Preparation of Experiments on Growing Zinc–Cadmium Telluride Crystals in Microgravity

Cover Page

Cite item

Full Text

Abstract

Cd1-xZnxTe crystals are necessary for the production of ionizing radiation detectors widely used in science, technology, medicine and other fields. Internal stresses during crystallization lead to generation of dislocations and low-angle boundaries. Typical problem of melt crystal growth of Cd-Zn-Te compounds are tellurium inclusions, which deteriorate detector performance. Microgravity conditions provide unique opportunities for growing high-quality crystals due to the absence of convection, more equilibrium conditions of melt mixing, and a decrease in internal stresses. Since the properties of such crystals strongly depend on the production conditions, seeds and a feed ingot with specified compositions and structure are required. Ampoules with two compositions of materials have been prepared for the space experiment. Crystals of different compositions Cd0.96Zn0.04Te and Cd0.9Zn0.1Te were produced for two charges. They consist of an oriented seed, solvent, and feeding ingot, which are single-phased, single crystalline, have certain crystallographic orientation, meet demands for growth of Cd–Zn–Te crystals in microgravity. Ampoules containing these materials were sent to International Space Station for crystal growth on equipment already assembled at “Nauka” station.

Full Text

ВВЕДЕНИЕ

Кристаллы теллурида цинка-кадмия (CZT) с содержанием до 10% цинка в твердом растворе на сегодняшний день являются одним из ключевых материалов для изготовления детекторов ионизирующего излучения. Атомы теллура Te и кадмия Cd имеют высокие атомные номера, что обусловливает большую эффективность торможения гамма-, альфа- и рентгеновского излучения. Это позволяет использовать меньшие объемы материала при создании рентгеновских детекторов по сравнению с другими популярными полупроводниками. Большая ширина запрещенной зоны полупроводников типа AIIBVI позволяет детекторам из этих материалов работать при сравнительно высоких температурах, а CZT некоторых составов можно использовать в качестве детекторов даже без охлаждения, при комнатной температуре [1–7]. Также для них характерно высокое пропускание в инфракрасном диапазоне спектра излучения (0.8–25 мкм). В связи с этим CZT является перспективным материалом для инфракрасной оптики и электрооптики. Кроме того, кристаллы CZT используют в качестве подложек для эпитаксиального наращивания слоев Cd1–хHgхTe, применяемых в качестве инфракрасных детекторов [7–12]. Кристаллы CZT являются более предпочтительным материалом в качестве подложки по сравнению с Si, Ge и GaAs из-за химической совместимости и возможности эпитаксиального согласования решеток [13–15]. В последнее время ведутся разработки технологий роста этих кристаллов из расплава. При всех методах роста неизбежны массовые потери, возможно нарушение стехиометрии за счет разности давлений паров компонентов, образование включений фаз из компонентов при кристаллизации и наличие остаточных примесей. Предпосылки для исследований в космических условиях состоят в том, что создание CZT при микрогравитации приводит к более однородному составу кристаллов, удельное электросопротивление материала CZT увеличивается вдвое, снижается концентрация включений теллура, и в 3–4 раза уменьшается их средний размер [16].

МЕТОДИКА

Для первой серии экспериментов подготовлены ампулы с образцами двух составов Cd0.96Zn0.04Te и Cd0.9Zn0.1Te, состоящие из ориентированной затравки, растворителя и питающего слитка. Исходные кристаллы для загрузки (питающего слитка) были выращены из предварительно синтезированного сырья методом вертикальной зонной плавки под давлением аргона по методике, разработанной в ИФТТ РАН [17].

Состав загрузок контролировали методом рентгенофазового анализа с помощью рентгеновского дифрактометра Siemens D-500 BRAUN (излучение CuKα), рентгеноспектрального анализа с помощью энергодисперсионного спектрометра INCA Energy 450. Также для контроля состава была проведена съемка спектров пропускания в видимом диапазоне на спектрофотометре Agilent Cary 5000 высокого разрешения. Оптическая спектроскопия также была использована для вычисления ширины запрещенной зоны, определенной при комнатной температуре. Структурный анализ выращенных кристаллов выполнен параллельно плоскости затравки на установке УРС-2. С помощью световой микроскопии определены плотности дислокаций, малоугловых границ и включений второй фазы, выявленных методом селективного травления. Для избирательного химического травления применяли раствор 10% Br в метаноле. Использовали микроскопы Neophot-2 и Meiji MT9930.

ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ И ВЫВОДЫ

Для синтеза исходных материалов использовали Cd, Zn и Te высокой чистоты (99.9999%). Исходные компоненты в соответствующих пропорциях смешивали и помещали в кварцевую ампулу, которую затем откачивали до остаточного давления 0.13 Па. Запаянные ампулы помещали в горизонтальную трубчатую печь при комнатной температуре и выводили в режим синтеза следующим образом: до температуры плавления теллура (~450°С) скорость нагрева была ~25°С/ч, затем скорость нагрева уменьшали до 10°С/ч; нагрев проводили до ~1110°С и выдерживали при этой температуре 24 ч. Затем проводили охлаждение до комнатной температуры со скоростью 20°С/ч. Из полученной шихты в графитовых тиглях методом вертикальной зонной плавки под давлением аргона 10 МПа со скоростью 5 мм/ч и градиентом температуры на фронте 30°С/см вытягивали монокристаллы, ориентированные вдоль <110>.

Из этих кристаллов готовили затравки, ориентированные по {110}. Пример лауэграммы показан на рис. 1. В качестве загрузки (питающего слитка) использовали кристаллические слитки CZT соответствующих составов. Растворитель c составами Te + (9 ± 1)%CdTe, Te + (10 ± 1)%CdTe предназначен для осуществления процесса роста кристалла методом движущейся зоны с избыточным содержанием теллура.

 

Рис. 1. Лауэграмма образца состава Cd0.96Zn0.04Te

 

Затравку, питающий слиток и растворитель помещали в ампулу с пироуглеродным покрытием внутренних стенок. Ампулы для выращивания кристаллов в космосе были разработаны в ИФТТ РАН [18]. Схема ампулы и общий вид с загрузкой показаны на рис. 2.

 

Рис. 2. Ампула для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации: а) – сборочный чертеж: 1 – ампула, 2 – затравка, 3 – зона растворителя, 4 – питающий слиток, 5 – вставка, 6 – пружина, 7 – наполнитель, 8 – пробка; б) – общий вид с загрузкой после сборки и герметизации

 

Для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации будет использован метод движущейся зоны растворителя. Он позволяет снизить температуру процесса до ~800°С по сравнению с методами выращивания из расплава. При таких температурах кристаллизации растворимость избыточного теллура в твердом CZT снижается, тем самым ограничивая образование выделений теллура в кристалле при его охлаждении [16]. Кроме того, снижение температуры кристаллизации позволяет избежать образования двойников, неизбежно возникающих при выращивании методом Бриджмена в процессе охлаждения и перехода из высокотемпературной фазы вюрцита в стабильный сфалерит [19, 20]. Поскольку метод включает растворение исходного материала и осаждение на границе роста, решена проблема сегрегации Zn. Таким образом, обеспечена однородность состава выращиваемого слитка в макро-масштабе, что приводит к получению продукции со значительно более низкой стоимостью. Кроме того, уменьшаются затраты энергии, что важно для оборудования, размещаемого на космических объектах.

Для выращивания в космических условиях в НИИ СК им. В.П. Бармина разработана автоматизированная установка МЭП-01 с возможностью последовательной загрузки нескольких ампул в печь.

Для контроля состава материалов, предназначенных для затравки, растворителя и питающего слитка было проведено исследование элементного и фазового состава. Из данных на рис. 3. видно, что кристалл представляет собой твердый раствор Zn в CdTe. Распределение элементов по оси роста показано на рис. 4. Также состав материалов контролировали оптически по ширине запрещенной зоны. Для этого была проведена съемка спектров пропускания образцов в видимом диапазоне (рис. 5). Ширина запрещенной зоны при комнатной температуре для образцов состава Cd0.96Zn0.04Te и Cd0.9Zn0.1Te составляет 1.53 и 1.57 эВ соответственно. Плотность дислокаций в среднем на уровне 103 см–2. Это существенно меньше обычного значения в этих кристаллах [21].

 

Рис. 3. Результаты рентгенофазового анализа образца состава Cd0.96Zn0.04Te

 

Рис. 4. Осевое распределение компонентов кристалла состава Cd0.9Zn0.1Te по данным рентгеноспектрального анализа

 

Рис. 5. Спектры пропускания образцов состава Cd0.9Zn0.1Te (а) и Cd0.96Zn0.04Te (б) в видимом диапазоне: резкое изменение пропускания происходит при длине волны излучения 790 и 817 нм соответственно

 

Таким образом, получены кристаллы для загрузок двух составов однофазные, монокристаллические, выбранной ориентации, с малой плотностью дислокаций, отвечающие необходимым требованиям для выращивания кристаллов CZT в условиях микрогравитации. Ампулы с материалами отправлены на МКС для выращивания в условиях микрогравитации на ростовом оборудовании, уже установленном в модуле “Наука”.

Конфликт интересов. Авторы заявляют, что у них нет конфликта интересов.

×

About the authors

А. S. Аzhgalieva

Osipyan Institute of Solid State Physics of the RAS

Author for correspondence.
Email: azhgalieva@issp.ac.ru
Russian Federation, Chernogolovka

Е. B. Borisenko

Osipyan Institute of Solid State Physics of the RAS

Email: borisenk@issp.ac.ru
Russian Federation, Chernogolovka

D. N. Borisenko

Osipyan Institute of Solid State Physics of the RAS

Email: azhgalieva@issp.ac.ru
Russian Federation, Chernogolovka

А. Е. Burmistrov

Research and Development Institute for Launch Complexes

Email: azhgalieva@issp.ac.ru
Russian Federation, Moscow

N. N. Кolesnikov

Osipyan Institute of Solid State Physics of the RAS

Email: azhgalieva@issp.ac.ru
Russian Federation, Chernogolovka

А. V. Тimonina

Osipyan Institute of Solid State Physics of the RAS

Email: azhgalieva@issp.ac.ru
Russian Federation, Chernogolovka

А. S. Senchenkov

Research and Development Institute for Launch Complexes

Email: azhgalieva@issp.ac.ru
Russian Federation, Moscow

Т. N. Fursova

Osipyan Institute of Solid State Physics of the RAS

Email: azhgalieva@issp.ac.ru
Russian Federation, Chernogolovka

О. F. Shakhlevich

Osipyan Institute of Solid State Physics of the RAS

Email: azhgalieva@issp.ac.ru
Russian Federation, Chernogolovka

References

  1. Xu Y.D., Jie W.Q., He Y.H., Guo R.R., Tao W.A.N.G., Zha G.Q. // Prog. Nat. Sci.: Mater. Int. 2011. V. 21. P. 66.
  2. Roy U.N., Camarda G.S., Cui Y., Gul R, Yang G., Zazvorka J., Dedic V., Franc J., James R.B. // Sci. Rep. 2019. V. 9. Р. 7303. https://www.doi.org/10.1038/s41598-019-43778-3
  3. Auricchio N., Marchini L., Caroli E., Cola A., Farella I., Donati A., Zappettini A. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2011. V. 58. Iss. 2. P. 552. https://www.doi.org/10.1109/TNS.2010.2103324
  4. Davydov L., Fochuk P., Zakharchenko A., Kutny V., Rybka A., Kovalenko N., Sulima S., Terzin I., Gerasimenko A., Kosmyna M., Sklyarchuk V., Kopach O., Panchuk O., Pudov A., Bolotnikov A.E., James R.B. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2015. V. 62. № 4. Р. 1779. https://www.doi.org/10.1109/TNS.2015.2448939
  5. Egarievwe S.U., Yang G., Egarievwe A.A., Okwechime I.O., Gray J., Hales Z.M., Hossain A., Camarda G.S., Bolotnikov A.E., James R.B. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 2015. V. 784. P. 51. https://www.doi.org/10.1016/j.nima.2015.02.006
  6. Schlesinger T.E., Brunett B., Yao H., Vanscyoc J.M., James R.B., Egarievwe S.U., Chattopadhyay K., Ma X.-Y., Burger A., Giles N., El-Hanany U., Shahar A., Tsigelman A. // J. Electronic Mater. 1999. V. 28. № 6. P. 864. https://www.doi.org/10.1007/s11664-999-0085-z
  7. Sordo S.D., Abbene L., Caroli E., Mancini A.M., Zappettini A., Ubertini P. // Sensors. 2009. V. 9 № 5. P. 3491. https://www.doi.org/10.3390/s90503491
  8. Roy U.N., Burger A., James R.B. // J. Crystal Growth. 2013. V. 379. P. 57. https://www.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.11.047
  9. Hawkins S.A., Villa-Aleman E., Duff M.C., Hunter D.B., Burger A., Groza M., Buliga V., Black D.R. // J. Electronic Mater. 2008. V. 37. № 9. P. 1438.
  10. Павлюк М.Д. Детекторные кристаллы на основе CdTe и Cd1-xZnxTe для прямого счета рентгеновских и гамма – квантов: Дисс. канд. физико-математических наук: 01.04.07. Москва: ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, 2020.153 с.
  11. Sato K., Seki Y., Matsuda Y., Oda O. // J. Crystal Growth. 1999. V. 197. № 3. P. 413. https://www.doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00739-8
  12. Verger L., Drezet A., Gros d’Aillon E., Mestais C., Monnet O., Montеmont G., Dierre F., Peyret O. New perspectives in gamma-ray imaging with CdZnTe/CdTe. // IEEE Symposium Conf. Record Nucl. Sci. 2005. 16–22 October 2004, Rome, Italy. https://www.doi.org/10.1109/NSSMIC.2004.1462721
  13. Пряникова Е.В., Мирофянченко А.Е., Смирнова Н.А, Силина А.А., Бурлаков И.Д., Гришечкин М.Б., Денисов И.А, Шматов Н.И. // Прикладная физика. 2016. № 2. С. 82.
  14. Triboulet R., Tromson-Carli A., Lorans D., Nguyen Duy T. // J. Electronic Mat. 1993. V. 22. № 8. P. 827. https://www.doi.org/10.1007/BF02817493
  15. Hew N., Spagnoli D., Faraone L. // ACS Appl. Electron. Mater. 2021. V. three. № 11. P. 5102. https://www.doi.org/10.1021/acsaelm.1c00835
  16. Borisenko E.B., Kolesnikov N.N., Senchenkov A.S., Fiederle M. // J. Crystal Growth. 2017. V. 457. P. 262. https://www.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.08.063
  17. Kolesnikov N.N., James R.B., Berzigiarova N.S., Kulakov M.P. HPVB and HPVZM growth of CdZnTe, CdSe, and ZnSe crystals. // X-ray and Gamma-ray Detectors and Applications IV. Proc. SPIE. San-Diego, December 2002. V. 4787. P. 93.
  18. Левченко А.А., Колесников Н.Н., Борисенко Д.Н. Ампула для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации: пат. на изобретение 2547758 РФ. № 2014105414/05; заявл. 13.02.14; опубл. 10.04.15, Бюл. № 10. 4 с.
  19. Weinstein M., Wolff G.A., Da B.N. // J. Appl. Phys. Lett. 1965. V. 6. № 4. P. 73. https://www.doi.org/10.1063/1.1754172
  20. Kulakov M.P., Balyakina V. // J. Сrystal Growth. 1991. V. 113. № 3–4, P. 653. https://www.doi.org/10.1016/0022-0248(91)90101-A
  21. Hossain A., Bolotnikov A.E., Camarda G.S., Cui Y, Yang G., James R.B. // J. Crystal Growth. 2008. V. 310. № 21. P. 4493. https://www.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.07.088

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
2. Fig. 1. Lauegram of the sample of composition Cd0.96Zn0.04Te

Download (214KB)
3. Fig. 2. Ampoule for crystal growth in microgravity: a) - assembly drawing: 1 - ampoule, 2 - inoculum, 3 - solvent zone, 4 - feed ingot, 5 - insert, 6 - spring, 7 - filler, 8 - stopper; b) - general view with loading after assembly and hermetic sealing

Download (454KB)
4. Fig. 3. Results of X-ray phase analysis of the sample of composition Cd0.96Zn0.04Te

Download (244KB)
5. Fig. 4. Axial distribution of components of Cd0.9Zn0.1Te crystal according to X-ray spectral analysis data

Download (162KB)
6. Fig. 5. Transmission spectra of the samples of composition Cd0.9Zn0.1Te (a) and Cd0.96Zn0.04Te (b) in the visible range: a sharp change in transmittance occurs at the emission wavelengths of 790 and 817 nm, respectively

Download (277KB)

Copyright (c) 2024 Russian Academy of Sciences

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».