Initiation of Periodic Relief Development on the Silicon Surface under Ion Irradiation

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

The report presents the results of studying the process of a periodic relief nucleation on the silicon surface irradiated with a 30 keV focused beam of gallium ions at ion beam incidence angles θ = 30°, 40° and 50°. It is shown that that the factors initiating the origin of periodic relief are: gallium precipitates in the near-surface silicon layer (θ = 30°), topographic heterogeneity in the form of a hole at the boundary of the bottom and the frontal wall of the sputtering crater (θ = 40° and 50°).

Sobre autores

M. Smirnova

P.G. Demidov Yaroslavl State University

Email: masha_19957@mail.ru
Yaroslavl, 150003

V. Bachurin

P.G. Demidov Yaroslavl State University

Email: vibachurin@mail.ru
Yaroslavl, 150003

L. Mazaletsky

P.G. Demidov Yaroslavl State University

Email: vibachurin@mail.ru
Yaroslavl, 150003

D. Pukhov

P.G. Demidov Yaroslavl State University

Email: vibachurin@mail.ru
Yaroslavl, 150003

A. Churilov

P.G. Demidov Yaroslavl State University

Email: vibachurin@mail.ru
Yaroslavl, 150003

Bibliografia

  1. Muñoz-García J., Vázquez L., Castro M., Cago R., Redondo-Cubero A., Moreno-Barrado A., Cuerno R. // Mater. Sci. & Eng. R. 2014. V. 86. P. 1. https://doi.org/10.1016/j.mser.2014.09.00
  2. Vázquez L., Redondo-Cubero A., Lorenz K., Palomares F. J., Cuerno R. // J. Phys.: Condens. Matter. 2022. V. 34. P. 333002. https://doi.org/10.1088/1361-648X/ac75a1
  3. Bradley R.M., Harper M.E. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. V. 6. P. 2390. https://doi.org/10.1116/1.575561
  4. Carter G., Vishnyakov V. // Surf. Interface Anal. 1995. V. 23. P. 514. https://doi.org/10.1002/sia.740230711
  5. Elst K., Vandervorst W. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. V. 12. P. 3205. https://doi.org/ 10.1116/1.579239
  6. Smirnov V.K., Kibalov D.S., Krivelevich S.A., Lepshin P.A., Potapov E.V., Yankov R.A., Skorupa W., Makarov V.V., Danilin A.B. // Nucl. Instrum. Methods B. 1999. V. 147. P. 310. https://doi.org/10.1016/S0168-583X(98)00610-7
  7. Sigmund P. // J. Mater. Sci. 1973. V. 8. P.1545. https://doi.org/10.1007/BF00754888
  8. Wittmaack K. // Surf. Interface Anal. 2000. V. 29. P. 721. https://doi.org/10.1002/1096-9918(200010)29:10<721::AID-SIA916>3.0.CO;2-Q
  9. Bachurin V.I., Lepshin P.A., Smirnov V.K. // Vacuum. 2000. V. 56. P. 241. https://doi.org/10.1016/S0042-207X(99)00194-3
  10. Frey L., Lehrer C., Ryssel H. // Appl. Phys. A. 2003. V. 76. P. 1017. https://doi.org/10.1007/s00339-002-1943-1
  11. Bachurin V.I., Zhuravlev I.V., Pukhov D.E., Rudy A.S., Simakin S.G., Smirnova M.A., Churilov A.B. // J. Surf. Invest. 2020. V. 14. P. 784. https://doi.org/10.1134/S1027451020040229
  12. Бачурин В.И., Смирнова М.А., Лобзов К.Н., Лебедев М.Е., Мазалецкий Л.А., Пухов Д.Э., Чурилов А.Б.// Поверхность. Рентген. синхротр. и нейтрон. исслед. 2024. No 7. С. 69. (Bachurin V.I., M.A. Smirnova M.A., Lobzov K.N., Lebedev M.E., Mazaletsky L.A., Pukhov D.E., Churilov A.B. // J. Surf. Invest. 2024. V.18. P. 822. https://doi.org/10.1134/S1027451024700514).
  13. Hofsäss H. // Appl. Phys. A. 2014. V. 114. P. 401. https://doi.org/10.1007/s00339-013-8170-9

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).