Properties of Interface Structures Based on Oxidized Lead Selenide

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

In this work, single-phase monocrystalline and thin-film samples of lead selenide were synthesized. Methods have been developed for the creation of surface oxidized lead selenide with a conductivity different from the base PbSe. Using oxidized lead selenide as an interface, Ag/Pb3OSeO3/PbSe heterostructures were made, demonstrating stable memristive characteristics. The obtained heterojunctions were investigated for the detection of resistive switching, the volt-ampere characteristics and the temperature dependence of the resistance of the structures were measured. By changing the external parameters: frequency, magnitude of the electric field voltage applied to the heterocontact, different metastable states are realized. Dynamic effects were studied, and the transition times from one metastable state to another were determined. Single crystal-based memristors were more stable than film structures, reproducible characteristics in single crystal-based memristors were observed for several months.

Авторлар туралы

N. Tulina

Osippan Institute of Solid State Physics RAS

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: tulina@issp.ac.ru
Chernogolovka, Russia

A. Rossolenko

Osippan Institute of Solid State Physics RAS

Email: tulina@issp.ac.ru
Chernogolovka, Russia

I. Shmytko

Osippan Institute of Solid State Physics RAS

Email: tulina@issp.ac.ru
Chernogolovka, Russia

I. Borisenko

Institute of Problems of Microelectronics Technology and Especially Pure Materials RAS

Email: tulina@issp.ac.ru
Chernogolovka, Russia

D. Borisenko

Osippan Institute of Solid State Physics RAS

Email: tulina@issp.ac.ru
Chernogolovka, Russia

N. Kolesnikov

Osippan Institute of Solid State Physics RAS

Email: tulina@issp.ac.ru
Chernogolovka, Russia

Әдебиет тізімі

  1. Klie R.F., Buban J.P., Valera M., Franceschetti A., Jooss C., Zhu Y. // Nature. 2005. V. 435. P. 475. https://doi.org/10.1038/ncomms4404
  2. Straumal B.B., Protasova S.G., Mazilkin A.A., Goerin E., Schütz G., Straumal P.B. and Baretzky B. // Beilstein J. Nanotechnol. 2016. V. 7. P. 1936. https://doi.org/10.3762/bjnano.7.185
  3. Hassan A.M., Khalaf A.F., Sayed Kh.S., Li H.H., Chen Y. // IEEE Trans. Nanotechnol. 2016. V. 15. P. 484. https://doi.org/10.1109/EMBC.2018.8512868
  4. Straumal B.B., Mazilkin A.A., Protasova S.G., Stakhanova S.V., Straumal P.B., Bulatov M.F., Tietze Th., Goering E., Baretzky B. // Rev. Adv.Mater. Sci. 2015. V. 93. Iss. 10–12. P. 41. https://doi.org/10.1080/14786435.2012.736693
  5. Panin G.N. // Electronics. 2022. V. 11. P. 619. https://doi.org/10.3390/electronics11040619
  6. Wang W., Panin G.N., Fu X., Zhang L., Ilanchezhiyan P., Pelenovich V.O., Fu D., Kang T.W. // Sci. Rep. 2016. V. 6. P. 31224. https://doi.org/10.1038/srep31224
  7. Fu X., Zhang L., Cho H.D., Kang T.W., Fu D., Lee D., Lee S.W., Li L., T. Qi Q., Chan A.S., Yunusov Z.A., Panin G.N. // Small. 2019. V. 15. Iss. 45. P. 1903809. https://doi.org/10.1002/smll.201903809
  8. Fu X., Li T., Cai B., Miao J., Panin G.N., Ma X., Wang J., Jiang X., Li Q., Dong Y., Hao Ch., Sun J., Xu H., Zhao Q., Xia M., Song B., Chen F., Chen X., Lu W., Hu W. // Light Sci. Appl. 2023. V. 12. P. 39. https://doi.org/10.1038/s41377-023-01079-5
  9. Yin J., Tan Zh., Hong H., Jinxiong Wu, Hongtao Yuan, Liu Y., Chen Ch., Tan C., Yao F., Li T., Chen Y., Liu Zh., Liu K., Peng H. // Nature Comm. 2018. V. 9. P. 3311. https://doi.org/10.1038/s41467-018-05874-2
  10. Равич Ю.Н., Ефимова Б.А., Смирнов Н.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS. М.: Наука, 1968. 383 с.
  11. Kasivan V., Dashevsky Z., Schwarz C.M., Flitsiyan E., Chernyak L., Khokhlov D. // JAP. 2012. V. 112. P. 086101. https://doi.org/10.1063/1.4759011
  12. Зимин С.П., Амиров И.Н., Наумов В.В. // ФГП. 2016. Т. 50. С. 1146. https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.12.46288.17277
  13. Sun X., Gao K., Pang X., Yang H., Volinsky A.A. // Thin Solid Films. 2015. V. 592. P. 59. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2015.09.009
  14. Peng H., Song J.-H., Kanatzidis M.G., Freeman A.J. // Phys. Rev. B. 2011. V. 84. P. 125207. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.125207
  15. Поповкин Е.А., Симонов Ю.П. // Журнал неорганической химии. 1965. Т. 10. С. 1636.
  16. Sheldrick G.M. // Structural Chemistry. 2015. V. 71. P. 3. https://doi.org/10.1107/S2053229644024218
  17. Wang Ch., Wu H., Gao B., Zhang T., Yang Y., Wang H.Q. // Microelectronic Engineering. 2017. V. 187–188. P. 121. https://doi.org/10.1016/j.mec.2017.11.003
  18. Zahoor F., Zulkifit T.Z.A., Khanday F.A. // Nanoscale Res. Lett. 2020. V. 15. P. 90. https://doi.org/10.1186/s11671-020-03299-9
  19. Szot K., Speier W., Bihlmayer G., Waser R. // Nat. Mater. 2006. V. 5. P. 312.
  20. Wase R., Ditmann R., Statkov G., Szot K. // Adv. Mater 2009. V. 21. 2632. https://doi.org/10.1002/adma.200900375
  21. Yang J.J., Pickett M.D., Li X., Ohlberg D.A., Stewart D.R., Williams R.S. // Nat. Nanotechnol. 2008. V. 3. P. 429. https://doi.org/10.1038/nnano.2008.160
  22. Marchewka A., Waser R., Menze S. // International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2015. P. 297.
  23. Tulina N.A., Ivanov A.A. // J. Supercond. Novel Magn. 2020. V. 33. P. 2279. https://www.doi.org/10.1007/s10948-019-05383-3
  24. Tulina N.A., Borisenko I.Yu., Siroikin V.V. // SSC. 2013. V. 17. P. 48. https://www.doi.org/10.17073/1609-3577-2019-4-246-252

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».