Отправить статью по E-mail 
Влияние лазерного излучения на работу полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- Авторы: Рехвиашвили С.Ш.1, Гаев Д.С.2, Литвинов А.Б.1
-
Учреждения:
- КБНЦ РАН
- Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
- Выпуск: Том 70, № 1 (2025)
- Страницы: 82-87
- Раздел: ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ
- URL: https://bakhtiniada.ru/0033-8494/article/view/294332
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849425010092
- EDN: https://elibrary.ru/HIWTEB
- ID: 294332
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Проведены экспериментальные и теоретические исследования влияния немодулированного лазерного излучения на функционирование полевого транзистора с управляющим p-n-переходом в составе усилительного каскада с общим истоком. Определены закономерности в изменениях параметров транзистора в зависимости от внешнего излучения. Установлено, что при лазерном облучении наибольшие изменения претерпевают напряжение отсечки и удельная крутизна затвора. Обнаружено, что при облучении транзисторной структуры возникает фотовольтаический эффект на p-n-переходе затвора, изменяется концентрация свободных носителей заряда в полупроводниковых областях и сопротивление канала. Показано, что прибор достаточно устойчив к воздействию лазерного излучения, что принципиально важно для создания радиационно-стойких интегральных схем.
Об авторах
С. Ш. Рехвиашвили
КБНЦ РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: rsergo@mail.ru
Институт прикладной математики и автоматизации
Россия, 360000, Нальчик, ул. Шортанова, 89 АД. С. Гаев
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
Email: rsergo@mail.ru
Россия, 360004, Нальчик, ул. Чернышевского, 173
А. Б. Литвинов
КБНЦ РАН
Email: rsergo@mail.ru
Институт прикладной математики и автоматизации
Россия, 360000, Нальчик, ул. Шортанова, 89 АСписок литературы
- Sze S.M., Ng Kwok K. Physics of Semiconductor Devices. Hoboken: John Wiley & Sons, Inc., 2006.
- Citterio M., Kierstead J., Rescia S., Radeka V. // IEEE Trans. 1996. V.NS-43. № 3. P. 1576.
- Кильметов Р.С., Кухаренко А.П., Механцев Б.Е., Механцев Е.Б. // Известия ТРТУ. 2000. № 3(17). С. 167.
- Дворников О.В., Дятлов В.Л., Прокопенко Н.Н., Чеховский В.А. // РЭ. 2017. Т. 62. № 10. С. 1031.
- Prokopenko N.N., Pakhomov I.V., Zhuk A.A. // IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 2020. V. 862. № 3. Article No. 032109.
- Vikulin I.M., Vikulina L.F., Gorbachev V.E., Mikhailov N.S. // Radioelectronics and Commun. Systems. 2021. V. 64. № 6. P. 310.
- Takeyama A., Makino T., Tanaka Y. et al. // Quantum Beam Sci. 2023. V. 7. № 4. P. 31.
- Рехвиашвили С.Ш., Нарожнов В.В. Способ повышения быстродействия транзисторов и транзисторных интегральных схем. Патент РФ № 2799113. Опубл. офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» № 19 от 04.07.2023.
- Альтудов Ю.К., Гаев Д.С., Псху А.В., Рехвиашвили С.Ш. // Микроэлектроника. 2023. T. 52. № 6. С. 489.
- Володин В.Я. LTspice: компьютерное моделирование электронных схем. СПб.: БХВ-Петербург, 2010.
- Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSpice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Выпуск 2. М.: Радио и связь, 1992.
- Shichman H., Hodges D.A. // IEEE J. Solid-State Circuits. 1968. V. 3. № 3. P. 285.
- Antognetti P., Massobrio G. Semiconductor Device Modeling with Spice. N. Y.: McGraw-Hill, Inc., 1993.
- Дворников О., Шульгевич Ю. // Современная электроника. 2009. № 8. С. 50.
- Goncalves D., Fernandes L.M., Louro P. et al. // Proc. 4th Doctoral Conf. on Computing, Electrical and Industrial Systems (DoCEIS), 15–17 Apr. 2013. Costa de Caparica. Heidelberg: Springer, 2013. P. 547.
- Мармур И.Я., Новиков Ю.Б., Оксман Я.А. // ФТП. 1988. Т. 22. № 1. С. 87.
- Kavangary A., Graf P., Azazoglu H. et al. // AIP Advances. 2019. V. 9. № 2. Article No. 025104.
Дополнительные файлы
