Amorphous, Vitreous, and Organic Semiconductors

Выпуск Название Файл
Том 53, № 12 (2019) Effect of the Samarium Impurity on the Local Structure of Se95Te5 Chalcogenide Glassy Semiconductor and Current Passage through Al–Se95Te5〈Sm〉–Te Structures PDF
(Eng)
Ataeva S., Mekhtieva S., Isaev A., Garibova S., Huseynova A.
Том 53, № 12 (2019) Charge Transfer in Gap Structures Based on the Chalcogenide System (As2Se3)100 –xBix PDF
(Eng)
Castro R., Khanin S., Smirnov A., Kononov A.
Том 53, № 12 (2019) Parameters of Lateral and Unsteady Cord Currents in a Cylindrical Chalcogenide Glassy Semiconductor PDF
(Eng)
Sovtus N., Mynbaev K.
Том 53, № 12 (2019) Synthesis and Characterization of Semiconductor Polymer Doped with FeCl3 and I2 PDF
(Eng)
Bouabdallah Daho ., Fontanesi C., Messori M., Dehbi A., Belfedal A.
Том 53, № 11 (2019) Formation of ncl-Si in the Amorphous Matrix a-SiOx:H Located near the Anode and on the Cathode, Using a Time-Modulated DC Plasma with the (SiH4–Ar–O2) Gas Phase (\({{{\text{C}}}_{{{{{\text{O}}}_{2}}}}}\) = 21.5 mol %) PDF
(Eng)
Undalov Y., Terukov E., Trapeznikova I.
Том 53, № 11 (2019) Structure and Optical Properties of Chalcogenide Glassy Semiconductors of the As–Ge–Se System PDF
(Eng)
Isayev A., Mekhtiyeva S., Mammadova H., Alekberov R.
Том 53, № 11 (2019) Structure of Se95As5 Chalcogenide Glassy Semiconductor Doped by EuF3 Impurity PDF
(Eng)
Garibova S., Isayev A., Mekhtiyeva S., Atayeva S.
Том 53, № 11 (2019) Spectra of SmS Films in the Far- and Mid-Infrared Regions PDF
(Eng)
Ulashkevich Y., Kaminski V., Soloviev S., Sharenkova N.
Том 53, № 7 (2019) Dependence of the Conductivity of Porous Silicon Layers on the Carrier-Transport Direction PDF
(Eng)
Guseva E., Forsh E.
Том 53, № 5 (2019) Antisite Defects in Ge–Te and Ge–As–Te Semiconductor Glasses PDF
(Eng)
Marchenko A., Seregin P., Terukov E., Shakhovich K.
Том 53, № 1 (2019) The Effect of Crystallization Conditions on the Spectral Characteristics of Tetraphenylporphyrin Thin Films PDF
(Eng)
Elistratova M., Zakharova I., Li G., Dubrovin R., Sreseli O.
Том 52, № 13 (2018) Specific Features of the Electron Structure of ZnTPP Aggregated Forms: Data of Optical Measurements and Quantum-Chemical Calculations PDF
(Eng)
Zakharova I., Elistratova M., Romanov N., Kvyatkovskii O.
Том 52, № 12 (2018) Estimation of the Temperature of the Current Filament that Forms upon Switching in GeSbTe PDF
(Eng)
Fefelov S., Kazakova L., Bogoslovskiy N., Tsendin K.
Том 52, № 10 (2018) Effect of the Temporal Characteristics of Modulated DC Plasma with the (SiH4–Ar–O2) Gas Phase on ncl-Si Growth in an a-SiOx:H matrix (\({{C}_{{{{{\text{O}}}_{{\text{2}}}}}}}\) = 15.5 mol %) PDF
(Eng)
Undalov Y., Terukov E., Trapeznikova I.
Том 52, № 9 (2018) Low-Frequency Dielectric Relaxation in Iron-Doped Ge28.5Pb15S56.5 Glassy System PDF
(Eng)
Castro R., Grabko G., Kononov A.
Том 52, № 8 (2018) Dielectric Relaxation in Thin Layers of the Ge28.5Pb15S56.5 Glassy System PDF
(Eng)
Castro R., Anisimova N., Kononov A.
Том 52, № 1 (2018) On the Electret Effect in Polymer–Ferroelectric Piezoceramic Composites with Various Values of the Electronegativity of the Polymer Matrix and Piezophase Cations PDF
(Eng)
Kurbanov M., Ramazanova I., Dadashev Z., Yusifova U., Huseynova G., Azizova K., Farajzadeh I.
Том 51, № 6 (2017) Influence of the samarium impurity on the structure and surface morphology of Se95Te5 chalcogenide glassy semiconductor PDF
(Eng)
Mekhtiyeva S., Atayeva S., Isayev A., Zeynalov V.
Том 51, № 5 (2017) Energy transfer from TPD to CdSe/CdS/ZnS colloidal nanocrystals PDF
(Eng)
Kurochkin N., Katsaba A., Ambrozevich S., Vitukhnovsky A., Vashchenko A., Tananaev P.
Том 51, № 4 (2017) Electron exchange between neutral and ionized impurity iron centers in vitreous arsenic selenide PDF
(Eng)
Marchenko A., Terukov E., Egorova A., Kiselev V., Seregin P.
Том 50, № 9 (2016) Photoluminescence spectra of thin films of ZnTPP–C60 and CuTPP–C60 molecular complexes PDF
(Eng)
Elistratova M., Zakharova I., Romanov N., Panevin V., Kvyatkovskii O.
Том 50, № 7 (2016) Voltage oscillations in the case of the switching effect in thin layers of Ge–Sb–Te chalcogenides in the current mode PDF
(Eng)
Fefelov S., Kazakova L., Arsova D., Kozyukhin S., Tsendin K., Prikhodko O.
Том 50, № 6 (2016) Growth of silicon nanoclusters in thermal silicon dioxide under annealing in an atmosphere of nitrogen PDF
(Eng)
Ivanova E., Sitnikova A., Aleksandrov O., Zamoryanskaya M.
Том 50, № 5 (2016) Piezoresistive and posistor effects in polymer-semiconductor and polymer-ferropiezoceramic composites PDF
(Eng)
Mamedov H., Parali L., Kurbanov M., Bayramov A., Tatardar F., Sabikoglu I.
Том 50, № 5 (2016) Lifetime of excitons localized in Si nanocrystals in amorphous silicon PDF
(Eng)
Gusev O., Belolipetskiy A., Yassievich I., Kukin A., Terukova E., Terukov E.
1 - 25 из 28 результатов 1 2 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».