Special aspects of the photoluminescence of thermally annealed porous silicon layers


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The effect of thermal annealing of porous silicon layers in various media with subsequent exposure to air on the photoluminescence spectra of the layers was described.

Об авторах

E. Abramova

Institute of Fine Chemical Technologies

Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571

A. Khort

Institute of Fine Chemical Technologies

Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571

A. Yakovenko

Institute of Fine Chemical Technologies

Автор, ответственный за переписку.
Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571

T. Sorokin

Institute of Fine Chemical Technologies

Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571

V. Shvets

Institute of Fine Chemical Technologies

Email: anavenko@yandex.ru
Россия, Moscow, 119571

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2017

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).