English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
Беттің Тақырыбы
Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print) ISSN 1090-6479 (Online)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Барлық журналдар
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер GaAs GaAs Substrate GaN Gallium Nitride Sapphire Substrate Versus Characteristic annealing carbon nanotubes doping exciton graphene heterostructure heterostructures luminescence molecular-beam epitaxy photoconductivity photoluminescence quantum dots quantum well silicon thin films
×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер GaAs GaAs Substrate GaN Gallium Nitride Sapphire Substrate Versus Characteristic annealing carbon nanotubes doping exciton graphene heterostructure heterostructures luminescence molecular-beam epitaxy photoconductivity photoluminescence quantum dots quantum well silicon thin films
Бастапқы > Іздеу > Автор туралы ақпарат

Автор туралы ақпарат

Timoshina, N. Kh.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 50, № 7 (2016) Physics of Semiconductor Devices On current spreading in solar cells: a two-parameter tube model
Том 50, № 9 (2016) Physics of Semiconductor Devices Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures
Том 50, № 10 (2016) Physics of Semiconductor Devices GaSb laser-power (λ = 1550 nm) converters: Fabrication method and characteristics
Том 51, № 1 (2017) Physics of Semiconductor Devices Optimization of structural and growth parameters of metamorphic InGaAs photovoltaic converters grown by MOCVD
Том 51, № 5 (2017) Physics of Semiconductor Devices Laser (λ = 809 nm) power converter based on GaAs
Том 51, № 5 (2017) Physics of Semiconductor Devices Formation of a p-type emitter with the involvement of surfactants in GaAs photoelectric converters
Том 52, № 3 (2018) Physics of Semiconductor Devices Modification of Photovoltaic Laser-Power (λ = 808 nm) Converters Grown by LPE
Том 52, № 13 (2018) Physics of Semiconductor Devices GaInAsP/InP-Based Laser Power Converters (λ = 1064 nm)
 

JOURNALS

Journals list

Search articles

LEGAL INFORMATION

Privacy Policy

User agreement

 

RCSI CONTATCS

phone: +7 (499) 941-01-15

address: Leninsky Prospekt 32a
Moscow, 119334

E-mail: info@rcsi.science

Technical support

E-mail: journals_support@rcsi.science 

PLATFORM POWERED BY

RUSSIAN CENTRE
FOR SCIENTIFIC INFORMATION

TOP