Dependence of mobility on the electron concentration upon scattering at polar optical phonons in AIII–N nitrides


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The dependence of the effective relaxation time on the electron concentration in AIII–N nitrides in the case of electron scattering at polar longitudinal optical phonons is calculated by the marching method. The method takes into account the inelasticity of electron scattering at polar optical phonons for nitrides in the zinc-blende approximation. The calculations show a substantial increase in mobility in samples with a degenerate electron gas, if screening of the long-range potential of polar longitudinal optical phonons is taken into account.

Об авторах

S. Borisenko

National Research Tomsk Polytechnic University

Автор, ответственный за переписку.
Email: sib@tpu.ru
Россия, Tomsk, 634050

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).