Мақаланы E-mail арқылы жіберу Temperature dependence of the hall coefficient in the Вi1–xSbx System (x = 0.06, 0.12)
- Авторлар: Tairov B.A.1, Gasanova X.A.1, Selim-zade R.I.1
-
Мекемелер:
- Abdullaev Institute of Physics
- Шығарылым: Том 50, № 8 (2016)
- Беттер: 996-1000
- Бөлім: Electronic Properties of Semiconductors
- URL: https://bakhtiniada.ru/1063-7826/article/view/197544
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616080248
- ID: 197544
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Тек жазылушылар үшін
Аннотация
The temperature dependences of the Fermi level, concentrations of charge carriers, and their effective mass ratio in the Bi1–xSbx system (x = 0.06, 0.12) are determined on the basis of quantitative analysis of the temperature dependence of the Hall coefficient in the temperature range of 77–300 K.
Авторлар туралы
B. Tairov
Abdullaev Institute of Physics
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: btairov@physics.ab.az
Әзірбайжан, Baku, Az-1143
X. Gasanova
Abdullaev Institute of Physics
Email: btairov@physics.ab.az
Әзірбайжан, Baku, Az-1143
R. Selim-zade
Abdullaev Institute of Physics
Email: btairov@physics.ab.az
Әзірбайжан, Baku, Az-1143
Қосымша файлдар
