Influence of the Rotation Frequency of a Disk Substrate Holder on the Crystal Structure Characteristics of MOCVD-Grown GaAs Layers

P. B. Boldyrevskii; D. O. Filatov; I. A. Kazantseva; M. V. Revin; D. S. Smotrin; P. A. Yunin

doi:10.1134/S1063784218020068

Influence of the Rotation Frequency of a Disk Substrate Holder on the Crystal Structure Characteristics of MOCVD-Grown GaAs Layers

Авторлар: Boldyrevskii P.B.¹, Filatov D.O.¹, Kazantseva I.A.¹, Revin M.V.¹, Smotrin D.S.¹, Yunin P.A.²
Мекемелер:
1. Lobachevsky State University
2. Institute for Physics of Microstructures
Шығарылым: Том 63, № 2 (2018)
Беттер: 211-215
Бөлім: Physical Science of Materials
URL: https://bakhtiniada.ru/1063-7842/article/view/200703
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784218020068
ID: 200703

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The influence of the rotation frequency of a disk substrate holder on the growth mechanism and crystal structure characteristics of MOCVD-grown GaAs layers has been studied. In the frequency range of 0–400 rpm, variations have been observed in the growth mechanism and rate, as well as of crystal perfection.