Properties of percolation channels in planar memristive structures base on epitaxial films of oxide perovskite compounds YBa 2 Cu 3 O 7 – δ  and La 1 –  x  Sr  x  MnO 3 – δ

A. N. Rossolenko; Россоленко А. Н.; N. A. Tulina; Тулина Н. А.; I. M. Shmytko; Шмытько И. М.; А. А. Ivanov; Иванов А. А.; A. V. Zotov; Зотов А. В.; I. Y. Borisenko; Борисенко И. Ю.; V. V. Sirotkin; Сироткин В. В.; V. A. Tulin; Тулин В. А.

doi:10.31857/S036767652270096X

Свойства перколяционных каналов в планарных мемристивных структурах на основе эпитаксиальных пленок оксидных перовскитных соединений YBa₂Cu₃O_{7 – δ} и La_{1 –} _хSr_хMnO_{3 –} _δ

Авторы: Россоленко А.Н.¹, Тулина Н.А.¹, Шмытько И.М.¹, Иванов А.А.², Зотов А.В.³, Борисенко И.Ю.³, Сироткин В.В.³, Тулин В.А.³
Учреждения:
1. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт физики твердого тела Российской академии наук”
2. Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования “Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
3. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии наук”
Выпуск: Том 87, № 4 (2023)
Страницы: 541-545
Раздел: Статьи
URL: https://bakhtiniada.ru/0367-6765/article/view/135359
DOI: https://doi.org/10.31857/S036767652270096X
EDN: https://elibrary.ru/NOXZNR
ID: 135359

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Обоснован выбор базовых материалов и изучены их функциональные свойства для разработки структуры и выяснения механизма резистивных переключений. Синтезированы мезоскопические гетероструктуры на основе эпитаксиальных ориентированных ❬001❭ пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa₂Cu₃O_{7 – δ} и легированного манганита La_{1 –} _xSr_xMnO_{3 – δ}, изучены свойства каналов перколяции структур на основе этих соединений. Изучены эффекты “самоадаптирующегося электроформирования” в микроконтактных гетероструктурах на основе эпитаксиальных пленок манганита. Численные расчеты по модели критического электрического поля показали, что “самоэлектроформирование” происходит в сильных электрических полях и в зоне контакта образуется щелевая структура. Данная структура обеспечивает воспроизводимость резистивных переключений.

Список литературы

Li Y., Wang Z., Midya R. et al. // J. Phys. D. 2018. V. 51. Art. No. 503002.
Wang C., Wu H., Gao B., Zhang et al. // Microelectron. Engin. 2018. V. 187–188. P. 121.
Perez-Tomas A. // Adv. Mater. Interfaces. 2019. V. 6. Art. No. 1970096.
Tulina N.A., Ivanov A.A. // J. Supercond. Nov. Magn. 2020. V. 33. P. 2279.
Тулина Н.А., Сироткин В.В., Борисенко И.Ю., Иванов А.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2013. Т. 77. № 3. С. 297; Tulina N.A., Sirotkin V.V., Borisenko I.Yu., Ivanov A.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2013. V. 77. No. 3. P. 265.
Tulina N.A., Rossolenko A.N., Shmytko I.M. et al. // J. Supercond. Sci. Technol. 2019. V. 32. P. 5003.
Тулина Н.А., Россоленко А.Н., Шмытько И.М. и др. // Наноиндустрия. 2019. Т. 89. С. 237.
Tulina N.A., Borisenko I.Yu., Shmytko I.M. et al. // J. Supercond. Nov. Magn. 2020. V. 33. P. 3695.
Pickett W. E., Singh D.J., Krakauer H., Cohen R.E. // Science. 1992. V. 255. No. 5040. P. 46.
Dagotto E., Hotta N., Moreo A. // Phys. Reports. 2001. V. 344. P. 1.
Байков Ю.М., Никулин Е.И., Мелех Б.Т., Егоров В.М. // ФТТ. 2004. Т. 46. № 11. С. 2018.
Chaika A.N., Ionov A.M., Tulina N.A. et al. // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 2005. V. 148. P. 101.
Yanson I.K. // Low Temp. Phys. 1983. V. 6. P. 676.
Sano Y. // J. Appl. Phys. 1985. V. 58. P. 2651.
Jorgensen J. // Phys. Rev. B. 1990. V. 41. P. 1863.
Dagotto E. // Rev. Mod. Phys. 1994. V. 66. P. 763.
Hudgins J. // J. Electron. Mater. 2003. V. 33. P. 471.