Химико-механическое полирование подложек CdZnTe с достижением морфологии поверхности для синтеза твердых растворов A2B6 методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Структурное совершенство эпитаксиального слоя HgCdTe с минимальным количеством протяженных структурных дефектов обеспечивается применением метода молекулярно-лучевой эпитаксии, а также ростом на согласованных по параметру кристаллической решетки подложках. Изготовленные в АО «НПО «Орион» подложки CdZnTe (211)В имеют разнотолщинность (TTV) менее 1.5 мкм и шероховатость поверхности Ra = 0.45 нм (rms = 0.58 нм).

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

А. А. Трофимов

Акционерное общество «Научно-производственное объединение «Орион»; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА — Российский технологический университет»

Автор, ответственный за переписку.
Email: aa-trofimov@yandex.ru
Россия, Москва; Москва

И. А. Денисов

Акционерное общество «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Россия, Москва

М. Б. Гришечкин

Акционерное общество «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет»

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Россия, Москва

Д. О. Царегородцев

Акционерное общество «Научно-производственное объединение «Орион»

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Россия, Москва

А. Е. Гончаров

Акционерное общество «Научно-производственное объединение «Орион»

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Россия, Москва

К. А. Гладышева

Акционерное общество «Научно-производственное объединение «Орион»

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Россия, Москва

В. А. Малыгин

Акционерное общество «Научно-производственное объединение «Орион»

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Россия, Москва

А. М. Косякова

Акционерное общество «Научно-производственное объединение «Орион»

Email: aa-trofimov@yandex.ru
Россия, Москва

Список литературы

  1. Rogalski A. Infrared detectors. CRC Press, 2019. 898 p.
  2. Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., Кузнецов С.А. и др. // В кн.: Материалы XXVI Междунар. научно-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. (Москва, 2022). 475 с.
  3. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С. и др. // Физ. и техн. полупровод. 2001. Т. 35. № 9. С. 1092. // Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Varavin V.S. et al. // Semiconductors. 2001. V. 35. No. 9. P. 1092.
  4. Якушев М.В., Брунев Д.В., Варавин В.С. и др. // Физ. и техн. полупровод. 2011. Т. 45. № 3. С. 396; Yakushev M.V., Brunev D.V., Varavin V.S. et al. // Semiconductors. 2011. V. 45. No. 3. P. 396.
  5. Якушев М.В. Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si. Дисс. … докт. физ.-мат. наук. Новосибирск: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 2011. 251 с.
  6. Базовкин В.М., Варавин В.С., Васильев В.В. и др. // УПФ. 2018. Т. 6. № 6. С. 501.
  7. Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Варавин В.С. и др. // Тезисы докл. XXVI Междунар. научно-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. (Москва, 2022). С. 66.
  8. Capper P. Mercury Cadmium Telluride. Growth, properties and applications. Wiley, 2011. 600 р.
  9. de Lyon T.J., Rajavel R.D., Roth J.A. et al. // In: Handbook of infrared detection technoloqies. Ch. 9. Elsevier Science, 2002. P. 309.
  10. Павлюк М.Д. Детекторные кристаллы на основе CdTe и CdZnTe для прямого счета рентгеновских и гамма-квантов. Дисс. … канд. физ.-мат наук. Москва: ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН, 2020. 153 с.
  11. Трофимов А.А., Денисов И.А., Смирнова Н.А. и др. // УПФ. 2022. Т. 10. № 3. С. 289.
  12. Трофимов А.А., Денисов И.А., Гришечкин М.Б. и др. // Тезисы докладов ФОТОНИКА 2023. (Новосибирск, 2023). С. 24.
  13. Гришечкин М.Б., Денисов И.А., Силина А.А. и др. // Прикл. физ. 2014. № 5. С. 72.
  14. Grishechkin M.B., Denisov I.A., Silina A.A. et al. // Non-Ferrous Metals. 2016. No. 2. P. 23.
  15. Кузнецов И.А., Ларюшина Н.Н., Смирнов А.С. и др. Устройство для синтеза сверхтвердых материалов. Патент РФ № 2671731. 2017.
  16. Жуков Б.П. Энергетические конденсированные системы. Краткий энциклопедический словарь. М.: Янус-К, 1999. 595 с.
  17. ТУ 321212-001-07512007-2019 Микропорошок алмазный поликристаллический детонационный. АО «ГосНИИмаш».
  18. Трофимов А.А., Ухабин О.А., Смирнов А.С. и др. // УПФ. 2022. Т. 10. № 5. С. 459.
  19. Мирофянченко Е.В., Мирофянченко А.Е., Попов В.С. // Прикл. физ. 2020. № 2. С. 46.
  20. Moravec P., Höschl P., Franc J. et al. // J. Electron. Mater. 2006. V. 35. No. 6. P. 1206.
  21. Lauten O. Comparative study of CdZnTe substrates prepared by different methods. Master of science in physics and mathematics thesis. Norwegian University of Science and Technology, 2017.
  22. Kakkireni S. Сhemical polishing of cadmium zinc telluride (CdZnTe) and cadmium telluride (CdTe) for molecular beam epitaxy (MBE) applications. Master of science in mechanical engineering thesis. Washington State University, 2017.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Измерение шероховатости поверхности участка 30×30 мкм2 образца CdZnTe после предфинишного полирования. На длине 26 мкм2 Ra = 1.55 нм, rms = 1.93 нм.

Скачать (32KB)
3. Рис. 2. Оценка морфологии и шероховатости поверхности участка размером 337´282 мкм2 образца CdZnTe после финишного химико-механического полирования. На длине 330 мкм2 Ra = 0.69 нм, rms = 0.80 нм.

Скачать (29KB)
4. Рис. 3. Измерение шероховатости поверхности участка 15´15 мкм2 образца CdZnTe после финишного химико-механического полирования. На длине 21 мкм Ra = 0.45 нм, rms = 0.58 нм.

Скачать (38KB)
5. Рис. 4. Результаты подготовки коммерчески доступных подложек CdZnTe кристаллографической ориентации (211) В для выращивания HgCdTe методом МЛЭ: подложка размером 20´20 мм2, изображение атомно-силового микроскопа участка 5´5 мкм2, rms = 0.44 нм (а); подложка размером 25´25 мм2 (Nippon, Япония), изображение атомно-силового микроскопа участка 5´5 мкм2, rms = 0.3 нм (в центре участка), rms = 0.95 нм (с учетом преципитатов Te) (б); подложка размером 15´15 мм2 (Nippon, Япония), изображение атомно-силового микроскопа участка 20´20 мкм2, rms = 1.0 нм (в).

Скачать (14KB)

© Российская академия наук, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».