Отправить статью по E-mail 
БИСТАБИЛЬНОСТЬ В СЛОЕ ХИРАЛЬНОГО ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ
- Авторы: Симдянкин И.В.1, Гейвандов А.Р.1, Палто С.П.1
-
Учреждения:
- Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ «Курчатовский институт»
- Выпуск: Том 167, № 3 (2025)
- Страницы: 442-451
- Раздел: СТАТИСТИЧЕСКАЯ И НЕЛИНЕЙНАЯ ФИЗИКА, ФИЗИКА "МЯГКОЙ" МАТЕРИИ
- URL: https://bakhtiniada.ru/0044-4510/article/view/285460
- DOI: https://doi.org/10.7868/S3034641X25030149
- ID: 285460
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Исследован ориентационный переход в слое хирального жидкого кристалла (ХЖК) с отрицательной диэлектрической анизотропией в планарном электрическом поле, перпендикулярном оси спирали. Под действием электрического поля закрученное 2π-состояние переходит в топологически эквивалентное раскрученное 0-состояние. Возможен и обратный переход из 0-состояния в исходное 2π-состояние, который возникает благодаря флексоэлектрическому эффекту. Отличительной особенностью данного типа бистабильного переключения является отсутствие взаимодействия с обратными гидродинамическими потоками, что было необходимым условием в обнаруженных ранее эффектах бистабильности. В работе представлены результаты численного моделирования и эксперимента. Обсуждаются оптические текстуры и время жизни раскрученного 0-состояния в слоях ХЖК различной толщины, а также особенности механизма бистабильного переключения.
Об авторах
И. В. Симдянкин
Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ «Курчатовский институт»Москва, Россия
А. Р. Гейвандов
Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ «Курчатовский институт»
Email: ageivandov@yandex.ru
Москва, Россия
С. П. Палто
Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ «Курчатовский институт»Москва, Россия
Список литературы
- J.C. Jones, Handbook of Optoelectronics, CRC Press, USA (2017).
- J. H. Kim, M. Yoneya, and H. Yokoyama, Nature 420, 159 (2002).
- П. В. Долганов, К. Д. Бакланова, В. К. Долганов, ЖЭТФ 157, 936 (2020).
- S. P. Palto, D. O. Rybakov, B. A. Umanskii et al., Crystals 13, 10 (2022).
- C. J. Gerritsma, J. de Klerk, and P. van Zanten, Sol. St. Commun. 17, 1077 (1975).
- C. Z. van Doorn, J. Appl. Phys. 46, 3738 (1975).
- D.W. Berreman and W. R. Heffner, Appl. Phys. Lett. 37, 109 (1980).
- С. П. Палто, М. И. Барник, ЖЭТФ 127, 220 (2005).
- С. П. Палто, М. И. Барник, ЖЭТФ 129, 1132 (2006).
- G. P. Bryan-Brown et al., Proc. SID Digest of Technical Papers 28, 37 (1997).
- C. Joubert et al., SID Symposium Digest of Technical Papers 33, 30 (2002).
- И. В. Симдянкин, А. Р. Гейвандов, С. П. Палто, Письма в ЖЭТФ 120, 690 (2024).
- I. V. Simdyankin, A. R. Geivandov, I. V. Kasyanova et al., Crystals 14, 891 (2024).
Дополнительные файлы
Примечание
В печатной версии статья выходила под DOI: 10.31857/S0044451025030149