GaN/AlGaN resonant Bragg structure

A. A. Ivanov; Иванов А. А.; V. V. Chaldyshev; Чалдышев В. В.; E. E. Zavarin; Заварин Е. Е.; A. V. Sakharov; Сахаров А. В.; W. V. Lundin; Лундин В. В.; A. F. Tsatsulnikov; Цацульников А. Ф.

doi:10.31857/S0367676523701545

Резонансная брэгговская структура GaN/AlGaN

Авторы: Иванов А.А.¹, Чалдышев В.В.¹, Заварин Е.Е.¹, Сахаров А.В.¹, Лундин В.В.¹, Цацульников А.Ф.²
Учреждения:
1. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
2. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук”
Выпуск: Том 87, № 6 (2023)
Страницы: 892-895
Раздел: Статьи
URL: https://bakhtiniada.ru/0367-6765/article/view/135415
DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523701545
EDN: https://elibrary.ru/VNGBLG
ID: 135415

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Измерены спектры отражения от резонансной брэгговской структуры с 30 квантовыми ямами GaN/AlGaN при комнатной температуре. Численное моделирование с использованием метода матриц переноса дало количественную точную подгонку экспериментальных результатов. Определены параметры излучательного и безызлучательного уширения экситона в квантовых ямах GaN/AlGaN.

Список литературы

Ивченко Е.Л., Несвижский А.И., Йорда С. // ФТТ. 1994. Т. 36. № 7. С. 2118.
Kochereshko V.P., Pozina G.R., Ivchenko E.L. et al. // Superlattices Microstruct. 1994. V. 15. No. 4. P. 471.
Ивченко Е.Л., Кочерешко В.П., Платонов А.В. и др. // ФТТ. 1997. Т. 39. № 11. С. 2072; Ivchenko E.L., Kochereshko V.P., Platonov A.V. et al. // Phys. Solid State. 1997. V. 39. No. 11. P. 1852.
d’Aubigné Y.M., Wasiela A., Mariette H., Dietl T. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. No. 19. P. 14003.
Sadowski J., Mariette H., Wasiela A. et al. // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. No. 4. Art. No. R1664.
Hayes G.R., Staehli J.L., Oesterle U. et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 83. No. 14. P. 2837.
Hübner M., Prineas J.P., Ell C. et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 83. No. 14. P. 2841.
Prineas J.P., Ell C., Lee E.S. et al. // Phys. Rev. B. 2000. V. 61. No. 20. P. 13863.
Goldberg D., Deych L.I., Lisyansky A.A. et al. // Nature. Photon. 2009. V. 3. P. 662.
Chaldyshev V.V., Chen Y., Poddubny A.N. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. No. 7. Art. No. 073112.
Чалдышев В.В., Кунделев Е.В., Никитина Е.В. и др. // ФТП. 2012. Т. 46. № 8. С. 1039. Chaldyshev V.V., Kundelev E.V., Nikitina E.V. et al. // Semiconductors. 2012. V. 46. No. 8. P. 1016.
Chaldyshev V.V., Bolshakov A.S., Zavarin E.E. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. No. 25. Art. No. 251103.
Ivanov A.A., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E. et al. // J. Phys. Conf. Ser. 2020. V. 1697. Art. No. 012153.
Иванов А.А., Чалдышев В.В., Заварин Е.Е. и др. // ФТП. 2021. Т. 55. № 9. С. 733; Ivanov A.A., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E. et al. // Semiconductors. 2021. V. 55. No. 1. P. S49.
Ivanov A.A., Chaldyshev V.V., Ushanov V.I. et al. // Appl. Phys. Lett. 2022. V. 121. No. 4. Art. No. 041101.
Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е. и др. // ФТП. 2012. Т. 46. № 10. С. 1357; Tsatsulnikov A.F., Lundin W.V., Zavarin E.E. et al. // Semiconductors. 2012. V. 46. No. 10. P. 1281.
Sakharov A.V., Lundin W.V., Usikov A.S. et al. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1998. V. 3. No. 1. Art. No. 28.
Dadgar A., Veit P., Schulze F. et al. // Thin Solid Films. 2007. V. 515. No. 10. P. 4356.
Tisch U., Meyler B., Katz O. et al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. No. 5. P. 2676.
Ивченко Е.Л. // ФТП. 1991. Т. 33. № 8. С. 2388.
Bolshakov A.S., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E. et al. // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. No. 13. Art. No. 133101.