X-ray topo-tomography of large HPHT synthetic diamonds

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Extended defects in large synthetic diamonds grown at high pressures and high temperatures (HPHT) using thermal gradient method were studied by X-ray topo-tomography with a laboratory setup. It is shown that temperature and growth rate are the principal factors influencing crystalline quality of the diamonds. Synthesis at high temperatures and low rate allows growth of single crystals with low density of dislocations, stacking faults and microtwin lamellae. Annihilation kinetics of the extended defects during annealing at high pressure implies important role of vacancies diffusion. The annihilation of such defects leads to formation of perfect dislocations.

Авторлар туралы

D. Zolotov

Shubnikov Institute of Crystallography of the Kurchatov Complex Crystallography and Photonics of the NRC “Kurchatov Institute”

Email: a_shiryaev@mail.ru
Ресей, Moscow, 119333

A. Buzmakov

Shubnikov Institute of Crystallography of the Kurchatov Complex Crystallography and Photonics of the NRC “Kurchatov Institute”

Email: a_shiryaev@mail.ru
Ресей, Moscow, 119333

A. Khokhryakov

Sobolev Institute of Geology and Mineralogy, SB RAS

Email: a_shiryaev@mail.ru
Novosibirsk

Y. Borzdov

Sobolev Institute of Geology and Mineralogy, SB RAS

Email: a_shiryaev@mail.ru
Ресей, Novosibirsk

L. Yagudin

Frumkin Institute of Physical Chemistry and Electrochemistry, Russian Academy of Sciences

Email: a_shiryaev@mail.ru
Ресей, Moscow

Y. Palyanov

Sobolev Institute of Geology and Mineralogy, SB RAS

Email: a_shiryaev@mail.ru
Ресей, Novosibirsk

I. Dyachkova

Shubnikov Institute of Crystallography of the Kurchatov Complex Crystallography and Photonics of the NRC “Kurchatov Institute”

Email: a_shiryaev@mail.ru
Ресей, Moscow, 119333

V. Asadchikov

Shubnikov Institute of Crystallography of the Kurchatov Complex Crystallography and Photonics of the NRC “Kurchatov Institute”

Email: a_shiryaev@mail.ru
Ресей, Moscow, 119333

A. Shiryaev

Frumkin Institute of Physical Chemistry and Electrochemistry, Russian Academy of Sciences

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: a_shiryaev@mail.ru
Ресей, Moscow

Әдебиет тізімі

  1. Palyanov Y., Kupriyanov I., Khokhryakov A., Ralchenko V. // Handbook of Crystal Growth. 2nd ed. / Eds. Nishinaga T., Rudolph P. Amsterdam: Elsevier, 2015. V. 2a. P. 671. https://doi.org/10.1016/B978-0-444-63303-3.00017-1
  2. D’Haenens-Johansson U.F.S., Butler J.E., Katrusha A.N. // Rev. Miner. Geochem. 2022. V. 88 (1). P. 689. https://doi.org/10.2138/rmg.2022.88.13
  3. Pal’yanov Yu.N., Borzdov Yu.M., Sokol A.G. et al. // Diamond Relat. Mater. 1998. V. 7. P. 916. https://doi.org/10.1016/S0925-9635(97)00325-7
  4. Palyanov Yu.N., Borzdov Yu.M., Gusev V.A. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2000. V. 448. P. 179. https://doi.org/10.1016/S0168-9002(99)00749-4
  5. Khokhryakov A.F., Palyanov Y.N., Kupriyanov I.N. et al. // J. Cryst. Growth. 2011. V. 317. P. 32. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.01.011
  6. Shevyrtalov S., Barannikov A., Palyanov Y. et al. // J. Synchr. Rad. 2021. V. 28. P. 104. https://doi.org/10.1107/S1600577520014538
  7. Lang A.R. // Diffraction and Imaging Techniques in Material Science / Eds. Amelinckx S. et al. Amsterdam: North Holland, 1978. V. 2. P. 623.
  8. Moore M., Nailer S.G., Wierzchowski W.K. // Crystals. 2016. V. 6. P. 71. https://doi.org/10.3390/cryst6070071
  9. Burns R.C., Chumakov A.J., Connell S. et al. // J. Phys. Condens. Matter. 2009. V. 21. P. 364224. https://doi.org/10.1088/0953-8984/21/36/364224
  10. Kowalski G., Moore M., Gledhill G., Maricic Z. // Diam. Relat. Mater. 1996. V. 4. P. 1254. https://doi.org/10.1016/0925-9635(96)00540-7
  11. Пальянов Ю.Н., Хохряков А.Ф., Борздов Ю.М. и др. // Геология и геофизика. 1997. Т. 38 (5). С. 882.
  12. Palyanov Y.N., Borzdov Y.M., Khokhryakov A.F. et al. // Cryst. Growth Des. 2010. V. 10. P. 3169. https://doi.org/10.1021/cg100322p
  13. Khokhryakov A.F., Palyanov Y.N. // J. Cryst. Growth. 2006. V. 293. P. 469. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.05.044
  14. Khokhryakov A.F., Palyanov Yu.N., Kupriyanov I.N. et al. // J. Cryst. Growth. 2014. V. 386. P. 162. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2013.09.047
  15. Анисимов Н.П., Золотов Д.А., Бузмаков А.В. и др. // Кристаллография. 2023. Т. 68 (4). С. 507. https://doi.org/10.31857/S0023476123600192
  16. Tolansky S., Miller R.F., Punglia J. // Philos. Mag. 1972. V. 26 (6). P. 1275. https://doi.org/10.1080/14786437208220341
  17. Frank F.C., Lang A.R., Evans D.J.F. et al. // J. Cryst. Growth. 1990. V. 100. P. 354. https://doi.org/10.1016/0022-0248(90)90235-D
  18. Gaukroger M.P., Martineau P.M., Crowder M.J. et al. // Diam. Relat. Mater. 2008. V. 17. P. 262. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2007.12.036
  19. Khokhryakov A.F., Palyanov Y.N. // J. Cryst. Growth. 2007. V. 306. P. 458. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.05.028
  20. Tolansky S. // Proc. Roy. Soc. London. A. 1962. V. 270 (1343). P. 443. https://doi.org/10.1098/rspa.1962.0236
  21. Schindelin J., Arganda-Carreras I., Frise E. et al. // Nat. Methods. 2012. V. 9. P. 676. https://doi.org/10.1038/nmeth.2019
  22. Martineau P.M., Gaukroger M.P., Guy K.B. et al. // J. Phys.: Condens. Matter 2009. V. 21. P. 364205. https://doi.org/10.1088/0953-8984/21/36/364205
  23. Masuya S., Hanada K., Oshima T. et al. // Diam. Relat. Mater. 2017. V. 75. P. 155. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2017.04.003
  24. Анцыгин В.Д., Гусев В.А., Калинин А.А. и др. // Автометрия. 1998. № 1. С. 10.
  25. Tatsumi N., Tamasaku K., Ito T., Sumiya H. // J. Cryst. Growth. 2017. V. 458. P. 27. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.10.033
  26. Sumiya H., Harano K., Tamasaku K. // Diam. Relat. Mater. 2015. V. 58. P. 221. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2015.08.006
  27. Квасница В.Н., Харькив А.Д., Вишневский А.А. и др. // Минералогический журнал. 1980. № 3. С. 40.
  28. Kvasnytsya V. // Diam. Relat. Mater. 2013. V. 39. P. 89. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2013.08.005
  29. Tolansky S., Sunagawa I. // Nature. 1959. V. 184. P. 1526. https://doi.org/10.1038/1841526a0

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».