Application of Heat Treatment to Optimize the Magnetostrictive

E. E. Ivasheva; Ивашева Е. Е.; V. S. Leontiev; Леонтьев В. С.; M. I. Bichurin; Бичурин М. И.; V. V. Koledov; Коледов В. В.

doi:10.31857/S0033849423040034

Применение термообработки для оптимизации магнитострикционной компоненты магнитоэлектрического композита

Авторы: Ивашева Е.Е.¹, Леонтьев В.С.¹, Бичурин М.И.¹, Коледов В.В.²
Учреждения:
1. Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого
2. Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Выпуск: Том 68, № 4 (2023)
Страницы: 396-398
Раздел: К 90-ЛЕТИЮ ВЛАДИМИРА ГРИГОРЬЕВИЧА ШАВРОВА
URL: https://bakhtiniada.ru/0033-8494/article/view/138203
DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849423040034
EDN: https://elibrary.ru/PETZWT
ID: 138203

Цитировать

Полный текст

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Исследовано влияние термообработки магнитострикционной компоненты в магнитоэлектрических (МЭ) композитах, состоящих из пьезоэлектрического и магнитострикционного материала. Экспериментально найдена зависимость МЭ коэффициента по напряжению от частоты без термообработки и с отжигом от 200 до 500 °C аморфного сплава АМАГ493, который выступал в роли магнитострикционной компоненты. Показано, что с увеличением температуры обработки аморфного сплава наблюдается увеличение МЭ-коэффициента по напряжению: максимальное значение МЭ коэффициента наблюдалось при температуре 350°C и составило 29.52 В см^–1 Э^–1 на частоте резонанса 54 кГц. Доказано, что увеличение МЭ-коэффициента по напряжению происходит за счет улучшения характеристик аморфного сплава в ходе термической обработки, приводящей к частичной нанокристаллизации материала.

Ключевые слова

magnetoelectric composites, piezoelectric and magnetostrictive materials, voltage coefficient

Список литературы

Bichurin M.I., Petrov V.M., Petrov R.V., Tatarenko A.S. Magnetoelectric Composites. Singapore: Pan Stanford Publishing Pte. Ltd., 2019.
Nan C.-W., Bichurin M.I., Dong S. et al. // J. Appl. Phys. 2008. V. 103. № 3. P. 031101. https://doi.org/10.1063/1.2836410
Wang Y., Gray D., Berry D. et al. // Adv. Mater. 2011. V. 23. № 35. P. 4111. https://doi.org/10.1002/adma.201100773
Bichurin M., Petrov R., Sokolov O. et al. // Sensors. 2021. V. 21. № 18. P. 6232. https://doi.org/10.3390/s21186232
Wang Y., Li J., Viehland D. // Mater. Today. 2014. V. 17. № 6. P. 269. https://doi.org/10.1016/j.mattod.2014.05.004
Dong S., Liu J.-M., Cheong S.W., Ren Z. // Adv. Phys. 2015. V. 64. № 5–6. P. 519. https://doi.org/10.1080/00018732.2015.1114338
Palneedi H., Annapureddy V., Priya S., Ryu J. // Actuators. 2016. V. 5. № 1. Article No. 5010009. https://doi.org/10.33990/act5010009
Chu Z., Pourhosseiniasl M., Dong S. // J. Phys. D Appl. Phys. 2018. V. 51. № 24. P. 243001. https://doi.org/10.1088/1361-6463/aac29b
Leung C.M., Li J., Viehland D., Zhuang X. // J. Phys. D Appl. Phys. 2018. V. 51. № 26. P. 263002. https://doi.org/10.1088/1361-6463/aac60b
Deng T., Chen Z., Di W. et al. // Smart Mater. Struct. 2021. V. 30. № 8. P. 085005. https://doi.org/10.1088/1361-665X/ac0858
Katakam S., Hwang J.Y., Vora H. et al. // Scripta Mater. 2012. V. 66. № 8. P. 538. https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2011.12.028
Jiang W.H., Atzmon M. // Scripta Mater. 2006. V. 54. № 4. P. 333. https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2005.09.052
Datta A., Nathasingh D., Martis R.J. et al. // J. Appl. Phys. 1984. V. 55. № 6. P. 1784.https://doi.org/10.1063/1.333477