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Technical Physics Letters
ISSN 1063-7850 (Print) ISSN 1090-6533 (Online)
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作者的详细信息

Ganin, Yu. V.

期 栏目 标题 文件
卷 45, 编号 11 (2019) Article The Effect of the Doping Level of Starting Silicon Single Crystals on Structural Parameters of Porous Silicon Produced by Electrochemical Etching
 

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