Кластерная самоорганизация интерметаллических систем: кластеры-прекурсоры K3, K4, K6 для самосборки кристаллических структур RbNa8Ga3As6-oP72, Sr2Ca4In3Ge6-oP56, Sr8Li4In4Ge8-oP24

Capa

Citar

Texto integral

Resumo

С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлен комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур RbNa8Ga3As6-oP72 (a = 22.843Å, b = 4.789 c = 16.861 Å, V = 1844.6 Å3, Pnma), Sr2Ca4In3Ge6-oP56 (a = 13.243 Å, b = 4.460 Å, c = 23.505 Å, V = 1388.47 Å3, Pnma), Sr8Li4In4Ge8-oP24 (a = 7.503, b = 4.619 Å, c = 17.473 Å, V = 605.6 Å3, Pnma). Для кристаллической структуры RbNa8Ga3As6-oP72 установлены 93 варианта кластерного представления 3D-атомной сетки с числом структурных единиц 3, 4 и 6. Рассмотрен вариант самосборки с участием трех типов кластеров-прекурсоров: из сдвоенных тетраэдров K6(4a) = 0@ 6 (Rb2Na2As2) и K6(4b) = 0@ 6 (Na4As2) с симметрией g = –1, тетраэдра K4(8d) = 0@4(Na3As), двух тройных колец K3–1 = 0@ 3(NaGaAs), и атомов-спейсеров Ga и As. Для кристаллической структуры Sr2Ca4In3Ge6-oP56 установлены 43 варианта кластерного представления 3D атомной сетки с числом структурных единиц 3, 4 и 6. Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием 3 типов кластеров-прекурсоров из сдвоенных тетраэдров K6(4a) = 0@ 6 (Sr2In2Ge2) и K6(4b) = 0@ 6 (Ca2In2Ge2) с симметрией g = –1, сдвоенных тетраэдров K6(4c) = 0@ 6 (SrCa2InGe2) и атомов-спейсеров Ge2 и Ge4. Для кристаллической структуры Sr8Li4In4Ge8-oP24 установлены 3 варианта кластерного представления 3D-атомной сетки с двумя структурными единицами. Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием двух типов кластеров-прекурсоров в виде сдвоенных тетраэдров K6 = (Sr2Li2Ge2) с симметрией g = –1 и тройных колец K3 = 0@3 (SrInGe).

Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D-структур из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → каркас.

Texto integral

ВВЕДЕНИЕ

Базы данных кристаллических структур неорганических соединений [1, 2] содержат кристаллохимическую информацию 70 303 соединений, не содержащих кислород (87 300 соединений) и фтор (4770 соединений) [3].

В четверных системах AnBnCnDn для больших групп, состоящих из 886, 828, 672, 665, 648, 485 соединений, установлены пространственные группы Pnma, P21/c, I4/mmm, P63/mmc, Fm-3m, F d-3m, C2/m. Пространственные группы Pnma и P21/c характеризуются минимальным набором элементов точечной симметрии: g = –1, m и g = –1, 2.

Кристаллические структуры RbNa8Ga3P6-oP72 и RbNa8Ga3As6-oP72 входят в кристаллохимическую группу четверных соединений AnBnCnDn с пространственной группой Pnma и 72 атомами в ромбической ячейке [4–11]. Последовательность Вайкоффа для 18 кристаллографически независимых атомов имеет вид c18. Параметры ромбической ячейки: a = 22.843, b = 4.789 Å, c = 16.861 Å, V = 1844.6 Å3. В частных с-позициях в плоскостях m (010) на высоте 0.25 и 0.75 находится по 36 атомов, связанных элементом симметрии g = –1. Значения координационных чисел для атома Rb — 17 атомов, атомов Na — 12 (2 атома), 15 (5 атомов), 17 (1 атом) и атомов Ga и As — по 9 атомов. Тип каркас-образующих кластеров-прекурсоров этой группы соединений, включающих топологически различные четверные соединений AnBnCnDn, неизвестен.

Кристаллическая структура Sr2Ca4In3Ge6-oP56 входит в кристаллохимическое семейство A2B3In3Ge6 (A = Sr, Eu, B = Ca, Yb) [12]. Параметры ромбической ячейки: a = 13.2438 Å, b = 4.4603 Å, c = 23.5050 Å, V = 1388.47 Å3. В элементарной ячейке находится 56 атомов. Последовательность Вайкоффа для 14 кристаллографически независимых атомов имеет вид c14. Значения координационных чисел для атомов Sr = 16 и 13 атомов; атомов Ca — 12 (2 атома), 15 (5 атомов), 17 (1 атом); атомов In — 12 (2 атома) и 10; атомов Ge — 9 (5 атомов) и 8 (1 атом). Тип каркас-образующих кластеров-прекурсоров интерметаллидов неизвестен.

Кристаллическая структура Sr8Li4In4Ge8-oP24 [13] имеет три кристаллохимических аналога [13–15]. Параметры ромбической ячейки: a = 7.503 Å, b = 4.619 Å, c = 17.473 Å, V = 17.473 Å3. В элементарной ячейке находится 24 атома. Последовательность Вайкоффа для 6 кристаллографически независимых атомов имеет вид c6. В частных с-позициях в плоскостях m (010) находится по 12 атомов. Значения координационных чисел для атома Li — 12, атомов Sr — 15, атома In — 12 и атомов Ge — 9. Тип каркас-образующих кластеров-прекурсоров для интерметаллидов неизвестен.

В настоящей работе проведен геометрический и топологический анализ кристаллических структур RbNa8Ga3As6-oP72, Sr2Ca4In3Ge6-oP56, Sr8Li4In4Ge8-oP24. Установлены кластеры-прекурсоры K6, K4, K3, участвующие в самосборке кристаллических структур. Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D-структур из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → каркас.

Работа продолжает исследования [16–20] в области моделирования процессов самоорганизации систем на супраполиэдрическом уровне и геометрического и топологического анализа кристаллических структур с применением современных компьютерных методов [3].

МЕТОДИКИ, ИСПОЛЬЗОВАННЫЕ ПРИ КОМПЬЮТЕРНОМ АНАЛИЗЕ

Геометрический и топологический анализ осуществляли с помощью комплекса программ ToposPro [3], позволяющего проводить многоцелевое исследование кристаллической структуры в автоматическом режиме, используя представление структур в виде фактор-графов.

Данные о функциональной роли атомов при образовании кристаллической структуры получены расчетом координационных последовательностей, т. е. наборов чисел {Nk}, где Nk — число атомов в k-й координационной сфере данного атома. В табл. 1–3 приведено локальное окружение атомов и значения координационных последовательностей атомов для RbNa8Ga3As6-oP72, Sr2Ca4In3Ge6-oP56, Sr8Li4In4Ge8-oP24.

 

Таблица 1. Sr8Li4In4Ge8-oP24. Координационные последовательности атомов

Атом

Локальное окружение атома

Координационные последовательности

N1 N2 N3 N4 N5

Li1

2Li + 4Ge+5Sr+1In

12 44 108 207 329

Ge1

1Li +6Sr +2In

9 47 108 203 331

Ge2

3Li +4Sr +2In

9 43 108 194 313

Sr1

3Li + 5Ge + 4Sr + 3In

15 50 116 210 340

Sr2

2Li + 5Ge +4Sr +4In

15 51 121 216 342

In1

1Li +4Ge + 7Sr

12 49 107 208 327

 

Taблица 2. Sr2Ca4In3Ge6-oP56. Координационные последовательности и локальное окружение атомов в кристаллической структуре

Атом

Локальное окружение

Координационные последовательности

N1 N2 N3 N4 N5

Ca1

2Ca + 7Ge + 2Sr + 1In

15 48 117 203 332

Ca4

3Ca + 8Ge + 2Sr +2In

15 47 114 197 337

Ca5

3Ca + 5Ge + 1Sr + 5In

14 48 120 208 326

Ge1

4Ca + 1Ge + 2Sr + 2In

9 46 99 187 303

Ge2

4Ca+1Ge+2Sr+2In

9 44 98 196 310

Ge3

4Ca + 2Ge +2Sr +1In

9 45 96 189 294

Ge4

4Ca +2Ge + 2Sr +1In

9 42 96 191 301

Ge5

1Ca + 4Sr + 3In

8 48 107 199 322

Ge6

3Ca + 2Sr + 4In

9 45 108 197 308

Sr2

1Ca + 7Ge +5In

13 43 111 203 324

Sr3

4Ca +7Ge +5In

16 50 118 196 346

In1

6Ca+4Ge + 2Sr

12 52 99 212 314

In2

3Ca +4Ge + 3Sr

10 45 107 201 322

In3

2Ca + 5Ge +5Sr

12 51 110 207 317

 

Taблица 3. RbNa8Ga3As6-oP72. Координационные последовательности и локальное окружение атомов в кристаллической структуре

Атом

Локальное окружение

Координационные последовательности

N1 N2 N3 N4 N5

Rb1

9Na+2Ga+6As

17 53 136 226 347

Na1

5Na + 4As + 3Rb

12 52 124 219 336

Na2

6Na +4 As + 2Rb

12 56 119 225 356

Na3

7Na + 2Ga2 + 5As + 1Rb

15 57 124 222 366

Na4

5Na + 6Ga +6As

17 45 122 219 350

Na5

8Na + 2Ga +5As

15 54 124 225 366

Na6

7Na +2Ga + 5As +1Rb

15 54 126 221 360

Na7

7Na +2Ga + 5As +1Rb

15 53 122 225 347

Na8

7Na +2Ga + 5As +1Rb

15 52 127 220 351

Ga1

6Na +3As

9 41 93 202 328

Ga2

6Na + 3As

9 43 100 208 329

Ga3

4Na + 3As + 2Rb

9 48 108 211 333

As1

6Na + 1Ga + 2Rb

9 47 115 225 333

As2

7Na +2 Ga

9 47 103 204 341

As3

7Na +2 Ga

9 49 108 206 346

As4

8Na +1Ga

9 45 121 210 350

As5

6Na + 1Ga+2Rb

9 47 121 213 332

As6

5Na+ 2Ga+2Rb

9 51 103 211 329

 

Алгоритм разложения в автоматическом режиме структуры любого интерметаллида, представленного в виде свернутого графа, на кластерные единицы основывается на следующих принципах: структура образуется в результате самосборки из нанокластеров-прекурсоров, образующих каркас структуры, пустоты в котором заполняют спейсеры; кластеры-прекурсоры занимают высокосимметричные позиции; набор нанокластеров-прекурсоров и спейсеров включает в себя все атомы структуры.

СИММЕТРИЙНЫЙ И ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ КОД (ПРОГРАММА) САМОСБОРКИ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУР

Использованный нами метод моделирования кристаллической структуры основан на определении иерархической последовательности ее самосборки в кристаллографическом пространстве. На первом уровне самоорганизации системы определяется механизм формирования первичной цепи структуры из нанокластеров 0-уровня, сформированных на темплатной стадии химической эволюции системы, далее — механизм самосборки из цепи слоя (2-й уровень) и затем из слоя — трехмерного каркаса структуры (3-й уровень).

Кристаллическая структура Sr8Li4In4Ge8-oP24

Для кристаллической структуры Sr8Li4In4Ge8-oP24 установлено 3 варианта (табл. 4) кластерного представления 3D-атомной сетки с двумя структурными единицами.

 

Таблица 4. Sr8Li4In4Ge8-oP24. Варианты кластерного представления кристаллической структуры

Две структурные единицы

Ge1(1)(1@9) Ge2(0)(1)

Ge1(0)(1) Ge2(1)(1@9)

Ge1(1)(1@9) Ge2(1)(1@9

 

Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки кластеров-прекурсоров в виде сдвоенных тетраэдров K6 = (Sr2Li2Ge2) с симметрией g = –1 и тройных колец K3 = 0@3 (SrInGe).

Ниже рассмотрен наиболее быстрый вариант самосборки с участием тримеров из связанных структурных единиц S30 = 0@(Sr2Li2Ge2) + 0@3(SrInGe) + 0@3 (SrInGe) (рис. 1).

 

Рис. 1. (Sr2Li2Ge2)2(SrInGe)4-oP24. Первичная цепь кристаллической структуры S31

 

Образование первичной цепи S31 происходит при связывании тримеров S30 в направлении оси X в плоскости XZ (рис. 2). Расстояние между центрами тримеров определяет значение вектора трансляции a = 7.503 Å (рис. 2).

 

Рис. 2. (Sr2Li2Ge2)2(SrInGe)4-oP24. Слой кристаллической структуры S32 (две проекции)

 

Слой структуры S32 формируется при связывании (со сдвигом) первичных цепей в направлении оси Z. Удвоенное расстояние между первичными цепями определяет значение вектора трансляции c = 17.473 Å (рис. 2).

Образование каркаса S33 происходит при связывании микрослоев S32 + S32. Расстояние между двухслойными пакетами определяет длину вектора трансляции b = 4.619Å.

Кристаллическая структура Sr2Ca4In3Ge6-oP56

Для кристаллической структуры Sr2Ca4In3Ge6-oP56 установлено 43 варианта кластерного представления 3D-атомной сетки с числом структурных единиц 3, 4 и 6 (табл. 5).

 

Таблица 5. Sr2Ca4In3Ge6-oP56. 43 варианта кластерного представления кристаллической структуры

Две структурные единицы

2:Ca1(1)(1@14) In2(1)(1@10)

2:Ge2(1)(1@9) Sr3(1)(1@16)

2:Ge4(1)(1@9) Sr3(1)(1@16)

2:Sr2(1)(1@13) In1(1)(1@12)

2:Sr2(1)(1@13) Sr3(1)(1@16)

Три структурные единицы

3:Ca1(1)(1@14) Ge6(1)(1@8) Sr2(1)(1@13)

3:Ca4(1)(1@15) Ge5(1)(1@7) Ge6(0)(1)

3:Ca4(1)(1@15) Ge5(1)(1@7) Ge6(1)(1@8)

3:Ca4(1)(1@15) Ge6(1)(1@8) In3(1)(1@11)

3:Ca4(1)(1@15) In2(1)(1@10) In3(0)(1)

3:Ca4(1)(1@15) In2(1)(1@10) In3(1)(1@11)

3:Ge1(1)(1@9) Ge4(0)(1) In2(1)(1@10)

3:Ge1(1)(1@9) Ge4(1)(1@9) In2(1)(1@10)

3:Ge1(1)(1@9) Ge6(1)(1@8) Sr2(1)(1@13)

3:Ge3(1)(1@9) Ge6(1)(1@8) Sr2(1)(1@13)

3:Ge3(1)(1@9) In2(1)(1@10) In3(0)(1)

3:Ge3(1)(1@9) In2(1)(1@10) In3(1)(1@11)

3:Ge4(0)(1) Ge5(1)(1@7) In1(1)(1@12)

3:Ge4(1)(1@9) Ge5(1)(1@7) In1(1)(1@12)

3:Ge4(1)(1@9) In1(1)(1@12) In2(1)(1@10)

3:In1(1)(1@12) In2(0)(1) In3(1)(1@11)

3:In1(1)(1@12) In2(1)(1@10) In3(1)(1@11)

Четыре структурные единицы

4:Ca1(1)(1@14) Ge2(0)(1) Ge5(1)(1@7) Ge6(1)(1@8)

4:Ca1(1)(1@14) Ge2(1)(1@9) Ge5(0)(1) Ge6(0)(1)

4:Ca1(1)(1@14) Ge2(1)(1@9) Ge5(0)(1) Ge6(1)(1@8)

4:Ca1(1)(1@14) Ge2(1)(1@9) Ge5(1)(1@7) Ge6(0)(1)

4:Ca1(1)(1@14) Ge2(1)(1@9) Ge5(1)(1@7) Ge6(1)(1@8)

4:Ge1(0)(1) Ge4(1)(1@9) Ge5(0)(1) Ge6(1)(1@8)

4:Ge1(0)(1) Ge4(1)(1@9) Ge5(1)(1@7) Ge6(1)(1@8)

4:Ge1(1)(1@9) Ge2(1)(1@9) Ge5(0)(1) Ge6(0)(1)

4:Ge1(1)(1@9) Ge2(1)(1@9) Ge5(0)(1) Ge6(1)(1@8)

4:Ge1(1)(1@9) Ge2(1)(1@9) Ge5(1)(1@7) Ge6(0)(1)

4:Ge1(1)(1@9) Ge2(1)(1@9) Ge5(1)(1@7) Ge6(1)(1@8)

4:Ge1(1)(1@9) Ge4(1)(1@9) Ge5(0)(1) Ge6(1)(1@8)

4:Ge1(1)(1@9) Ge4(1)(1@9) Ge5(1)(1@7) Ge6(1)(1@8)

4:Ge2(0)(1) Ge3(1)(1@9) Ge5(1)(1@7) Ge6(1)(1@8)

4:Ge2(0)(1) Ge3(1)(1@9) Ge6(1)(1@8) In3(1)(1@11)

4:Ge2(1)(1@9) Ge3(0)(1) Ge6(0)(1) In3(1)(1@11)

4:Ge2(1)(1@9) Ge3(0)(1) Ge6(1)(1@8) In3(1)(1@11)

4:Ge2(1)(1@9) Ge3(1)(1@9) Ge5(1)(1@7) Ge6(0)(1)

4:Ge2(1)(1@9) Ge3(1)(1@9) Ge5(1)(1@7) Ge6(1)(1@8)

4:Ge2(1)(1@9) Ge3(1)(1@9) Ge6(0)(1) In3(1)(1@11)

4:Ge2(1)(1@9) Ge3(1)(1@9) Ge6(1)(1@8) In3(1)(1@11)

 

Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки кластеров-прекурсоров: из сдвоенных тетраэдров K6(4a) = 0@ 6 (Sr2In2Ge2) с симметрией g = –1, K6(4b) = 0@ 6 (Ca2In2Ge2) с симметрией g = –1, сдвоенных тетраэдров K6(4c) = 0@ 6 (SrCa2InGe2), атомов-спейсеров Ge2 и Ge4 (рис. 3).

 

Рис. 3. Sr2Ca4In3Ge6-oP56. Первичная цепь кристаллической структуры S31

 

Ниже рассмотрен наиболее быстрый вариант самосборки с участием тетрамеров, образованных из структурных единиц S30 = 0@ 6 (Sr2In2Ge2) + 0@ 6 (Ca2In2Ge2) + 0@ 6 (SrCa2InGe2) + 0@ 6 (SrCa2InGe2) и атомов-спейсеров Ge2 и Ge4 (рис. 3).

Образование первичной цепи S31происходит при связывании тетрамеров S30 в направлении оси Z в плоскости XZ (рис. 4). Удвоенное расстояние между центрами тетрамеров соответствует значению вектора трансляции c = 16.861 Å (рис. 4).

 

Рис. 4. Sr2Ca4In3Ge6-oP56. Слой кристаллической структуры S32 (две проекции)

 

Микрокаркас структуры S33 формируется при связывании микрослоев в направлении оси X. Расстояние между двухслойными пакетами определяет длину вектора трансляции b = 4.4603 Å.

Кристаллическая структура RbNa8Ga3As6-oP72

Для кристаллической структуры RbNa8Ga3As6-oP72 установлено 93 варианта кластерного представления 3D-атомной сетки с числом структурных единиц 3, 4 и 6 (табл. 6).

 

Таблица 6. RbNa8Ga3As6-oP72. Варианты кластерного представления кристаллической структуры с 3, 4, 6 структурными единицами

Три структурные единицы

Ga2(1)(1@9) As3(1)(1@9) Rb1(1)(1@16)

Ga2(1)(1@9) Ga3(1)(1@9) As1(1)(1@9)

Na2(1)(1@12) Na4(1)(1@17) As5(1)(1@9)

Na3(1)(1@14) Ga2(1)(1@9) As1(1)(1@9)

Na4(1)(1@17) As4(0)(1) Rb1(1)(1@16)

Na4(1)(1@17) As4(1)(1@9) Rb1(1)(1@16)

Na5(1)(1@15) Ga1(0)(1) Rb1(1)(1@16)

Na5(1)(1@15) Ga1(1)(1@9) Rb1(1)(1@16)

Na5(1)(1@15) Ga3(1)(1@9) As1(1)(1@9)

Na6(1)(1@15) Ga2(1)(1@9) As5(1)(1@9)

Na7(1)(1@15) Ga3(1)(1@9) As4(1)(1@9)

Четыре структурные единицы

As2(0)(1) As3(1)(1@9) As4(1)(1@9) Rb1(1)(1@16)

As2(1)(1@9) As3(0)(1) As4(0)(1) Rb1(1)(1@16)

As2(1)(1@9) As3(0)(1) As4(1)(1@9) Rb1(1)(1@16)

As2(1)(1@9) As3(1)(1@9) As4(0)(1) Rb1(1)(1@16)

As2(1)(1@9) As3(1)(1@9) As4(1)(1@9) Rb1(1)(1@16)

Ga1(1)(1@9) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(0)(1)

Ga1(1)(1@9) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

Ga2(1)(1@9) As1(1)(1@9) As3(0)(1) As5(1)(1@9)

Ga2(1)(1@9) As1(1)(1@9) As3(1)(1@9) As5(0)(1)

Ga2(1)(1@9) As1(1)(1@9) As3(1)(1@9) As5(1)(1@9)

Ga3(1)(1@9) As1(1)(1@9) As2(0)(1) As4(1)(1@9)

Ga3(1)(1@9) As1(1)(1@9) As2(1)(1@9) As4(1)(1@9)

Na2(0)(1) Ga1(1)(1@9) Ga2(1)(1@9) As5(1)(1@9)

Na2(0)(1) Na7(1)(1@15) Ga2(1)(1@9) As3(1)(1@9)

Na2(0)(1) Na7(1)(1@15) Ga2(1)(1@9) Ga3(1)(1@9)

Na2(1)(1@12) As2(1)(1@9) As3(0)(1) As5(1)(1@9)

Na2(1)(1@12) As2(1)(1@9) As3(1)(1@9) As5(1)(1@9)

Na2(1)(1@12) Ga1(1)(1@9) Ga2(0)(1) As5(1)(1@9)

Na2(1)(1@12) Ga1(1)(1@9) Ga2(1)(1@9) As5(1)(1@9)

Na2(1)(1@12) Ga2(1)(1@9) As3(1)(1@9) As5(1)(1@9)

Na2(1)(1@12) Na3(1)(1@14) Ga1(0)(1) Ga2(0)(1)

Na2(1)(1@12) Na3(1)(1@14) Ga1(0)(1) Ga2(1)(1@9)

Na2(1)(1@12) Na3(1)(1@14) Ga1(1)(1@9) Ga2(0)(1)

Na2(1)(1@12) Na3(1)(1@14) Ga1(1)(1@9) Ga2(1)(1@9)

Na2(1)(1@12) Na7(1)(1@15) Ga2(0)(1) As3(1)(1@9)

Na2(1)(1@12) Na7(1)(1@15) Ga2(0)(1) Ga3(1)(1@9)

Na2(1)(1@12) Na7(1)(1@15) Ga2(1)(1@9) As3(1)(1@9)

Na2(1)(1@12) Na7(1)(1@15) Ga2(1)(1@9) Ga3(1)(1@9)

Na3(0)(1) Ga1(1)(1@9) As4(1)(1@9) Rb1(1)(1@16)

Na3(0)(1) Ga1(1)(1@9) Ga2(1)(1@9) Rb1(1)(1@16)

Na3(1)(1@14) As1(1)(1@9) As4(0)(1) As6(1)(1@9)

Na3(1)(1@14) As1(1)(1@9) As4(1)(1@9) As6(0)(1)

Na3(1)(1@14) As1(1)(1@9) As4(1)(1@9) As6(1)(1@9)

Na3(1)(1@14) Ga1(0)(1) As4(1)(1@9) Rb1(1)(1@16)

Na3(1)(1@14) Ga1(0)(1) Ga2(1)(1@9) Rb1(1)(1@16)

Na3(1)(1@14) Ga1(1)(1@9) As4(0)(1) As6(1)(1@9)

Na3(1)(1@14) Ga1(1)(1@9) As4(1)(1@9) As6(1)(1@9)

Na3(1)(1@14) Ga1(1)(1@9) As4(1)(1@9) Rb1(1)(1@16)

Na3(1)(1@14) Ga1(1)(1@9) Ga2(1)(1@9) Rb1(1)(1@16)

Na4(1)(1@17) As1(0)(1) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9)

Na4(1)(1@17) As1(1)(1@9) As4(0)(1) As5(0)(1)

Na4(1)(1@17) As1(1)(1@9) As4(0)(1) As5(1)(1@9)

Na4(1)(1@17) As1(1)(1@9) As4(1)(1@9) As5(0)(1)

Na4(1)(1@17) As1(1)(1@9) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9)

Na5(1)(1@15) As1(1)(1@9) As5(0)(1) As6(1)(1@9)

Na5(1)(1@15) As1(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(0)(1)

Na5(1)(1@15) As1(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

Na5(1)(1@15) Ga1(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(0)(1)

Na5(1)(1@15) Ga1(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

Na6(1)(1@15) As2(0)(1) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

Na6(1)(1@15) As2(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

Na7(1)(1@15) As3(0)(1) As4(0)(1) As6(1)(1@9)

Na7(1)(1@15) As3(0)(1) As4(1)(1@9) As6(1)(1@9)

Na7(1)(1@15) As3(1)(1@9) As4(0)(1) As6(1)(1@9)

Na7(1)(1@15) As3(1)(1@9) As4(1)(1@9) As6(0)(1)

Na7(1)(1@15) As3(1)(1@9) As4(1)(1@9) As6(1)(1@9)

Шесть структурных единиц

6: As1(0)(1) As2(0)(1) As3(1)(1@9) As4(0)(1) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

6: As1(0)(1) As2(0)(1) As3(1)(1@9) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(0)(1)

6: As1(0)(1) As2(0)(1) As3(1)(1@9) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

6: As1(0)(1) As2(1)(1@9) As3(0)(1) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(0)(1)

6: As1(0)(1) As2(1)(1@9) As3(0)(1) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

6: As1(0)(1) As2(1)(1@9) As3(1)(1@9) As4(0)(1) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

6: As1(0)(1) As2(1)(1@9) As3(1)(1@9) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(0)(1)

6: As1(0)(1) As2(1)(1@9) As3(1)(1@9) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

6: As1(1)(1@9) As2(0)(1) As3(0)(1) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

6: As1(1)(1@9) As2(0)(1) As3(1)(1@9) As4(0)(1) As5(0)(1) As6(1)(1@9)

6: As1(1)(1@9) As2(0)(1) As3(1)(1@9) As4(0)(1) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

6: As1(1)(1@9) As2(0)(1) As3(1)(1@9) As4(1)(1@9) As5(0)(1) As6(0)(1)

6: As1(1)(1@9) As2(0)(1) As3(1)(1@9) As4(1)(1@9) As5(0)(1) As6(1)(1@9)

6: As1(1)(1@9) As2(0)(1) As3(1)(1@9) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(0)(1)

6: As1(1)(1@9) As2(0)(1) As3(1)(1@9) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

6: As1(1)(1@9) As2(1)(1@9) As3(0)(1) As4(0)(1) As5(0)(1) As6(1)(1@9)

6: As1(1)(1@9) As2(1)(1@9) As3(0)(1) As4(0)(1) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

6: As1(1)(1@9) As2(1)(1@9) As3(0)(1) As4(1)(1@9) As5(0)(1) As6(1)(1@9)

6: As1(1)(1@9) As2(1)(1@9) As3(0)(1) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(0)(1)

6: As1(1)(1@9) As2(1)(1@9) As3(0)(1) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

6: As1(1)(1@9) As2(1)(1@9) As3(1)(1@9) As4(0)(1) As5(0)(1) As6(1)(1@9)

6: As1(1)(1@9) As2(1)(1@9) As3(1)(1@9) As4(0)(1) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

6: As1(1)(1@9) As2(1)(1@9) As3(1)(1@9) As4(1)(1@9) As5(0)(1) As6(0)(1)

6: As1(1)(1@9) As2(1)(1@9) As3(1)(1@9) As4(1)(1@9) As5(0)(1) As6(1)(1@9)

6: As1(1)(1@9) As2(1)(1@9) As3(1)(1@9) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(0)(1)

6: As1(1)(1@9) As2(1)(1@9) As3(1)(1@9) As4(1)(1@9) As5(1)(1@9) As6(1)(1@9)

 

Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки трех типов кластеров-прекурсоров: из сдвоенных тетраэдров K6(4a) = 0@ 6 (Rb2Na2As2) и K6(4b) = 0@ 6(Na4As2) с симметрией g = –1, тетраэдра K4(8d) = 0@4(Na3As), тройных колец K3(8d) = 0@3(NaGaAs), и атомов-спейсеров Ga и As (рис. 5).

 

Рис. 5. RbNa8Ga3As6-oP72. Первичная цепь кристаллической структуры S31

 

Ниже рассмотрен наиболее быстрый вариант самосборки с участием двух тетрамеров из связанных структурных единиц (рис. 5):

S30 (A) = 0@ 6 (Rb2Na2As2) + 0@4(Na3As) + 0@3(NaGaAs) + 0@3(NaGaAs);

S30 (B) = 0@ 6 (Na4As2) + 0@4(Na3As) + 0@3(NaGaAs) + 0@3(NaGaAs).

Образование первичной цепи происходит при связывании тетрамеров в направлении оси Z в плоскости XZ (рис. 6). Удвоенное расстояние между центрами кластеров соответствует значению вектора трансляции c = 16.861 Å (рис. 6).

 

Рис. 6. RbNa8Ga3As6-oP72. Слой кристаллической структуры S32 (две проекции)

 

Образование микрослоя S32 происходит при связывании первичных цепей S31+ S31 в направлении оси X в плоскости XZ (рис. 6). Удвоенное расстояние между осями соседних цепей S31 в направлении оси X соответствует значению вектора трансляции a = 22.843.

Микрокаркас структуры S33 формируется при связывании двух микрослоев в направлении оси X. Расстояние между двухслойными пакетами определяет длину вектора трансляции b = 4.789 Å.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

С применением метода разложения в 3D-атомной сетке на кластерные структуры (пакет программ ToposPro) получены данные о комбинаторно возможных типах кластеров, участвующих в образовании кристаллической структуры.

Для интерметаллида RbNa8Ga3As6-oP72 рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием 3 типов кластеров-прекурсоров: из сдвоенных тетраэдров K6(4a) = 0@ 6 (Rb2Na2As2) и K6(4b) = 0@ 6 (Na4As2), тетраэдра K4(8d) = 0@4(Na3As), двух тройных колец K3–1 = 0@3(NaGaAs) и атомов-спейсеров Ga и As.

Для интерметаллида Sr2Ca4In3Ge6-oP56 рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием 3 типов кластеров-прекурсоров из сдвоенных тетраэдров K6(4a) = 0@ 6 (Sr2In2Ge2) и K6(4b) = 0@ 6 (Ca2In2Ge2), сдвоенных тетраэдров K6(4c) = 0@ 6 (SrCa2InGe2) и атомов-спейсеров Ge.

Для интерметаллида Sr8Li4In4Ge8-oP24 рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием 2 типов кластеров-прекурсоров из сдвоенных тетраэдров K6 = (Sr2Li2Ge2) и тройных колец K3 = 0@3 (SrInGe).

Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D-структур из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → каркас.

Моделирование самосборки кристаллических структур выполнено при поддержке Минобрнауки РФ в рамках выполнения работ по государственному заданию ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН. Кластерный анализ выполнен при поддержке Российского научного фонда (РНФ № 21-73-30019).

КОНФЛИКТ ИНТЕРЕСОВ

Авторы данной работы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

×

Sobre autores

В. Шевченко

Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова РАН

Autor responsável pela correspondência
Email: shevchenko@isc.nw.ru
Rússia, Санкт-Петербург

Г. Илюшин

Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника»

Email: gdilyushin@gmail.com
Rússia, Москва

Bibliografia

  1. Inorganic crystal structure database (ICSD). Fachinformationszentrum Karlsruhe (FIZ), Germany and US National Institute of Standard and Technology (NIST), USA.
  2. Pearson’s Crystal Data-Crystal Structure Database for Inorganic Compounds (PCDIC) ASM International: Materials Park, OH.
  3. Blatov V. A., Shevchenko A. P., Proserpio D. M. Applied Topological Analysis of Crystal Structures with the Program Package ToposPro // Cryst. Growth Des. 2014. V. 14. № 7. P. 3576–3585.
  4. Babizhetskii V., Guerin R., Simon A. A new ternary arsenide LaNi5As preparation and crystal structure // Zeitschrift fuer Naturforschung. Teil B. Anorganische Chemie, Organische Chemie. 2004. V. 59. P. 1103–1108.
  5. Stuerzer T., Hieke C., Loehnert C., Nitsche F., Stahl J., Maak C., Pobel R., Johrendt D. Framework structures of interconnected layers in calcium iron arsenides // Inorganic Chemistry. 2014. V. 53. P. 6235–6240.
  6. He H., Tyson C., Bobev S. Synthesis and Сrystal Structures of the Quaternary Zintl Рhases RbNa8Ga3Pn6(Pn = P, As) and Na10NbGaAs6 // Crystals. 2012. V. 2. P. 213–223.
  7. Tkachuk A.V., Mar A. In search of the elusive amalgam SrHg8: a mercury-rich intermetallic compound with augmented pentagonal prisms // Dalton Trans. 2010. V. 39. P. 7132–7135.
  8. Weitz G., Hellner E. Zur Kristallstruktur des Cosalits, Pb2Bi2S5 // Zeitschrift fuer Kristallographie. 1960. V. 113 P. 385–402. Ueber komplex zusammengesetzte sulfidische. Erze. VII
  9. Skowron A., Brown I. D. Structure of antimony lead selenide, Pb4Sb4Se10, a selenium analogue of cosalite // Acta Crystallographica C. 1990. V. 46 P. 2287–2291.
  10. Poudeu P. F.P., Djieutedjeu H., Ranmohotti K. G. S., Makongo J. P. A. M., Takas N. Geometrical spin frustration and ferromagnetic ordering in (Mnx Pb2-x) Pb2Sb4Se10 // Inorganic Chemistry. 2014. V. 53 P. 209–220.
  11. Poudeu P. F. P., Takas N., Anglin C., Eastwood J., Rivera A. Fe(x) Pb(4-x) Sb4 Se10: A new class of ferromagnetic semiconductors with quasi1D {Fe2 Se10} ladders // Journal of the American Chemical Society. 2010. V. 132. P. 5751–5760.
  12. You T.-S.; Bobev S. Synthesis and structural characterization of A3 In2 Ge4 and A5 In3 Ge6 (A = Ca, Sr, Eu, Yb) — New intermetallic compounds with complex structures, exhibiting Ge-Ge and In-In bonding // Journal of Solid State Chemistry. 2010. V. 183. P. 1258–1265.
  13. Mao J.-G.; Xu Z.-H.; Guloy A. M. Synthesis and crystal structure of Ae2LiInGe2 (Ae = Ca, Sr): new Zintl phases with a layered silicate-like network // Inorganic Chemistry. 2001. V. 40. P. 4472–4477.
  14. You T.-S., Bobev S. Diytterbium(II) lithium indium(III) digermanide, Yb2LiInGe2 // Acta Crystallographica, Section E. Structure Reports Online. 2010. V. 66 (5). P.i43–i43.
  15. Niehaus O., Rodewald U. C., Abdala P. M., Touzani R. S., Fokwa B. P. T., Janka O. Synthesis and theoretical investigations of the solid solution Ce Ru1-x Nix Al (x = 0.1–0.95) showing cerium valence fluctuations // Inorg. Chem. 2014. V. 53. № 5. P. 2471–2480.
  16. Ilyushin G. D. New Cluster Precursors — K5 Pyramids and K4 Tetrahedra — for Self-Assembly of Crystal Structures of Mn4(ThMn4)(Mn4)-tI26, Mn4(CeCo4)(Co4)-tI26, and MoNi4-tI10 Families // Crystallography Reports. 2022. V. 67. P. 1088–1094.
  17. Shevchenko V. Y., Medrish I. V., Ilyushin G. D., Blatov V. A. From clusters to crystals: Scale chemistry of intermetallics // Structural Chemistry. 2019. V. 30. P. 2015–2027.
  18. Ilyushin G. D. Intermetallic Compounds NakMn (М = K, Cs, Ba, Ag, Pt, Au, Zn, Bi, Sb): Geometrical and Topological Analysis, Cluster Precursors, and Self-Assembly of Crystal Structures // Crystallography Reports. 2020. V. 65. № 4. P. 539–545.
  19. Ilyushin G. D. Intermetallic Compounds KnMm (М = Ag, Au, As, Sb, Bi, Ge, Sn, Pb): Geometrical and Topological Analysis, Cluster Precursors, and Self-Assembly of Crystal Structures // Crystallography Reports. 2020. V. 65. № 7. P. 1095–1105.
  20. Ilyushin G. D. Intermetallic Compounds CsnMk (М = Na, K, Rb, Pt, Au, Hg, Te): Geometrical and Topological Analysis, Cluster Precursors, and Self-Assembly of Crystal Structures // Crystallography Reports. 2022. V. 67. Is. 7. P. 1075–1087.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
2. Fig. 1. (Sr2Li2Ge2)2(SrInGe)4-oP24. Primary chain of the crystal structure S31

Baixar (179KB)
3. Fig. 2. (Sr2Li2Ge2)2(SrInGe)4-oP24. Layer of S32 crystal structure (two projections)

Baixar (421KB)
4. Fig. 3. Sr2Ca4In3Ge6-oP56. Primary chain of the crystal structure S31

Baixar (172KB)
5. Fig. 4. Sr2Ca4In3Ge6-oP56. Layer of crystal structure S32 (two projections)

Baixar (295KB)
6. Fig. 5. RbNa8Ga3As6-oP72. Primary chain of the crystal structure S31

Baixar (208KB)
7. Fig. 6. RbNa8Ga3As6-oP72. Layer of S32 crystal structure (two projections)

Baixar (320KB)

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».