Магнитные и резистивные свойства тонких пленок La0.7Sr0.3MnO3, осажденных на подложку NdGaO3

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Представлено исследование влияния толщины эпитаксиальных пленок La(1-x)SrxMnO3 (где x = 0.3) на подложках NdGaO3 на их магнитные свойства. С помощью магнитно-силовой микроскопии была обнаружена эволюция магнитных доменов с увеличением толщины слоя LSMO. Было показано появление полосовой доменной структуры, обусловленной перпендикулярной магнитной анизотропией, при толщине пленок порядка 75 нм и ее дальнейшее развитие до лабиринтной доменной структуры при толщине пленок больше 147 нм. С помощью эффекта магнитного циркулярного дихроизма было показано, что с изменением параметра a⊥ постоянной решетки, зависящего от толщины пленки, возникают дополнительные пики в спектрах оптического поглощения от d-d-переходов в ионах Mn4+. Были получены зависимости магнитной анизотропии и холловского сопротивления для пленок La0.7Sr0.3MnO3. Полученные данные свидетельствуют о сильной зависимости физических свойств в эпитаксиальных пленках LSMO от их толщины, что имеет значение для прикладных применений.

Об авторах

Т. А Шайхулов

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук

Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия

М. Н Маркелова

Московский государственный университет

Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия

А. А Федорова

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук; Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет)

Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия

А. С Федоров

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук; Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет)

Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия

В. Е Сизов

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук, Фрязинский филиал

Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия

В. А Амеличев

С-Инновации

Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия

А. Р Кауль

Московский государственный университет

Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия

Д. В Калябин

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук; Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет)

Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия

С. А Никитов

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук; Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет); Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского

Автор, ответственный за переписку.
Email: danilova.aa@phystech.edu
Москва, Россия; Москва, Россия; Саратов, Россия

Список литературы

  1. S. Jin, T. H. Tiefel, M. McCormack, R. A. Fastnacht, R. Ramesh, and L. H. Chen, Science 264, 413 (1994).
  2. H. Y. Hwang, S.-W. Cheong, N. P. Ong, and B. Batlogg, Phys. Rev. Lett. 77, 2041 (1996).
  3. M. Ziese, Rep. Prog. Phys. 65, (2002).
  4. F. Trier, P. Noel, J.-V. Kim et al., Nat. Rev. Mater. 7, 258 (2021).
  5. Y. Han, B. Lao, X. Zheng et al., Front. Mater. 11, 1444769 (2024).
  6. J.-H. Park, E. Vescovo, H.-J. Kim et al., Phys. Rev. Lett. 81, 1953 (1998).
  7. Y. Wu, Y. Suzuki, U. R¨udiger et al., Appl. Phys. Lett. 75, 2295 (1999).
  8. S. K. Chaluvadi, F. Ajejas, P. Orgiani et al., J. Phys. D 53, 375005 (2020).
  9. J. Dho, N. H. Hur, I. S. Kim, and Y. K. Park, J. Appl. Phys. 94, 7670 (2003).
  10. J. Dho, Y. N. Kim, Y. S. Hwang et al., Appl. Phys. Lett. 82, 1434 (2003).
  11. C. Kwon, M. C. Robson, K.-C. Kim et al., Appl. Phys. Lett. 75, 2295 (1999).
  12. Y. Wu, Y. Matsushita, and Y. Suzuki, Phys. Rev. B 64, 220404 (2001).
  13. P. Perna, D. Maccariello, F. Ajejas et al., Adv. Funct. Mater. 27, 1700664 (2017).
  14. M. Salehi-Fashami and N. D’Souza, J. Magn. Magn. Mater. 438, 76 (2017).
  15. M. Farle, Rep. Prog. Phys. 61, 755 (1998).
  16. V. V. Demidov, G. A. Ovsyannikov, A. M. Petrzhik et al., J. Appl. Phys. 113, 163908 (2013).
  17. А. Г. Гуревич, Г. А. Мелков, Магнитные колебания и волны, Физматлит, Москва (1994).
  18. M. V. Pitke, Czech. J. Phys. 21, 467 (1971).
  19. R. W. James, The Optical Principles of the Diffraction of X-Rays, Ox Bow Press, Woodbridge (1982).
  20. A. M. Miller, M. Lemon, M. A. Choffel et al., Z. Naturforsch. B 77, 313 (2022).
  21. J. Dho and N. H. Hur, J. Magn. Magn. Mater. 318, 23 (2007).
  22. S. R. Bakaul, W. Lin, and T. Wu, Appl. Phys. Lett. 99, 042503 (2011).
  23. D. Lan, P. Chen, C. Liu et al., Phys. Rev. B 104, 125423 (2021).
  24. Г. А. Овсянников, А. М. Петржик, И. В. Борисенко и др., ЖЭТФ 56, 135 (2009).
  25. W. Westerburg, F. Martin, P. J. M. van Bentum, J. A. A. J. Peremboom, and G. Jakov, Eur. Phys. J. B 14, 509 (2000).
  26. M. Granada, B. Maiorov, M. Sirena, L. B. Steren, and J. Guimpel, J. Magn. Magn. Mater. 509, 272 (2004).
  27. H. L. Liu, K. S. Lu, M. X. Kuo, L. Uba, S. Uba, L. M. Wang, and H. T. Jeng, J. Appl. Phys. 99, 043908 (2006).
  28. J. Mistrik, T. Yamaguchi, M. Veis et al., J. Appl. Phys. 99, 08Q317 (2006).
  29. M. Veis, S. Visnovsky, Ph. Lecoeur et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 195002 (2009).
  30. Yu. E. Samoshkina, I. S. Edelman, M. V. Rautskii, and M. S. Molokeev, J. Alloys Compd. 782, 30334 (2019).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).