Оптические свойства нанометровых эпитаксиальных пленок оксида никеля на подложках Linbo3

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Методом магнетронного распыления созданы полупроводниковые структуры на основе оксида никеля, выращенного на подложках ниобата лития. Исследованы оптические свойства пленок NiO на подложках LiNbO3 в диапазоне длин волн 250…800 нм и выполнено моделирование спектров пропускания и отражения таких структур. Получена дисперсия комплексного показателя преломления выращенных пленок, которая обеспечивает хорошее совпадение расчетных и экспериментальных кривых пропускания и отражения. Эти исследования и расчеты позволили определить толщины выращенных эпитаксиальных пленок оптическими методами и сравнить их с результатами, полученными исходя из скорости роста пленок, и методами атомно-силовой микроскопии.

Об авторах

С. В. Аверин

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: sva278@ire216.msk.su
пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская область, 141190 Российская Федерация

В. А. Лузанов

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: sva278@ire216.msk.su
пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская область, 141190 Российская Федерация

В. А. Житов

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: sva278@ire216.msk.su
пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская область, 141190 Российская Федерация

Л. Ю. Захаров

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: sva278@ire216.msk.su
пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская область, 141190 Российская Федерация

В. М. Котов

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: sva278@ire216.msk.su
пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская область, 141190 Российская Федерация

Список литературы

  1. Gupta R.K., Hendi A.A., Cavas M. et al. // Physica E. 2014. V. 56. P. 288.
  2. Hunashimarad Basavaraj G., Bath J.S., Raghavendra P.V., Bhajantri R.F. // Opt. Mater. 2022. V. 124. Article No. 111960.
  3. Steinebach H., Kannan S., Rieth L., Solzbacher F. // Sensors Actuators B: Chemical. 2010. V. 151. № 1. P. 162.
  4. Sato H., Minami T., Takata S., Yamada T. // Thin Solid Films. 1993. V. 236. № 1–2. P. 27.
  5. Lou X.C., Zhao X.J., He X. // Solar Energy. 2009. V. 83. № 12. P. 2103.
  6. Shinde V.R., Gujar T.P., Lokhande C.D. et al. // Mater. Chem. Phys. 2006. V. 96. № 2–3. P. 326.
  7. Park S.-W., Choi J.M., Kim E., Im S. // Appl. Surf. Sci. 2005.V. 244. № 1. P. 439.
  8. Ohta H., Hirano M., Nakahara K. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. № 5. P. 1029.
  9. Manjunatha K.N., Paul Sh. // Appl. Surface Sci. 2015. V. 352. P. 10.
  10. Лузанов В.А. // РЭ. 2020. Т. 65. № 12. С. 1206.
  11. Аверин С.В., Лузанов В.А., Житов В.А. и др. // РЭ. 2024. Т. 69. № 9. С. 918.
  12. Choi J.-M., Im S. // Appl. Surface Sci. 2005. V. 244. P. 435.
  13. Ahmed A.A., Devarajan M., Afzal N. // Sensors and Actuators A: Physical. 2017. V. 262. P. 78.
  14. Lin D.Y., Chen W.L., Lin W.C., Shiu J.J., Han J. // Phys. Stat. Sol. С. 2006. V. 3. № 6. P. 1983.
  15. Surender S., Probakaran K., Pradeep S., et al. // Opt. Mater. 2023. V. 136. Article No. 113462.
  16. Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. M.: Мир, 1981. С. 379.
  17. Zelmon D.E., Small D.L., Jundt D. // J. Opt. Soc. Amer. B. 1997. V. 14. № 12. P. 3319.
  18. Malitson I.H. // J. Opt. Soc. Amer. 1965. V. 55. № 10. P. 1205.
  19. Tripathi S.K., Gupta S., Mustafa F. I. et al. // J. Phys.D: Appl.Phys. 2009. V. 42. № 18. Article No. 185404.
  20. Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит, 2002.
  21. Adachi S. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors: Numerical Data and Graphical Information, N.Y.: Springer, 1999.
  22. Tauc J. // Mater. Res. Bull. 1968. V. 3. № 1. P. 37.
  23. Hadi A.A., Badr B.A., Mahdi R.O., Khashan K.S. Optic. Int. J. Light and Electron Optics. 2020. V. 219. Article No. 165019.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».