Electronic structure of non-stoichiometric ZrCuSiAs-like layered LaZnAsO1–δ compositions: FLAPW-GGA modeling


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Features of the electronic structure of layered ZrCuSiAs-like LaZnAsO1–δ phases at δ = 0.11 and 0.44 are briefly discussed based on the results of ab initio calculations. It is shown that the effect of oxygen vacancies on the electronic structure of non-stoichiometric phases is equivalent to the effect of an electron dopant and the charge compensation occurs inside [La–O] structural blocks due to variation of the occupation of lanthanum electronic states.

Негізгі сөздер

Авторлар туралы

V. Bannikov

Institute of Solid State Chemistry, Ural Branch

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: bannikov@ihim.uran.ru
Ресей, Ekaterinburg

I. Shein

Institute of Solid State Chemistry, Ural Branch

Email: bannikov@ihim.uran.ru
Ресей, Ekaterinburg

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016