GALLIUM NANOPARTICLES OBTAINED ON SILICON SUBSTRATES BY THERMAL EVAPORATION METHOD

G. N. Kozhemyakin; Кожемякин Г. Н.; Yu. S. Belov; Белов Ю. С.; M. K. Trufanova; Труфанова М. К.; V. V.  Artemov; Артемов В. В.; I. S. Volchkov; Волчков И. С.

doi:10.31857/S0023476123020091

Получение наночастиц галлия на кремниевых подложках методом термического испарения

Авторы: Кожемякин Г.Н.¹, Белов Ю.С.², Труфанова М.К.³, Артемов В.В.¹, Волчков И.С.¹
Учреждения:
1. Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
2. Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
3. Луганский государственный университет им. Владимира Даля
Выпуск: Том 68, № 2 (2023)
Страницы: 313-318
Раздел: НАНОМАТЕРИАЛЫ, КЕРАМИКА
URL: https://bakhtiniada.ru/0023-4761/article/view/137389
DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476123020091
EDN: https://elibrary.ru/BQEGYD
ID: 137389

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Наноструктуры галлия получены на кремниевых подложках методом термического испарения в атмосфере аргона. С помощью компьютерной обработки электронных микрофотографий определены размеры, плотность и форма частиц Ga. Конденсация Ga на кремниевых подложках в течение 10, 15 и 20 с обеспечила формирование частиц нескольких типов: сферической, треугольной, квадратной форм, а также в виде стержней и многогранников. Увеличение времени конденсации Ga до 20 с способствовало увеличению плотности сферических наночастиц на 41%.

Ключевые слова

GALLIUM NANOPARTICLES, THERMAL EVAPORATION METHOD

Список литературы

Teske D., Drumheller J.E. // J. Phys.: Condens. Matter. 1999. V. 11 (25). P. 4935. https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/25/312
Charnaya E.V., Tien C., Lee M.K. et al. // Indium. N.-Y.: Nova Science Publ. Inc., 2013. P. 1.
Charnaya E.V., Tien C., Lin K.J. et al. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. P. 467. https://doi.org/10.1103/physrevb.58.467
Wu P.C., Khoury C.G., Kim T.-H. et al. // J. Am. Chem. Soc. 2009. V. 131 (34). P. 12033. https://doi.org/10.1021/ja903321z
Yi C., Kim T.-H., Jiao W. et al. // Small. 2012. V. 8 (17). P. 2721. https://doi.org/10.1002/smll.201200694
Wu P.C., Kim T.-H., Brown A.S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 103119. https://doi.org/10.1063/1.2712508
Losurdo M., Yi C., Suvorova A. et al. // ACS Nano 2014. V. 8 (3). P. 3031. https://doi.org/10.1021/nn500472r
Knight M.W., Coenen T., Yang Y. // ACS Nano. 2015. V. 9 (2). P. 2049. https://doi.org/10.1021/nn5072254
Küpers H., Bastiman F., Luna E. et al. // J. Cryst. Growth. 2017. V. 459. P. 43. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.065
Matteini F., Tütüncüoglu G., Potts H. et al. // Cryst. Growth Des. 2015. V. 15. P. 3105. https://doi.org/10.1021/acs.cgd.5b00374
Tauchnitz T., Nurmamytov T., Hübner R. et al. // Cryst. Growth Des. 2017. V. 17 (10). P. 5276. https://doi.org/10.1021/acs.cgd.7b00797
Kozhemyakin G.N., Belov Yu.S., Trufanova M.K. et al. // Inorg. Mater.: Appl. Res. 2022. V. 13 (3). P. 788. https://doi.org/10.1134/S2075113322030200
Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М.: КомКнига, 2006. 592 с.
Физические величины: Справочник. Ред. Григорьева И.С., Мейлихова Е.З. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия, 1988. 576 с.
Горшков В.С., Савельев В.Г., Федоров Н.Ф. Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений. М.: Высшая школа, 1988. 400 с.
Могилевский Б.М., Чудновский А.Ф. Теплопроводность полупроводников. М.: Наука, 1972. 536 с.
Чеканова В.Д., Фиалков А.С. // Успехи химии. 1971. Т. 40. № 5. С 777. https://doi.org/10.1070/RC1971v040n05ABEH001927