Влияние имплантации ионов О2+ на элементный и химический состав поверхности Si(111)

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

С использованием методов вторичной ионной масс-спектрометрии, спектроскопии упруго отраженных электронов и оже-электронной спектроскопии изучены элементный и химический составы поверхности, концентрационные профили распределения атомов по глубине кремния, имплантированного ионами О2+ с энергией Е0 = 1 кэВ при дозе 6 × 1016–2. Установлено, что в легированном ионами слое образуются оксиды и субоксиды Si (SiO2, Si2O и SiO0.5), а также содержатся несвязанные атомы О и Si. Постимплантационный отжиг при 850–900 К приводил к формированию слоя стехиометрического SiO2 толщиной ~25–30Å.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Г. Х. Аллаярова

Каршинский государственный университет

Автор, ответственный за переписку.
Email: allayarova5030@mail.ru
Узбекистан, Карши

Б. Е. Умирзаков

Ташкентский государственный технический университет

Email: allayarova5030@mail.ru
Узбекистан, Ташкент

А. К. Ташатов

Каршинский государственный университет

Email: allayarova5030@mail.ru
Узбекистан, Карши

Список литературы

  1. Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Карзанова М.В., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И., Шушунов А.Н., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Европейцев Е.А. // ФТТ. 2011. Т. 53. Вып. 12. С. 2294. http://journals.ioffe.ru/articles/1645
  2. Громов Д.Г., Пятилова О.В., Булярский С.В., Белов А.Н., Раскин А.А. // ФТТ. 2013. Т. 55. Вып. 3. С. 562. http://journals.ioffe.ru/articles/973
  3. Hoppe K., Fahrner W.R., Fink D., Dhamodoran S., Pe- trov A., Chandra A., Saad A., Faupel F., Chak-ravadhanula V.S.K., Zaporotchenko V. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2008. V. 266. № 8. P. 1642. https://doi.org/10.1016/j.nimb.2007.12.069
  4. Rochet F., Dufour G., Roulet H., Pelloie B., Perriere J., Fogarassy E., Slaoui A., Froment M. // Phys. Rev. B. 1988. V. 37. № 11. P. 6468. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.37.6468
  5. Takeoka S., Fujii M., Hayashi S. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. № 24. P. 16820. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.16820
  6. Krishnan R., Xie Q., Kulik J., Wang X.D., Lu S., Molinari M., Gao Y., Krauss T.D., Fauchet P.M. // J. Appl. Phys. 2004.V. 96. № 1. P. 654. https://doi.org/10.1063/1.1751632
  7. Ундалов Ю.К., Теруков Е.И. // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 7. С. 887. http://journals.ioffe.ru/articles/41958
  8. Зинченко В.Ф., Лаврентьев К.В., Емелянов В.В., Емельянов В.В., Ватуев А.С. // ЖТФ. 2016. Т. 86. Вып. 2. С. 30.
  9. Гусев О.Б. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 2. С. 147.
  10. Allayarova G.X. // J. Surf. Invest. X-Ray, Synchrotron Neutron Tech. 2022. V. 16. № 6. P. 1171. https://doi.org/10.1134/S1027451022060039
  11. Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A., Gulyamova S.T., Allayarova G.X. // Tech. Phys. 2020. V. 65. № 5. P. 795. https://doi.org/10.1134/S1063784220050242
  12. Tashmukhamedova D.A., Yusupjanova M.B., Allayarova G.X., Umirzakov B.E. // Tech. Phys. 2020. V. 46. № 10. P. 972. https://link.springer.com/article/10.1134/S106378 5020100144
  13. Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A., Ruzibae- va M.K., DjurabekovaF.G., Danaev S.B. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 2014. V. 326. P. 322.
  14. Umirzakov B.E., Tashmuxamedova D.A., Boltaev K.K., Dzhurakhalov A.A. // Mater. Sci. Engin. 2003. V. 101. P. 124. https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0168583X14001670
  15. Tashmukhamedova D.A., Yusupjanova M., Allayaro- va G.Kh., Umirzakov B.E. // Tech. Phys. Lett. 2020. V. 46. № 10. P. 972. https://doi.org/10.1134/S1063785020100144
  16. Соболев Н.А., Калядин А.Е., Штельмах К.Ф., Шек Е.И. // ФТП. 2021. Т. 55. Вып. 10. С. 928. https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51446.9694
  17. Stepanov A.L., Nuzhdin V.I., Valeev V.F., Vorobev V.V., Kavetskyy T.S., Osin Y.N. // Rev. Adv. Mater. Sci. 2015. V. 40. P. 155.
  18. Christian R., Frank F., Ralph M. // J. Appl. Phys. 2015. V. 118. P. 205701. https://doi.org/10.1063/1.4936223
  19. Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А. // Журн. технической физики. 2013. Т. 83. Вып. 6. C. 66. https://doi.org/10.52304/.v22i3.153

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Конструкция ионной пушки для создания пучка ионов газов: 1 – нить накала; 2 – анод; 3 – система диафрагм; 4–6 – фокусирующие и ускоряющие электроды

Скачать (107KB)
3. Рис. 2. Масс-спектр Si, имплантированного ионами О2+ с Е0 = 1 кэВ при D = 6 × 1016 см–2, измеренный при бомбардировке ионами Сs+ с Е0 = 6.7 кэВ

Скачать (115KB)
4. Рис. 3. Спектры упруго отраженных электронов L23VV Si: 1 – чистого; 2 – после имплантации ионов О2+ с Е0 = 1 кэВ и D = 6 × 1016 см–2, 3 – после отжига при 900 К в течение 30 мин

Скачать (75KB)
5. Рис. 4. Зависимости концентрации атомов кислорода СО(d) для Si, имплантированного ионами О2+ с Е0 = 1 кэВ: 1 – общая концентрация; 2 – в оксиде SiО2; 3 – в соединении SiОх(SiО + SiО0.5)

Скачать (49KB)

© Российская академия наук, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».