Отправить статью по E-mail 
Детекторы и излучатели фотонов для систем квантовой связи и квантовых стандартов частоты
- Авторы: Преображенский В.В.1, Чистохин И.Б.1, Рябцев И.И.1, Гайслер В.А.1, Торопов А.И.1
-
Учреждения:
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук»
- Выпуск: Том 88, № 9 (2024)
- Страницы: 1466–1472
- Раздел: Квантовая оптика и квантовые технологии
- URL: https://bakhtiniada.ru/0367-6765/article/view/283430
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524090193
- EDN: https://elibrary.ru/OCSNMK
- ID: 283430
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Аннотация
Представлен краткий обзор результатов, полученных в Институте физики полупроводников СО РАН, в области разработки детекторов и излучателей фотонов, перспективных для использования в системах квантовой криптографии и миниатюрных квантовых стандартах частоты на основе эффекта когерентного пленения населенностей.
Полный текст
Об авторах
В. В. Преображенский
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук»
Автор, ответственный за переписку.
Email: pvv@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск
И. Б. Чистохин
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук»
Email: pvv@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск
И. И. Рябцев
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук»
Email: pvv@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск
В. А. Гайслер
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук»
Email: pvv@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск
А. И. Торопов
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук»
Email: pvv@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск
Список литературы
- Wooters W.K., Zurek W.H. // Nature. 1982. V. 299. P. 802.
- Рябцев И.И., Третьяков Д.Б., Коляко А.В. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2017. Т. 81. № 12. С. 1689; Ryabtsev I.I., Tretyakov D.B., Kolyako A.V. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2017. V. 81. No. 12. P. 1493.
- Быковский А.Ю. // Изв. РАН. Сер. физ. 2020. Т. 84. № 3. С. 377; Bykovsky A.Y. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2020. V.84. No. 3. P. 289.
- Gisin N., Ribordy G., Tittel W., Zbinden H. // Rev. Mod. Phys. 2002. V. 74. No. 1. P. 145.
- Gol’tsman G.N., Okunev O.V., Chulkova G.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 705.
- Bouwmeester D., Ekert A.K., Zeilinger A. The physics of quantum information. Berlin: Springer, 2000. 314 p.
- Walls D.F., Milburn G.J. Quantum Optics. Berlin: Springer-Verlag, 2008. 437 p.
- Michler P. Single semiconductor quantum dots. Berlin: Springer-Verlag, 2009. 389 p.
- Michler P. Single quantum dots, fundamentals, applications and new concepts. Berlin: Springer-Verlag, 2003. 347 p.
- Wang Z.M. Self-assembled quantum dots. N.Y.: Springer Science+Business Media, 2008. 463 p.
- Michalzik R. VCSELs: fundamentals, technology and applications of vertical-cavity surface-emitting lasers. Berlin: Springer-Verlag, 2013. 558 p.
- Wilsmen C.W., Temkin H., Coldren L. Vertical-cavity surface-emitting lasers: design, fabrication, characterization and application. Cambridge University Press, 1999. 455 p.
- Cheng J., Dutta N.K. Vertical-cavity surface-emitting lasers: technology and applications. Amsterdam: Gordon and Breach Science Publishers, 2000. 323 p.
- Li H.E., Iga K. Vertical-cavity surface-emitting lasers devices. Berlin: Springer Verlag, 2002. 386 p.
- Kitching J. // Appl. Phys. Rev. 2018. V. 5. Art. No. 031302.
- Vanier J. // Appl. Phys. B. 2005. V. 81. No. 4. P. 421.
- Knappe S., Schwindt P.D.D., Shah V. et al. // Opt. Express. 2005. V. 13. No. 4. P. 1249.
- Gruet F., Al-Samaneh A., Kroemer E. et al. // Opt. Express. 2013. V. 21. No. 5. P. 5781.
- Tan B., Tian Y., Lin H. et al. // Optics Lett. 2015. V. 40. No. 16. P. 3703.
- Kroemer E., Rutkowski J., Maurice V. et al. // Appl. Optics. 2016. V. 55. No. 31. P. 8839.
- Скворцов М.Н., Игнатович С.М., Вишняков В.И. и др. // Квант. электрон. 2020. Т. 50. № 6. С. 576; Skvortsov M.N., Ignatovich S.M., Vishnyakov V.I. et al. // Quantum. Electron. 2020. V. 50. No. 6. P. 576.
- Петрушков М.О., Путято М.А., Емельянов Е.А. и др. Способ легирования цинком подложек или слоев фосфида индия. Патент РФ № 2686523, кл. H01L 21/223 (2006.01). 2019.
- Чистохин И.Б., Путято М.А., Преображенский В.В. и др. Лавинный фотодиод и способ его изготовления. Патент № RU2769749, кл. H01L 31/107 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), B82Y20/00 (2011.01), B82Y40/00 (2011.01) 2022.
- http://www.micro-photon-devices.com
- Гайслер В.А., Деребезов И.А., Гайслер А.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2017. Т. 105. № 2. С. 93; Gaisler A.V., Derebezov I. A., Gaisler V. A. et al. // JETP Lett. 2017. V. 105. No. 2. P. 103.
Дополнительные файлы
