ATOMNAYa I ELEKTRONNAYa STRUKTURA DEFEKTNYKh KOMPLEKSOV Ni I VAKANSIY KISLORODA V HfO2 I IKh VLIYaNIE NA TRANSPORT ZARYaDA V MEMRISTORAKh

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

--

About the authors

T. V Perevalov

Email: timson@isp.nsc.ru

D. R Islamov

Email: timson@isp.nsc.ru

A. A Chernov

Author for correspondence.
Email: timson@isp.nsc.ru

References

  1. M. Hellenbrand, I. Teck, and J. L. MacManusDriscoll, MRS Communications 14, 1099 (2024).
  2. И. В. Бойло, К. Л. Метлов, ЖЭТФ 168, 569 (2025)
  3. D. Ielmini and G. Pedretti, Chem. Rev. 125, 5584(2025).
  4. Z. Wang, H. Wu, G. W. Burr et al., Nat. Rev. Mat. 5, 173 (2020).
  5. D. Y. Lu, X. A. Tran, H. Y. Yu et al., in 2013 IEEE 10th International Conference on ASIC (ASICON 2013), Shenzhen, China (2013), p. 1.
  6. X. A. Tran, H. Y. Yu, Y. C. Yeo et al., IEEE Electron Device Lett. 32, 396 (2011).
  7. K. Zhang, K. Sun, F. Wang et al., IEEE Electron Device Lett. 36, 1018 (2015).
  8. X. A. Tran, W. Zhu, W. J. Liu et al., IEEE Transactions on Electron Devices 60, 391 (2012).
  9. M. B. Gonzalez, J. Martin-Martinez, M. Maestro et al., IEEE Transactions on Electron Devices 63, 3116 (2016).
  10. A. Rodriguez-Fernandez, S. Aldana, F. Campabadal et al., IEEE Transactions on Electron Devices 64, 3159 (2017).
  11. M. J. Yun, D. Lee, S. Kim et al., Mater. Character. 182, 111578 (2021).
  12. X. P. Wang, Z. Fang, Z. X. Chen et al., IEEE Electron Device Lett. 34, 508 (2013).
  13. K. L. Lin, T. H. Hou, J. Shieh et al., J. App. Phys. 109, 084104 (2011).
  14. J. J. Huang, Y. M. Tseng, C. W. Hsu, and T. H. Hou, IEEE Electron Device Lett. 32, 1427 (2011).
  15. K. Lahbacha, F. Zayer, H. Belgacem et al., IEEE Open J. Nanotechnol. 2, 111 (2021).
  16. F. Zayer, K. Lahbacha, W. Dghais et al., in 2019 IEEE 23rd Workshop on Signal and Power Integrity (SPI), Chamb´ery, France (2019), p. 1.
  17. Z. Fakhreddine, K. Lahbacha, A. Melnikov et al., IEEE Transactions on Electron Devices 68, 88 (2020).
  18. X. Wu, S. Mei, M. Bosman et al., Advan. Electronic Mater. 1, 1500130 (2015).
  19. Y. Yin Chen, G. Pourtois, C. Adelmann et al., Appl. Phys. Lett. 100, 113513 (2012).
  20. M. B. Gonzalez, J. M. Raf´ı, O. Beldarrain et al., IEEE Transactions on Device and Mater. Reliability 14, 769 (2014).
  21. H. H. Le, W. C. Hong, J. W. Du et al., in 2020 4th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), Penang, Malaysia (2020), p. 1.
  22. V. A. Voronkovskii, V. S. Aliev, A. K. Gerasimova, and D. R. Islamov, Mater. Res. Express 6, 076411 (2019).
  23. M. B. Gonzalez, J. Martin-Martinez, M. Maestro et al., IEEE Transactions on Electron Devices 63, 3116 (2016).
  24. В. А. Воронковский, А. К. Герасимова, В. Ш. Алиев, Письма в ЖЭТФ 117, 550 (2023)
  25. V. A. Gritsenko, T. V. Perevalov, and D. R. Islamov, Physics Reports 613, 1 (2016).
  26. A. Kumar, S. Mondal, and K. S. R. Koteswara Rao, J. Appl. Phys. 135, 045305 (2024).
  27. E. A. Khera, H. Ullah, M. Imran et al., Surface Rev. Lett. 28, 2150039 (2021).
  28. E. A. Khera, H. Ullah, M. Imran et al., Optik 212, 164677 (2020).
  29. R. Sharma, S. A. Dar, and A. K. Mishra, J. Alloys and Compounds 791, 983 (2019).
  30. K. Zhong, G. Xu, J. M. Zhang et al., Mater. Chem. Phys. 174, 41 (2016).
  31. I. Carnimeo, F. Affinito, S. Baroni et al., J. Chem. Theory and Computation 19, 6992 (2023).
  32. E. Hildebrandt, J. Kurian, and L. Alff, J. Appl. Phys. 112, 114112 (2012).
  33. Y. Guo and J. Robertson, Microelectronic Engineering 147, 339 (2015).
  34. D. Munoz Ramo, J. L. Gavartin, A. L. Shluger, and G. Bersuker, Phys. Rev. B 75, 205336 (2007).
  35. D. Duncan, B. Magyari-K¨ope, and Y. Nishi, Phys. Rev. Appl. 7, 034020 (2017).
  36. E. Hildebrandt, M. B. Yazdi, J. Kurian et al., Phys. Rev. B 90, 134426 (2014).
  37. T. V. Perevalov and D. R. Islamov, Comp. Mater. Sci. 233, 112708 (2024).
  38. D. H. Douma, L. T. Poaty, A. Lamperti et al., Beilstein J. Nanotechnol. 13, 975 (2022).
  39. A. A. Pil’nik, A. A. Chernov, and D. R. Islamov, Sci. Rep. 11, 10163 (2021).
  40. A. A. Pil’nik, A. A. Chernov, and D. R. Islamov, Sci. Rep. 10, 15759 (2020).

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 2025 Russian Academy of Sciences

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).