Carbothermal synthesis of pure silicon carbide powder using glucose and ascorbic acid

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Проблема дешевого источника углерода для карботермического синтеза высокочистого порошка карбида кремния может быть решена при использовании углеродных остатков органических соединений. Рассмотрен и оптимизирован модельный процесс синтеза, использующий углерод, полученный при графитизации глюкозы. Данные рентгеновского фазового анализа показали, что полученный материал представляет собой смесь гексагональных политипов карбида кремния. Результаты масс-спектрометрических исследований продемонстрировали высокую чистоту финишного продукта по сравнению с исходным диоксидом кремния (по Mg, Al, Ca и Fe) и перспективность предложенной методики синтеза.

Sobre autores

N. Sharenkova

Ioffe Institute of the Russian Academy of Sciences

Email: aswan61@yandex.ru
Polytechnicheskaya St., 26, St. Petersburg, 194021 Russia

A. Lebedev

Ioffe Institute of the Russian Academy of Sciences; Saint Petersburg State Electrotechnical University "LETI" named after V. I. Ulyanov (Lenin)

Email: aswan61@yandex.ru
Polytechnicheskaya St., 26, St. Petersburg, 194021 Russia; Professora Popova St., 5, Lit. F, St. Petersburg, 197022 Russia

Y. Bykov

Saint Petersburg State Electrotechnical University "LETI" named after V. I. Ulyanov (Lenin)

Autor responsável pela correspondência
Email: aswan61@yandex.ru
Professora Popova St., 5, Lit. F, St. Petersburg, 197022 Russia

Bibliografia

  1. Tairov Yu., Lebedev A., Avrov D. The main defects of silicon carbide ingots and epitaxial layers. Saarbrucken: Lambert Academic, 2016. 76 p.
  2. Bykov Y.O, Lebedev A.O., Shcheglov M.P. On the structural perfection of large-diameter silicon carbide ingots // Inorg. Mater. 2020. V. 56. № 9. P. 928‒933. https://doi.org/10.1134/S0020168520090034
  3. Квашина Т.С., Крутский Ю.Л., Черкасова Н.Ю., Кузьмин Р.И., Тюрин А.Г. Синтез высокодисперсного карбида кремния из разных шихтовых материалов // Докл. АН ВШ РФ. Технические науки. 2017. № 4(37). С. 80–90. https://doi.org/10.17212/1727-2769-2017-4-80-90
  4. Kanemoto M., Endo Sh., Hashimoto M. Process for producing high-purity silicon carbide powder for preparation of a silicon carbide single crystal and single crystal: Пат. TW364894, Taiwan, № 19950110302 19951003; заявл. 21.07.1999.
  5. Cho Kwang Youn, Shin Dong Geun, Riu Doh Hyung. Fabrication of ultra-high-purity of silicon carbide fine powder: Пат. KR20110113524, Korea, № 20100032965 20100409; заявл. 17.10.2011.
  6. Hayashi M., Yamagishi A., Ametani T. Preparation of silicon carbide powder having high purity: Пат. JPS60141612, Japan, № 19830245074 19831228; заявл. 26.07.1985.
  7. Liu Jun, Zhang Haibo, Wang Gang et al. Production method of high-purity silicon carbide micro powder: Пат. CN114368754, China, № 202210126373 20220210; заявл. 19.04.2022.
  8. Ma Kangfu, Wei Ruxing, Li Bin et al. Preparation method of high-purity silicon carbide powder for single crystal growth: Пат. CN111484019, China, № 202010342701 20200427; заявл. 04.08.2020.
  9. Lee Kang Ho, Kim Sun Uk. Composition for producing the high-purity silicon carbide powder and method for producing the high-purity silicon carbide powder used it: Пат. KR101448241, Korea, № 20140035962 20140327; заявл. 13.10.2014.
  10. ГОСТ 23463-79. Графит порошковый особой чистоты. Технические условия. М.: Гос. Комитет СССР по управлению качеством продукции и стандартам, 1979. 10 с.
  11. Preparation method of high-purity silicon carbide powder: Пат. CN111704139, China HARBIN KEYOU SEMICONDUCTOR INDUSTRY EQUIPMENT AND TECH RESEARCH INSTITUTE CO LTD. № 02010608931 20200629; заявл. 25.09.2020.
  12. Hongmin Kan, Jin Li, Xiaoyang Wang, Ning Zhang. Wet chemical continuous synthesizing method for high-purity superfine silicon carbide powder: Пат. CN101734661, China, № 200910248549 20091218; заявл. 16.06.2010.
  13. Касаткин А.Г. Основные процессы и аппараты химической технологии. М.: Просвещение, 2008. 753 с.
  14. Авров Д.Д., Булатов А.В., Дорожкин С.И. и др. Инициирование монокристаллического роста при выращивании слитков карбида кремния модифицированным методом Лэли // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2009. № 4. С. 4–8.
  15. Суриков В.Т. Кислотное растворение кремния и его соединений для анализа методом масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой // Аналитика и контроль. 2008. Т. 12. № 3–4. С. 93–100.
  16. Рабинович В.А., Хавин З.Я. Краткий химический справочник. Л.: Химия, 1978. 394 с.
  17. Гурецкая В.Л., Бальян Х.В. Органическая химия. М.: Высшая школа, 1983. 320 с.
  18. Abolpour B., Shamsoddini R. Mechanism of reaction of silica and carbon for producing silicon carbide // Prog. React. Kinet. Mech. 2019. V. 9. № 4. P. 1–14. https://doi.org/ 10.1177/1468678319891416
  19. Авров Д.Д, Андреева Н.В., Быков Ю.О., Латникова Н.М., Лебедев А.О., Шаренкова Н.В. Способ получения порошка карбида кремния: Пат. RU2791964, РФ, № 2022114163; опубл. 14.03.2023, Бюл. № 8.
  20. Верма А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах. М.: Мир, 1969. 276 с.
  21. ГОСТ 6038-79. Реактивы. D-глюкоза. Технические условия. М.: ИПК Изд-во стандартов, 1979. 7 с.
  22. ГОСТ 9428-73. Реактивы. Кремний (IV) оксид. Технические условия. М.: Изд-во стандартов, 1973. 9 с.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).