Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print)
ISSN 1090-6479 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Ретракцияланған мақалалар
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
GaAs
GaAs Substrate
GaN
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Versus Characteristic
annealing
carbon nanotubes
doping
exciton
graphene
heterostructure
heterostructures
luminescence
molecular-beam epitaxy
photoconductivity
photoluminescence
quantum dots
quantum well
silicon
thin films
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Timoshina, N. Kh.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 50, № 7 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
On current spreading in solar cells: a two-parameter tube model
Том 50, № 9 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures
Том 50, № 10 (2016)
Physics of Semiconductor Devices
GaSb laser-power (λ = 1550 nm) converters: Fabrication method and characteristics
Том 51, № 1 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Optimization of structural and growth parameters of metamorphic InGaAs photovoltaic converters grown by MOCVD
Том 51, № 5 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Laser (λ = 809 nm) power converter based on GaAs
Том 51, № 5 (2017)
Physics of Semiconductor Devices
Formation of a
p
-type emitter with the involvement of surfactants in GaAs photoelectric converters
Том 52, № 3 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
Modification of Photovoltaic Laser-Power (λ = 808 nm) Converters Grown by LPE
Том 52, № 13 (2018)
Physics of Semiconductor Devices
GaInAsP/InP-Based Laser Power Converters (λ = 1064 nm)
TOP