Phase Equilibria in the Al–Ga–As–Bi System at 900°C

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

Solidus and liquidus isotherms in the Al–Ga–As–Bi system have been modeled for an initial epitaxy temperature of 900°C, which is needed for growing relatively thick (50–100 μm) compositionally graded AlxGa1–xAs layers. The theoretical isotherms have been confirmed by experimental data. It has been shown that, to grow relatively thick (>50 μm) AlGaAs layers, it is reasonable to use Ga–Bi mixed melts containing no more than 20 at % bismuth.

作者简介

V. Khvostikov

Ioffe Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
194021, St. Petersburg, Russia

O. Khvostikova

Ioffe Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
194021, St. Petersburg, Russia

N. Potapovich

Ioffe Institute

Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
194021, St. Petersburg, Russia

A. Vlasov

Ioffe Institute

编辑信件的主要联系方式.
Email: vlkhv@scell.ioffe.ru
194021, St. Petersburg, Russia

参考

  1. Хвостиков В.П., Покровский П.В., Хвостикова О.А., Паньчак А.Н., Андреев В.М. Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения // ПЖТФ. 2018. Т. 44. № 17. С. 42–48. https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.17.46569.17400
  2. Panchak A., Khvostikov V., Pokrovskiy P. AlGaAs Gradient Waveguides for Vertical p/n Junction GaAs Laser Power Converters // Opt. Laser Technol. 2021. V. 136. P. 106735. https://doi.org/10.1016/j.optlastec.2020.106735
  3. Khvostikov V.P., Vlasov A.S., Pokrovskiy P.V., Khvostikova O.A., Panchak A.N., Marukhina E.P., Kalyuzhnyy N.A., Andreev V.M. Characterization of Ultra High Power Laser Beam PV Converters // AIP Conf. Proc. Morocco. 2019. V. 2149. P. 080003. https://doi.org/10.1063/1.5124213
  4. Khvostikov V.P., Panchak A.N., Khvostikova O.A., Pokrovskiy P.V. Side-Input GaAs Laser Power Converters with Gradient AlGaAs Waveguide // IEEE Electron Device Lett. 2022. V. 43. P. 1717–1719. https://doi.org/10.1109/LED.2022.3202987
  5. Zinovchuk V., Malyutenko O., Malyutenko V., Podoltsev A., Vilisov A. The Effect of Current Crowding on the Heat and Light Pattern in High-Power AlGaAs Light Emitting Diodes // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. P. 033115. https://doi.org/10.1063/1.2968220
  6. Kitabayashi H., Ishihara K., Kawabata Y., Matsubara H., Miyahara K., Morishita T., Tanaka S. Development of Super High Brightness Infrared LEDs // SEI Tech. Rev. 2011. V. 72. P. 86–89.
  7. Zhao X., Montgomery K., Woodall J. Hall Effect Studies of AlGaAs Grown by Liquid-Phase Epitaxy for Tandem Solar Cell Applications // J. Electron. Mater. 2014. V. 43. № 11. P. 3999–4002. https://doi.org/10.1007/s11664-014-3340-x
  8. Якушева Н.А., Журавлев К.С., Шегай О.А. Об “очистке” арсенида галлия висмутом // ФТП. 1988. Т. 22. № 11. С. 2083–2086.
  9. Yakusheva N.A., Zhuravlev K.S., Chikichev S.I., Shegay O.A. Liquid Phase Epitaxial Growth of Undoped Gallium Arsenide from Bismuth and Gallium Melts // Cryst. Res. Technol. 1989. V. 24. № 2. P. 235–246. https://doi.org/10.1002/crat.2170240221.
  10. Бирюлин Ю.Ф., Воробьева В.В., Голубев В.Г. и др. Механизм “очистки” арсенида галлия висмутом // ФТП. 1987. Т. 21. № 12. С. 2201–2208.
  11. Saravanan S., Jeganathan K., Baskar K. et al. High Quality GaAs Epitaxial Layers Grown from Ga–As–Bi Solutions by Liquid Phase Epitaxy // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. № 6A. P. 3385–3388. https://doi.org/10.1143/JJAP.36.3385
  12. Антощенко В.С., Лаврищев Ю.В., Францев Ю.В., Антощенко Е.В. Расчет фазовой диаграммы системы Bi–Ga–Al–As // Вестн. КазНУ. Сер. физ. 2012. Т. 41. № 2. С. 8–13.
  13. Антощенко В.С., Францев Ю.В., Лаврищев Ю.В., Антощенко Е.В. Изучение фазового равновесия в пятикомпонентной системе Sn–Bi–Al–Ga–As // Вестник КазНУ. Сер. физ. 2013. Т. 44. № 1. С. 11–17.
  14. Panish M.B. Phase Equilibria in the System Al–Ga–As–Sn and Electrical Properties of Sn-Doped Liquid Phase Epitaxial AlxGa1–xAs // J. Appl. Phys. 1973. V. 44. P. 2667–2675. https://doi.org/10.1063/1.1662631
  15. Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. Т. 2. Глава 6. М.: Мир, 1981. С. 88–108.
  16. Jourdan A.S. Calculation of Phase Equilibria in the Ga-Bi and Ga-P-Bi Systems Based on a Theory of Regular Associated Solutions // Metall. Trans. B. 1976. V. 7. P. 191–201. https://doi.org/10.1007/BF02654917
  17. Hurle D.T.J. A Thermodynamic Analysis of Native Point Defect and Dopant Solubilities in Zinc-Blende III–V Semiconductors // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. P. 121301. https://doi.org/10.1063/1.3386412
  18. Khvostikov V., Khvostikova O., Potapovich N., Vlasov A., Salii R. Estimation of Interaction Parameters in the Al–Ga–As–Sn–Bi System // Heliyon. 2023. V. 9. P. e18063. https://doi.org/10.1016/j.heliyon.2023.e18063
  19. Safarian J., Kolbeinsen L., Tangstad M. Liquidus of Silicon Binary Systems // Metall. Mater. Trans. B. 2011. V. 42. P. 852–874. https://doi.org/10.1007/s11663-011-9507-4
  20. Акчурин Р.Х., Ле Динь Као, Нишанов Д.Н., Фистуль В.И. Гетерогенные равновесия в квазибинарной системе Bi–GaAs // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1986. Т. 22. № 1. С. 9–12.
  21. Milanova M., Terziyska P. Low-Temperature Liquid-Phase Epitaxy Growth from Ga–As–Bi Solution // Thin Solid Films. 2006. V. 500. P. 15–18. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.10.049
  22. Panek M., Paszkiewicz R., Tlaczala M. et al. Liquid Phase Epitaxy (LPE) of GaAs from the Ga-Bi Solutions // Proc. SPIE. Optoelectron. Integrated Circuit Mater., Phys., Devices. 1995. V. 2397. P. 661–665. https://doi.org/10.1117/12.206913

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载
2.

下载 (136KB)
索引源数据
3.

下载 (194KB)
索引源数据
4.

下载 (116KB)
索引源数据
5.

下载 (31KB)
索引源数据

版权所有 © В.П. Хвостиков, О.А. Хвостикова, Н.С. Потапович, А.С. Власов, 2023

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».