Influence of conditions for the formation of hafnium oxide films on the structural and electrical properties of heterostructures.

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

Hafnium oxide (HfO_2) films were synthesized onto silicon substrates by magnetron sputtering under various technological conditions. Research results presented structural composition of HfO2 films and electrical properties of heterostructures metal-insulator-semiconductor (Ni–HfO_2–Si) based on them.

作者简介

M. Afanas'ev

Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Fryazino Branch

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Fryazino, Moscow oblast, 141190 Russia

D. Belorusov

Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Fryazino Branch

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Fryazino, Moscow oblast, 141190 Russia

D. Kiselyov

Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Fryazino Branch

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Fryazino, Moscow oblast, 141190 Russia

V. Luzanov

Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Fryazino Branch

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Fryazino, Moscow oblast, 141190 Russia

G. Chucheva

Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Fryazino Branch

编辑信件的主要联系方式.
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Fryazino, Moscow oblast, 141190 Russia

参考

  1. Wang Y., Chen W.-J., Wang B., Zheng Yu. // Materials. 2014. V. 7. P. 6377. https://doi.org/10.3390/ma7096377
  2. Khosla R., Sharma S.K. // ACS Appl. Electronic Mater. 2021. V. 3. № 7. P. 2862. https://doi.org/10.1021/acsaelm.0c00851
  3. Chou Ch.-P., Lin Y.-X., Huang Y.-K. et al. // ACS Appl. Mater. & Interfaces. 2020. V. 12. № 1. P. 1014. https://doi.org/10.1021/acsami.9b16231
  4. Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. М.: Энергоатомиздат, 2011.
  5. Yuan G., Wang Ch., Tang W. et al. // Acta Physica Sinica. 2023. Article ASAP. https://doi.org/10.7498/aps.72.20222221
  6. Setter N., Damjanovic D., Eng L. et al. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 051606. https://doi.org/10.1063/1.2336999
  7. Scott J.F. // Science. 2007. V. 315. № 5814. P. 954. https://doi.org/10.1126/science.1129564
  8. Ihlefeld J.F., Jaszewski S.T., Fields S.S. // Appl. Phys. Lett. 2022. V. 121. № 24. P. 240502. https://doi.org/10.1063/5.0129546
  9. Fujimoto K., Sato Y., Fuchikami Y. et al. // J. Amer. Ceramic Soc. 2022. V. 105. № 4. P. 2823. https://doi.org/10.1111/jace.18242
  10. Hsain H.A., Lee Y., Materano M. et al. // J. Vacuum Science & Technol. A. 2022. V. 40. № 1. P. 010803. https://doi.org/10.1116/6.0001317
  11. Chouprik A., Negrov D., Tsymbal E.Y., Zenkevich A. // Nanoscale. 2021. V. 13. № 27. P. 11635. https://doi.org/10.1039/D1NR01260F
  12. Lee D.H., Lee Y., Yang K. et al. // Appl. Phys. Rev. 2021. V. 8. № 2. P. 021312. https://doi.org/10.1063/5.0047977
  13. Nukala P., Ahmadi M., Wei Y. et al. // Science. 2021. V. 372. № 6542. P. 630. https://doi.org/10.1126/science.abf3789
  14. Jiang P., Luo Q., Xu X. et al. // Advanced Electronic Mater. 2021. V. 7. № 1. P. 2000728. https://doi.org/10.1002/aelm.202000728
  15. Aldrigo M., Dragoman M., Iordanescu S. et al. // Nanomaterials. 2020. V. 10. № 10. P. 2057. https://doi.org/10.3390/nano10102057
  16. Lomenzo P.D., Jachalke S., Stoecker H. et al. // Nano Energy. 2020. V. 74. P. 104733. https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.104733
  17. Quan Zh., Wang M., Zhang X. et al. // AIP Advances. 2020. V. 10. № 8. P. 085024. https://doi.org/10.1063/5.0013511
  18. Zhang Y., Yang Q., Tao L. et al. // Phys. Rev. Appl. 2020. V. 14. № 1. P. 014068. https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.14.014068
  19. Schenk T., Pešić M., Slesazeck S. et al. // Reports on Progress in Physics. 2020. V. 83. № 8. P. 086501. https://doi.org/10.1088/1361-6633/ab8f86
  20. Locatelli N., Diez L.H., Mikolajick T. Memristive Devices for Brain-Inspired Computing. Cambridge: Woodhead Publ., 2020. P. 97. https://doi.org/10.1016/B978-0-08-102782-0.00004-6
  21. Черникова А.Г., Красников Г.Я., Горнев Е.С. и др. // Наноиндустрия. 2018. № 8. С. 281. https://doi.org/10.22184/1993-8578.2018.82.281
  22. Gannepalli A., Yablon D.G., Tsou A.H., Proksch R. // Nanotechnology. 2013. V. 24. P. 159501. https://doi.org/10.1088/0957-4484/24/15/159501
  23. Bian J., Xue P., Zhu R. et al. // Appl. Mater. Today. 2020. V. 21. P. 100789. https://doi.org/10.1016/j.apmt.2020.100789
  24. Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Чучева Г.В. // ПТЭ. 1997. № 6. С. 110.
  25. Афанасьев М.С., Киселев Д.А., Левашов С.А. и др. // ФТТ. 2019. Т. 61. № 10. С. 1948.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载
2.

下载 (139KB)
索引源数据
3.

下载 (1MB)
索引源数据
4.

下载 (321KB)
索引源数据
5.

下载 (141KB)
索引源数据
6.

下载 (155KB)
索引源数据
7.

下载 (88KB)
索引源数据
8.

下载 (64KB)
索引源数据

版权所有 © М.С. Афанасьев, Д.А. Белорусов, Д.А. Киселев, В.А. Лузанов, Г.В. Чучева, 2023

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».