Информация об авторе

Mizerov, A. M.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 52, № 5 (2018) XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, Russia, June 26–30, 2017. Nanostructure Technology Growth of GaN Layers on Si(111) Substrates by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
Том 52, № 12 (2018) Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018 Features of the Initial Stage of GaN Growth on Si(111) Substrates by Nitrogen-Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy
Том 52, № 13 (2018) Nonelectronic Properties of Semiconductors (Atomic Structure, Diffusion) Effect of a por-Si Buffer Layer on the Structure and Morphology of Epitaxial InxGa1 – xN/Si(111) Heterostructures
Том 52, № 16 (2018) 26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE TECHNOLOGY Processing of GaN/Si(111) Epitaxial Structures for MEMS Applications
Том 52, № 16 (2018) 26th INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY”. NANOSTRUCTURE TECHNOLOGY Heteroepitaxy of GaP Nucleation Layers on Si by Molecular Beam Epitaxy
Том 53, № 1 (2019) Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors Influence of a por-Si Buffer Layer on the Optical Properties of Epitaxial InxGa1 –xN/Si(111) Heterostructures with a Nanocolumnar Film Morphology
Том 53, № 2 (2019) Surfaces, Interfaces, and Thin Films Photoelectric Properties of GaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy on Si(111) Substrates and SiC/Si(111) Epitaxial Layers
Том 53, № 7 (2019) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Investigation into the Influence of a Buffer Layer of Nanoporous Silicon on the Atomic and Electronic Structure and Optical Properties of AIIIN/por-Si Heterostructures Grown by Plasma-Activated Molecular-Beam Epitaxy
Том 53, № 8 (2019) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Structural and Morphological Properties of Hybrid Heterostructures Based on GaN Grown on a Compliant por-Si(111) Substrate
Том 53, № 9 (2019) Xxiii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 11–14, 2019 On the Specific Features of the Plasma-Assisted MBE Synthesis of n+-GaN Layers on GaN/c-Al2O3 Templates
Том 53, № 12 (2019) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Metal-Assisted Photochemical Etching of N- and Ga-Polar GaN Epitaxial Layers
Том 53, № 14 (2019) Nanostructures Characterization Electronic Structure of SiN Layers on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».