Информация об авторе

Maximov, M. V.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 50, № 3 (2016) Physics of Semiconductor Devices Microdisk Injection Lasers for the 1.27-μm Spectral Range
Том 50, № 5 (2016) Physics of Semiconductor Devices Multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers operating in the terahertz frequency range
Том 50, № 9 (2016) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena Optical properties of hybrid quantum-confined structures with high absorbance
Том 50, № 10 (2016) Physics of Semiconductor Devices Theory of the power characteristics of quantum-well lasers with asymmetric barrier layers: Inclusion of asymmetry in electron- and hole-state filling
Том 50, № 10 (2016) Physics of Semiconductor Devices Laser characteristics of an injection microdisk with quantum dots and its free-space outcoupling efficiency
Том 51, № 2 (2017) Physics of Semiconductor Devices Specific features of waveguide recombination in laser structures with asymmetric barrier layers
Том 51, № 2 (2017) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Study of the structural and optical properties of GaP(N) layers synthesized by molecular-beam epitaxy on Si(100) 4° substrates
Том 51, № 3 (2017) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena Optical properties of hybrid quantum-well–dots nanostructures grown by MOCVD
Том 51, № 5 (2017) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures InAs QDs in a metamorphic In0.25Ga0.75As matrix, grown by MOCVD
Том 51, № 10 (2017) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena On the high characteristic temperature of an InAs/GaAs/InGaAsP QD laser with an emission wavelength of ~1.5 μm on an InP substrate
Том 52, № 1 (2018) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena Bimodality in Arrays of In0.4Ga0.6As Hybrid Quantum-Confined Heterostructures Grown on GaAs Substrates
Том 52, № 2 (2018) Physics of Semiconductor Devices Suppression of Recombination in the Waveguide of a Laser Heterostructure by Means of Double Asymmetric Barriers
Том 52, № 10 (2018) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena Multilayer Quantum Well–Dot InGaAs Heterostructures in GaAs-based Photovoltaic Converters
Том 52, № 10 (2018) Physics of Semiconductor Devices Effect of Epitaxial-Structure Design and Growth Parameters on the Characteristics of Metamorphic Lasers of the 1.46-μm Optical Range Based on Quantum Dots Grown on GaAs Substrates
Том 52, № 11 (2018) Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018 Reduction of Internal Loss and Thermal Resistance in Diode Lasers with Coupled Waveguides
Том 52, № 12 (2018) Physics of Semiconductor Devices Violation of Local Electroneutrality in the Quantum Well of a Semiconductor Laser with Asymmetric Barrier Layers
Том 52, № 14 (2018) Lasers and Optoelectronic Devices Diode Lasers with Near-Surface Active Region
Том 52, № 14 (2018) Lasers and Optoelectronic Devices A Search for Asymmetric Barrier Layers for 1550 nm Al-Free Diode Lasers
Том 53, № 2 (2019) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena Lateral Mode Discrimination in Edge-Emitting Lasers with Spatially Modulated Facet Reflectance
Том 53, № 8 (2019) Physics of Semiconductor Devices Evaluation of the Impact of Surface Recombination in Microdisk Lasers by Means of High-Frequency Modulation
Том 53, № 10 (2019) Physics of Semiconductor Devices Semiconductor Laser Quasi-Array with Phase-Locked Single-Mode Emitting Channels
Том 53, № 11 (2019) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena Time-Resolved Photoluminescence of InGaAs Nanostructures Different in Quantum Dimensionality
Том 53, № 12 (2019) Physics of Semiconductor Devices InGaAlP/GaAs Injection Lasers of the Orange Optical Range (~600 nm)
Том 53, № 14 (2019) Lasers and Optoelectronic Devices Spontaneous Emission in the Anti-Waveguiding VCSEL
Том 53, № 14 (2019) Lasers and Optoelectronic Devices Whispering Gallery Modes and Spontaneous Emission in Compact VCSEL Structures
Том 53, № 14 (2019) Lasers and Optoelectronic Devices Record Low Threshold Current Density in Quantum Dot Microdisk Laser

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».