Electronic Properties of Semiconductors

Выпуск Название Файл
Том 51, № 3 (2017) Atomic configuration and charge state of hydrogen at dislocations in silicon PDF
(Eng)
Vysotskii N., Loshachenko A., Vyvenko O.
Том 51, № 3 (2017) Effect of the energy of bombarding electrons on the conductivity of n-4H-SiC (CVD) epitaxial layers PDF
(Eng)
Kozlovski V., Lebedev A., Strel’chuk A., Davidovskaya K., Vasil’ev A., Makarenko L.
Том 51, № 2 (2017) Magnetic-field-dependent microwave absorption in HgSe in weak magnetic fields PDF
(Eng)
Veinger A., Tisnek T., Kochman I., Okulov V.
Том 51, № 2 (2017) Features of the band structure and conduction mechanisms of n-HfNiSn heavily doped with Y PDF
(Eng)
Romaka V., Rogl P., Romaka V., Kaczorowski D., Krayovskyy V., Stadnyk Y., Horyn A.
Том 51, № 2 (2017) Electrical properties and transport mechanisms in phase change memory thin films of quasi-binary-line GeTe–Sb2Te3 chalcogenide semiconductors PDF
(Eng)
Sherchenkov A., Kozyukhin S., Lazarenko P., Babich A., Bogoslovskiy N., Sagunova I., Redichev E.
Том 51, № 2 (2017) On the thermopower and thermomagnetic properties of ErxSn1–xSe solid solutions PDF
(Eng)
Huseynov J., Murguzov M., Ismayilov S., Mamedova R., Gojayev E.
Том 51, № 2 (2017) Field diffusion in disordered organic materials under conditions of occupied deep states PDF
(Eng)
Nikitenko V., Kudrov A.
Том 51, № 1 (2017) Investigations of CuFeS2 semiconductor mineral from ocean rift hydrothermal vent fields by Cu NMR in a local field PDF
(Eng)
Matukhin V., Pogoreltsev A., Gavrilenko A., Garkavyi S., Shmidt E., Babaeva S., Sukhanova A., Terukov E.
Том 51, № 1 (2017) Ballistic magnetotransport in a suspended two-dimensional electron gas with periodic antidot lattices PDF
(Eng)
Zhdanov E., Pogosov A., Budantsev M., Pokhabov D., Bakarov A.
Том 51, № 1 (2017) Two-tone nonlinear electrostatic waves in the quantum electron–hole plasma of semiconductors PDF
(Eng)
Dubinov A., Kitayev I.
Том 51, № 1 (2017) Lifetime of excess electrons in Cu–Zn–Sn–Se powders PDF
(Eng)
Novikov G., Gapanovich M., Gremenok V., Bocharov K., Tsai W., Jeng M., Chang L.
Том 50, № 10 (2016) Energy spectrum of charge carriers in TlIn1–xYbxTe2 solid solutions PDF
(Eng)
Aliev F., Agaeva U., Zarbaliev M.
Том 50, № 10 (2016) First-principles calculations of the electronic and structural properties of GaSb PDF
(Eng)
Castaño-González E., Seña N., Mendoza-Estrada V., González-Hernández R., Dussan A., Mesa F.
Том 50, № 10 (2016) Study of the effect of doping on the temperature stability of the optical properties of germanium single crystals PDF
(Eng)
Podkopaev O., Shimanskiy A., Kopytkova S., Filatov R., Golubovskaya N.
Том 50, № 10 (2016) Some challenging points in the identification of defects in floating-zone n-type silicon irradiated with 8 and 15 MeV protons PDF
(Eng)
Emtsev V., Abrosimov N., Kozlovskii V., Oganesyan G., Poloskin D.
Том 50, № 10 (2016) Room-temperature operation of quantum cascade lasers at a wavelength of 5.8 μm PDF
(Eng)
Novikov I., Karachinsky L., Egorov A., Babichev A., Bousseksou A., Pikhtin N., Tarasov I., Nikitina E., Sofronov A., Firsov D., Vorobjev L.
Том 50, № 9 (2016) Low-temperature conductivity of gadolinium sulfides PDF
(Eng)
Mustafaeva S., Asadov S.
Том 50, № 9 (2016) Electrical parameters of polycrystalline Sm1–xEuxS rare-earth semiconductors PDF
(Eng)
Kaminskii V., Kazanin M., Romanova M., Kamenskaya G., Sharenkova N.
Том 50, № 9 (2016) Temperature dependence of the band gap of the single-crystal compounds In2S3 and AgIn5S8 PDF
(Eng)
Bodnar I.
Том 50, № 8 (2016) Temperature dependence of the hall coefficient in the Вi1–xSbx System (x = 0.06, 0.12) PDF
(Eng)
Tairov B., Gasanova X., Selim-zade R.
Том 50, № 7 (2016) Features of conductivity mechanisms in heavily doped compensated V1–xTixFeSb Semiconductor PDF
(Eng)
Romaka V., Rogl P., Romaka V., Kaczorowski D., Stadnyk Y., Krayovskyy V., Horyn A.
Том 50, № 7 (2016) Effect of thallium doping on the mobility of electrons in Bi2Se3 and holes in Sb2Te3 PDF
(Eng)
Kudryashov A., Kytin V., Lunin R., Kulbachinskii V., Banerjee A.
Том 50, № 7 (2016) Electron exchange between tin impurity U– centers in PbSzSe1–z alloys PDF
(Eng)
Marchenko A., Terukov E., Seregin P., Rasnjuk A., Kiselev V.
Том 50, № 7 (2016) Field dependence of the electron drift velocity along the hexagonal axis of 4H-SiC PDF
(Eng)
Ivanov P., Potapov A., Samsonova T., Grekhov I.
Том 50, № 6 (2016) Summary of the 12th Russian Conference on Semiconductor Physics (Ershovo, Zvenigorod, Moscow, September 20–25, 2015) PDF
(Eng)
Khokhlov D.
76 - 100 из 123 результатов << < 1 2 3 4 5 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».