Proximity effect in ferromagnetic structures InGaAs/GaAs/CoPt

S. V. Zaitsev; Зайцев С. В.

doi:10.31857/S0367676522700399

Proximity effect in ferromagnetic structures InGaAs/GaAs/CoPt

作者: Zaitsev S.V.¹
隶属关系:
1. Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences
期: 卷 87, 编号 2 (2023)
页面: 213-217
栏目: Articles
URL: https://bakhtiniada.ru/0367-6765/article/view/135275
DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676522700399
EDN: https://elibrary.ru/AESWOU
ID: 135275

如何引用文章

全文:

详细
作者简介
参考
补充文件
统计

详细

Ferromagnetic influence of a thin (~8 nm) surface CoPt layer on the circular polarization of the InGaAs/GaAs quantum well photoluminescence is observed in structure GaAs/InGaAs/GaAs/Al₂O₃(1 нм)/CoPt with narrow GaAs spacer d_S = 5 nm, while electroluminescence is polarized in the whole range of d_S = 5–100 nm. It is suggested that the short-range proximity effect is determined by overlap of electrons wave functions with the nearby ferromagnetic CoPt film.

作者简介

S. Zaitsev

Institute of Solid State Physics of the Russian Academy of Sciences

编辑信件的主要联系方式.
Email: szaitsev@issp.ac.ru
Russia, 142432, Chernogolovka

参考

Dietl T., Ohno H. // Rev. Mod. Phys. 2014. V. 86. P. 187.
Nazmul A.M., Amemiya T., Shuto Y. et al. // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 95. Art. No. 017201.
Захарченя Б.П., Коренев В.Л. // УФН. 2005. Т. 175. С. 629; Zakharchenya B.P., Korenev V.L. // Phys. Usp. 2005. V. 48. P. 603.
Myers R.C., Gossard A.C., Awschalom D.D. // Phys. Rev. B. 2004. V. 69. Art. No. 161305(R).
Зайцев С.В., Дорохин М.В., Бричкин А.С. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т. 90. С. 730; Zaitsev S.V., Dorokhin M.V., Brichkin A.S. et al. // JETP Lett. 2010. V. 90. P. 658.
Korenev V.L., Salewski M., Akimov I.A. et al. // Nature Phys. 2016. V. 12. No. 1. P. 85.
Akimov I.A., Salewski M., Kalitukha I.V. et al. // Phys. Rev. B. 2017. V. 96. Art. No. 184412.
Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б. и др. // ФТП. 2015. Т. 49. № 12. С. 1649; Zdoroveyshchev A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B. et al. // Semiconductors. 2015. V. 49. No. 12. P. 1601.
Дорохин М.В., Ведь М.В., Демина П.Б. и др. // ФТТ. 2017. Т. 59. № 11. С. 2135; Dorokhin M.V., Ved’ M.V., Demina P.B. et al. // Phys. Sol. State. 2017. V. 59. No. 11. P. 2155.
Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В. и др. // ЖТФ. 2022. Т. 92. № 5. С. 724; Dorokhin M.V., Demina P.B., Zdoroveyshchev A.V. et al. // Tech. Phys. 2022. V. 92. No. 5. P. 613.
Kalitukha I.V., Ken O.S., Korenev V.L. et al. // Nano Lett. 2021. V. 21. No. 6. P. 2370.
Зайцев С.В. // ФНТ. 2012. Т. 38. № 5. С. 513; Zaitsev S.V. // Low Temp. Phys. 2012. V. 38. No. 5. P. 399.