Criterion for strong localization on a semiconductor surface in the Thomas–Fermi approximation


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The localization behavior of a two-dimensional electron gas confined at the surface of a heavily doped semiconductor under conditions of the “natural” size effect in the space-charge region is investigated. The scattering of low-energy electrons by the chaotic potential formed at the surface by point charges of ionized impurities is analyzed and the electron mean free path is determined. A criterion for strong localization in this two-dimensional electron system is obtained on the basis of the Ioffe–Regel criterion.

Авторлар туралы

V. Bondarenko

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: enter@spbstu.ru
Ресей, St. Petersburg, 195251

A. Filimonov

Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University

Email: enter@spbstu.ru
Ресей, St. Petersburg, 195251

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017