Исследование кристаллической структуры эпитаксиальных наногетероструктур с множественными псевдоморфными квантовыми ямами {InхGa1–хAs/GaAs} на подложках GaAs (100), (110) И (111)А

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Исследована кристаллическая структура эпитаксиальных многослойных пленок {In0.1Ga0.9As/GaAs} × × 10 и {In0.2Ga0.8As/GaAs} × 10 на подложках GaAs с различной ориентацией (100), (110), (111)А с целью выявления особенностей, которые могут быть связаны с обнаруженной ранее повышенной эффективностью генерации терагерцевого излучения в пленках с ориентацией (110) и (111)А. Обнаружены существенные концентрации двойников и дефектов упаковки в пленках на нестандартных подложках GaAs (110) и (111)А. С помощью анализа осцилляций толщины на кривых дифракционного отражения уточнен состав и толщины отдельных слоев гетероструктур на подложках GaAs (100).

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Е. А. Климов

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”; АО “НПО Орион”

Автор, ответственный за переписку.
Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Россия, Москва; Москва

А. Н. Клочков

Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”

Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Россия, Москва

С. С. Пушкарёв

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Россия, Москва

Список литературы

  1. Naftaly M., Vieweg N., Deninger A. // Sensors. 2019. V. 19. P. 4203. https://doi.org/ 10.3390/s19194203
  2. Consolino L., Bartalini S., De Natale P. // J. Infrared Millim. Terahertz Waves. 2017. V. 38. P. 1289.
  3. Hafez H.A., Chai X., Ibrahim A. et al. // J. Opt. 2016. V. 18. P. 093004. https://doi.org/10.1088/2040-8978/18/9/093004
  4. Dhillon S.S., Vitiello M.S., Linfield E.H. et al. // J. Phys. D. 2017. V. 50. P. 043001. https://doi.org/10.1088/1361-6463/50/4/043001
  5. Krotkus A. // J. Phys. D. 2010. V. 43. P. 273001. https://doi.org/10.1088/0022-3727/43/27/273001
  6. Burford N.M., El-Shenawee M.O. // Opt. Eng. 2017. V. 56. P. 010901. https://doi.org/10.1117/1.OE.56.1.010901
  7. Apostolopoulos V., Barnes M.E. // J. Phys. D. 2014. V. 47. P. 374002. https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/37/374002
  8. Castro-Camus E., Alfaro M. // Photon. Res. 2016. V. 4. P. A36. https://doi.org/10.1364/PRJ.4.000A36
  9. Ilg M., Ploog K.H., Trampert A. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. № 23. P. 17111. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.17111
  10. Климов Е.А., Клочков А.Н., Солянкин П.М. и др. // Квантовая электроника. 2024. Т. 54. № 1. С. 43.
  11. Шик А.Я. Сверхрешетка // Большая российская энциклопедия: научно-образовательный портал. https://bigenc.ru/c/sverkhreshiotka-a2f3e5/?v=5490666
  12. Yerino Christopher D., Liang Baolai, Huffaker Diana L. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2017. V. 35. P. 010801. https://doi.org/10.1116/1.4972049
  13. Климов Е.А., Пушкарев С.С., Клочков А.Н. и др. // Микроэлектроника. 2023. Т. 52. № 3. С. 167. https://doi.org/10.31857/S054412692370031X
  14. Климов Е.А., Пушкарев С.С., Клочков А.Н. // Нано- и микросистемная техника. 2022. Т. 24. № 6. С. 283. https://doi.org/10.17587/nmst.24.283-287

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Дизайн сверхрешеточных наногетероструктур. КЯ – квантовая яма.

Скачать (159KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Светлопольные ПЭМ-изображения образцов: а – 105 (100), б – 103 (110), 104 (111)А. На вставках – соответствующие электронограммы.

Скачать (264KB)
Метаданные
4. Рис. 3. Дефекты в образце 104 (111)А: а – образовавшийся в середине толщины пленки и прорастающий на поверхность дефект, светлопольное ПЭМ-изображение; б – дефекты двойникования и упаковки, изображение с высоким разрешением.

Скачать (706KB)
Метаданные
5. Рис. 4. Светлопольные ПЭМ-изображения дислокаций в образцах: а – 106 (100), б – 102 (110), в – 102 (111)А.

Скачать (494KB)
Метаданные
6. Рис. 5. КДО 004 образцов 105 (а) и 106 (б) на подложках GaAs(100).

Скачать (323KB)
Метаданные
7. Рис. 6. Асимметричные КДО 422 образцов 105 (а) и 106 (б) на подложках GaAs(100) при малых углах падения (1) и малых углах отражения (2).

Скачать (245KB)
Метаданные
8. Рис. 7. КДО 111 образцов 102 (1), 104 (2), 107 (3), 108 (4) на подложках GaAs(111)А, для лучшей визуализации КДО разнесены по вертикали.

Скачать (172KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».