English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
Беттің Тақырыбы
Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print) ISSN 1090-6479 (Online)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Барлық журналдар
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • авторлар
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер GaAs GaAs Substrate GaN Gallium Nitride Sapphire Substrate Versus Characteristic annealing carbon nanotubes doping exciton graphene heterostructure heterostructures luminescence molecular-beam epitaxy photoconductivity photoluminescence quantum dots quantum well silicon thin films
×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • авторлар
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер GaAs GaAs Substrate GaN Gallium Nitride Sapphire Substrate Versus Characteristic annealing carbon nanotubes doping exciton graphene heterostructure heterostructures luminescence molecular-beam epitaxy photoconductivity photoluminescence quantum dots quantum well silicon thin films
Бастапқы > Іздеу > Автор туралы ақпарат

Автор туралы ақпарат

Khudyakov, Yu. Yu.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 51, № 8 (2017) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial GaxIn1–xP alloys on their structural and morphological properties
Том 51, № 9 (2017) Electronic Properties of Semiconductors Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial GaxIn1 – xP alloys on their optical properties
Том 52, № 8 (2018) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena Effect of Misorientation and Preliminary Etching of the Substrate on the Structural and Optical Properties of Integrated GaAs/Si(100) Heterostructures Produced by Vapor Phase Epitaxy
Том 52, № 13 (2018) Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion) Effect of a por-Si Buffer Layer on the Structure and Morphology of Epitaxial InxGa1 – xN/Si(111) Heterostructures
 

JOURNALS

Journals list

Search articles

LEGAL INFORMATION

Privacy Policy

User agreement

 

RCSI CONTATCS

phone: +7 (499) 941-01-15

address: Leninsky Prospekt 32a
Moscow, 119334

E-mail: info@rcsi.science

Technical support

E-mail: journals_support@rcsi.science 

PLATFORM POWERED BY

RUSSIAN CENTRE
FOR SCIENTIFIC INFORMATION

TOP