English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
Беттің Тақырыбы
Semiconductors
ISSN 1063-7826 (Print) ISSN 1090-6479 (Online)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Барлық журналдар
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер GaAs GaAs Substrate GaN Gallium Nitride Sapphire Substrate Versus Characteristic annealing carbon nanotubes doping exciton graphene heterostructure heterostructures luminescence molecular-beam epitaxy photoconductivity photoluminescence quantum dots quantum well silicon thin films
×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер GaAs GaAs Substrate GaN Gallium Nitride Sapphire Substrate Versus Characteristic annealing carbon nanotubes doping exciton graphene heterostructure heterostructures luminescence molecular-beam epitaxy photoconductivity photoluminescence quantum dots quantum well silicon thin films
Бастапқы > Іздеу > Автор туралы ақпарат

Автор туралы ақпарат

Tetelbaum, D. I.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 50, № 2 (2016) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride
Том 52, № 7 (2018) Spectroscopy, Interaction with Radiation Effect of Boron Impurity on the Light-Emitting Properties of Dislocation Structures Formed in Silicon by Si+ Ion Implantation
Том 52, № 9 (2018) Spectroscopy, Interaction with Radiation Calculation of the Influence of the Ion Current Density and Temperature on the Accumulation Kinetics of Point Defects under the Irradiation of Si with Light Ions
Том 52, № 12 (2018) Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018 Behavioral Features of MIS Memristors with a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate
Том 53, № 8 (2019) Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion) Diffusion and Interaction of In and As Implanted into SiO2 Films
 

JOURNALS

Journals list

Search articles

LEGAL INFORMATION

Privacy Policy

User agreement

 

RCSI CONTATCS

phone: +7 (499) 941-01-15

address: Leninsky Prospekt 32a
Moscow, 119334

E-mail: info@rcsi.science

Technical support

E-mail: journals_support@rcsi.science 

PLATFORM POWERED BY

RUSSIAN CENTRE
FOR SCIENTIFIC INFORMATION

TOP