Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena

Выпуск Название Файл
Том 50, № 8 (2016) Prompt quality monitoring of InSe and GaSe semiconductor crystals by the nuclear quadrupole resonance technique PDF
(Eng)
Samila A., Lastivka G., Khandozhko V., Kovalyuk Z.
Том 50, № 8 (2016) Photoluminescence kinetics slowdown in an ensemble of GaN/AlN quantum dots upon tunneling interaction with defects PDF
(Eng)
Aleksandrov I., Mansurov V., Zhuravlev K.
Том 50, № 8 (2016) Elastic strains and delocalized optical phonons in AlN/GaN superlattices PDF
(Eng)
Pankin D., Smirnov M., Davydov V., Smirnov A., Zavarin E., Lundin W.
Том 50, № 8 (2016) Nonequilibrium chemical potential in a two-dimensional electron gas in the quantum-Hall-effect regime PDF
(Eng)
Pokhabov D., Pogosov A., Budantsev M., Zhdanov E., Bakarov A.
Том 50, № 7 (2016) Study of deep levels in GaAs p–i–n structures PDF
(Eng)
Sobolev M., Soldatenkov F., Kozlov V.
Том 50, № 7 (2016) Photovoltage and photocurrent in Pd–oxide–InP structures in a hydrogen medium PDF
(Eng)
Imenkov A., Grebenshchikova E., Shutaev V., Ospennikov A., Sherstnev V., Yakovlev Y.
Том 50, № 7 (2016) Optical properties of p–i–n structures based on amorphous hydrogenated silicon with silicon nanocrystals formed via nanosecond laser annealing PDF
(Eng)
Krivyakin G., Volodin V., Kochubei S., Kamaev G., Purkrt A., Remes Z., Fajgar R., Stuchliková T., Stuchlik J.
Том 50, № 7 (2016) Specific features of the cathodoluminescence spectra of AlInGaN QWs, caused by the influence of phase separation and internal electric fields PDF
(Eng)
Kuznetsova Y., Jmerik V., Nechaev D., Kuznetsov A., Zamoryanskaya M.
Том 50, № 7 (2016) Effect of multicomponent InAsSbP matrix surface on formation of InSb quantum dots at MOVPE growth PDF
(Eng)
Romanov V., Dement’ev P., Moiseev K.
Том 50, № 7 (2016) Terahertz emission from CdHgTe/HgTe quantum wells with an inverted band structure PDF
(Eng)
Vasilyev Y., Mikhailov N., Vasilyeva G., Ivánov Y., Zakhar’in A., Andrianov A., Vorobiev L., Firsov D., Grigoriev M., Antonov A., Ikonnikov A., Gavrilenko V.
Том 50, № 7 (2016) Semi-insulating 4H-SiC layers formed by the implantation of high-energy (53 MeV) argon ions into n-type epitaxial films PDF
(Eng)
Ivanov P., Kudoyarov M., Kozlovski M., Potapov A., Samsonova T.
Том 50, № 6 (2016) On the ohmicity of Schottky contacts PDF
(Eng)
Sachenko A., Belyaev A., Konakova R.
Том 50, № 6 (2016) Absorption of electromagnetic radiation in a quantum wire with an anisotropic parabolic potential in a transverse magnetic field PDF
(Eng)
Karpunin V., Margulis V.
Том 50, № 6 (2016) Oxidation model of polycrystalline lead-chalcogenide layers in an iodine-containing medium PDF
(Eng)
Maraeva E., Moshnikov V., Petrov A., Tairov Y.
Том 50, № 6 (2016) Features of high-temperature electroluminescence in an LED n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb heterostructure with high potential barriers PDF
(Eng)
Danilov L., Petukhov A., Mikhailova M., Zegrya G., Ivanov E., Yakovlev Y.
Том 50, № 6 (2016) Generation of transverse direct current in a superlattice under a bichromatic high-frequency electric and constant magnetic fields PDF
(Eng)
Zav’yalov D., Konchenkov V., Kryuchkov S.
Том 50, № 5 (2016) Study of the phase composition of nanostructures produced by the local anodic oxidation of titanium films PDF
(Eng)
Avilov V., Ageev O., Konoplev B., Smirnov V., Solodovnik M., Tsukanova O.
Том 50, № 5 (2016) Effect of cadmium-selenide quantum dots on the conductivity and photoconductivity of nanocrystalline indium oxide PDF
(Eng)
Il’in A., Fantina N., Martyshov M., Forsh P., Chizhov A., Rumyantseva M., Gaskov A., Kashkarov P.
Том 50, № 5 (2016) Optical properties of metamorphic GaAs/InAlGaAs/InGaAs heterostructures with InAs/InGaAs quantum wells, emitting light in the 1250–1400-nm spectral range PDF
(Eng)
Egorov A., Karachinsky L., Novikov I., Babichev A., Nevedomskiy V., Bugrov V.
Том 50, № 5 (2016) A new simulation model for inhomogeneous Au/n-GaN structure PDF
(Eng)
Kavasoglu N., Kavasoglu A., Metin B.
Том 50, № 4 (2016) Impact ionization in nonuniformly heated silicon p+–n–n+ and n+–p–p+ structures PDF
(Eng)
Musaev A.
Том 50, № 4 (2016) Sulfur passivation of semi-insulating GaAs: Transition from Coulomb blockade to weak localization regime PDF
(Eng)
Bagraev N., Chaikina E., Danilovskii E., Gets D., Klyachkin L., L’vova T., Malyarenko A.
Том 50, № 4 (2016) Electric field effect on lowest excited-state binding energy of hydrogenic impurity in (In,Ga)N parabolic wire PDF
(Eng)
El Ghazi H., Jorio A.
Том 50, № 3 (2016) Investigation of Ion-Implanted Photosensitive Silicon Structures by Electrochemical Capacitance–Voltage Profiling PDF
(Eng)
Yakovlev G., Frolov D., Zubkova A., Levina E., Zubkov V., Solomonov A., Sterlyadkin O., Sorokin S.
Том 50, № 3 (2016) Study of the Electron Distribution in GaN and GaAs after γ-Neutron Irradiation PDF
(Eng)
Tarasova E., Khananova A., Obolensky S., Zemlyakov V., Sveshnikov Y., Egorkin V., Ivanov V., Medvedev G., Smotrin D.
126 - 150 из 162 результатов << < 1 2 3 4 5 6 7 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».