Spatial redistribution of radiation in flip-chip photodiodes based on InAsSbP/InAs double heterostructures

A. L. Zakgeim; N. D. Il’inskaya; S. A. Karandashev; A. A. Lavrov; B. A. Matveev; M. A. Remennyy; N. M. Stus’; A. A. Usikova; A. E. Cherniakov

doi:10.1134/S1063782617020269

Spatial redistribution of radiation in flip-chip photodiodes based on InAsSbP/InAs double heterostructures

Авторы: Zakgeim A.L.¹, Il’inskaya N.D.², Karandashev S.A.², Lavrov A.A.²^,3, Matveev B.A.², Remennyy M.A.², Stus’ N.M.², Usikova A.A.², Cherniakov A.E.¹
Учреждения:
1. Scientific and Technological Center for Microelectronics
2. Ioffe Institute
3. Open Company “IoffeLED”
Выпуск: Том 51, № 2 (2017)
Страницы: 260-266
Раздел: Physics of Semiconductor Devices
URL: https://bakhtiniada.ru/1063-7826/article/view/199514
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617020269
ID: 199514

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The spatial distribution of equilibrium and nonequilibrium (including luminescent) IR (infrared) radiation in flip-chip photodiodes based on InAsSbP/InAs double heterostructures (λ_max = 3.4 μm) is measured and analyzed; the structural features of the photodiodes, including the reflective properties of the ohmic contacts, are taken into account. Optical area enhancement due to multiple internal reflection in photodiodes with different geometric characteristics is estimated.