9 (2019) Enhanced Photoluminescence of Heavily Doped n-Ge/Si(001) Layers PDF
(Eng)
Prokhorov D., Shengurov V., Denisov S., Filatov D., Zdoroveishev A., Chalkov V., Zaitsev A., Ved’ M., Dorokhin M., Baidakova N.
Том 53, № 9 (2019) Comparison of the Features of Electron Transport and Subterahertz Generation in Diodes Based on 6-, 18-, 70-, and 120-Period GaAs/AlAs Superlattices PDF
(Eng)
Obolenskaya E., Ivanov A., Pavelyev D., Kozlov V., Vasilev A.
1 - 25 из 43 результатов 1 2 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».