Влияние качества интерфейсов на фотолюминесценцию инкапсулированных монослоев MoSe₂

Исследованы спектры фотолюминесценции экситонов и трионов в инкапсулированных гексагональным нитридом бора монослоях MoSe₂ при нерезонансном лазерном возбуждении. При уменьшении размера пятна лазерного возбуждения с 8 до 3 нм, в спектрах фотолюминесценции начинают разрешаться отдельные пики, с шириной линии ~2 мэВ, которые при большем пятне не были разрешимы. Исследования поверхности образца с помощью сканирующего электронного микроскопа выявили существование большого количества особенностей на интерфейсах структур, с характерными размерами в диапазоне от субмикронных до микронных и больше. Ожидалось, что линии, проявляющиеся в спектре при малых размерах пятна возбуждения, связаны с подобными субмикронными неоднородностями. Исследования специально изготовленной гетероструктуры с напыленной на ее поверхность металлической маской с отверстиями диаметром 1.6 мкм подтвердили выдвинутое предположение.