Особенности образования сильнолегированных бором наноалмазов в процессе пиролиза димера 9-борабицикло [3.3.1]нонана под давлением
- Autores: Кондрина К.М.1,2, Ляпин С.Г.1, Ширяев А.А.3, Григорьев Ю.В.4, Екимов E.A.1
-
Afiliações:
- Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина Российской академии наук
- Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
- Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина Российской академии наук
- Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ «Курчатовский институт»
- Edição: Volume 60, Nº 2 (2024)
- Páginas: 147–153
- Seção: Articles
- URL: https://bakhtiniada.ru/0002-337X/article/view/274460
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0002337X24020025
- EDN: https://elibrary.ru/LJCKAK
- ID: 274460
Citar
Texto integral
Resumo
Изучены особенности образования наноалмазов в процессе пиролиза гетероциклического соединения – димера 9-борабицикло[3.3.1]нонана (C16H30B2) при давлении 8–9 ГПа. Результаты экспериментов указывают на зарождение наноалмазов непосредственно при разложении прекурсора в диапазоне температур 770-830 K. Предложен механизм нуклеации наноалмазов, предполагающий сшивку молекул B–C связями с сохранением исходной sp3 гибридизации молекул. С использованием спектроскопии комбинационного рассеяния света впервые убедительно продемонстрировано вхождение бора в кристаллическую решетку наноалмазов со средними размерами 2.1 и 4.3 нм. Анализ спектров комбинационного рассеяния света позволяет сделать оценку концентрации бора в наноалмазах на уровне 1021 см-3.
Palavras-chave
Texto integral
ВВЕДЕНИЕ
Наноалмазы, синтезированные из органических соединений под давлением, становятся объектом пристального внимания исследователей в связи с новыми возможностями их применения в биомедицине, энергетике, наноэлектронике [1]. Впервые наноалмазы из углеводородов были получены Р. Венторфом в 1965г. при давлениях около 12 ГПа и температурах 1600-2300 K [2]. В период бурного развития технологий синтеза алмазов в металлических растворителях при давлениях 5-6 ГПа данное сообщение не вызвало интереса. Работы А. Онодеры, подтверждающие возможность синтеза наноалмазов из углеводородов в более мягких условиях, при давлениях 6-9 ГПа и температурах около 1600 K, появились только в 80-х годах [3]. В работах Венторфа и Онодера был сделан ряд важных заключений, повлиявших на современное развитие технологий «органического» синтеза наноалмазов под давлением. Было показано, что использование sp3-гибридизированных насыщенных углеводородов способствует образованию наноалмазов. Р. Венторфом было также отмечено влияние гетероатомов на фазовые превращения органических соединений: азот в молекулах подавлял нуклеацию алмаза и способствовал образованию графита, кислород не оказывал заметного влияние на результаты синтеза [2].
В 2010 г. первым обнаруженным представителем гетероатомов, инициирующим образование наноалмазов, стал бор [4]. Сообщение Е. Екимова о массовом синтезе наноалмазов при аномально низких температурах под давлением при разложении димера борабицикло[3.3.1]нонана C16H30B2 возобновило интерес к синтезу наноалмазов в гетероуглеводородных системах [5, 6]. Димер борабицикло[3.3.1]нонана – органический прекурсор с алмазоподобной структурой молекулы и атомами бора в углеродном цикле; при его разложении в интервале температур 600–1200 K при давлении 8 ГПа образуются легированные бором наноалмазы [4, 6]. Легированные бором наноалмазы формируют устойчивые коллоиды в воде и могут быть использованы в термотерапии раковых клеток [7] в качестве рабочего элемента жидкостных суперконденсаторов, для получения электрохимических электродов и проводящих дорожек [8], в качестве зародышей для роста легированных CVD-алмазов [9]. В то же время, свойства легированных бором наноалмазов и процесс непосредственной трансформации борсодержащего гетероуглеводородного прекурсора в наноалмаз остаются плохо изученными. Выяснение механизма индуцированного гетероатомами бора низкотемпературной нуклеации и последующего роста наноалмазов представляется важным для целенаправленного дизайна органических гетеросоединений с целью получения наноалмазов с новыми электрически- и оптически активными дефектами.
Целью данной работы является изучение механизма трансформации димера борабицикло[3.3.1]нонана C16H30B2 при давлении 8-9 ГПа и выяснение особенностей вхождения примеси бора в решетку наноалмазов.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
Образцы синтезировали в камере высокого давления при давлениях 8-9 ГПа и температурах до 1600 К. Исходное вещество – димер 9-борабицикло[3.3.1]нонана C16H30B2 (Sigma Aldrich, 98%), 9BBN, прессовали в таблетки и помещали в графитовый нагреватель высотой 4 и диаметром 4(6) мм (внутренний и наружный). Контроль температуры осуществлялся в каждом эксперименте с помощью хромель-алюмелевой термопары. Скорость нагрева реакционного объема составляла менее 10 К/с, а время выдержки при постоянных p и T – 120 с.
Рентгенограммы синтезированных образцов получены в геометрии на отражение с использованием излучения CuKα и бесфонового кремниевого держателя. Полученные образцы кипятили в смеси кислот H2SO4 и HNO3 для удаления неалмазных фаз. Спектры комбинационного рассеяния света (КРС) регистрировали при комнатной температуре с использованием лазерной линии с длиной волны 488 нм. Мощность лазера в анализируемом пятне поддерживалась на уровне 0.2 мВт. Микроструктурные исследования проводились с использованием просвечивающего электронного микроскопа (ПЭМ) высокого разрешения FEI Tecnai Osiris.
РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ
Рис. 1. Фазовые превращения 9BBN при нагреве под давлением 8–9 ГПа. Над дифрактограммами (указаны температура синтеза и средний размер кристаллитов): D – алмаз, G – графит; необозначенные линии соответствуют карбиду (кристаллическому или аморфному) и оксиду бора (а); потеря массы в образцах (б).
На рис. 1а представлены дифрактограммы синтезированных образцов, а на рис. 1б – потери массы образцов после синтеза. Из графика зависимости потери массы от температуры следует, что разложение прекурсора начинается в интервале температур 770–830 K. При температурах синтеза 830–1020 K на рентгеновских дифрактограммах образцов обнаруживаются широкие особенности на 44° и 76°. Принимая во внимание отсутствие широкого пика при 26° от графитоподобных структур и с учетом дальнейшей эволюции дифрактограмм, мы трактуем данные особенности как свидетельство зарождения наноалмазов при разложении прекурсора. Можно предположить, что на начальном этапе пиролиза происходит полимеризация молекул, приводящая к образованию кластеров с алмазоподобной структурой. Присутствие таких кластеров может существенно снизить потенциальный барьер образования алмазного зародыша. Недавно было экспериментально показано, что углеводородный кластер с 22–26 атомами sp3-углерода способен стабильно расти в углеводородной среде [10]. Рост кластера до размеров классического зародыша объясняется меньшим химическим потенциалом углерода на насыщенной водородом поверхности по сравнению с компонентами ростовой среды.
Рис. 2. Возможный сценарий образования алмазоподобного кластера – тримера, включающий диссоциацию исходного димера и полимеризацию мономеров.
Из анализа энергий связи атомов можно сделать предположение, что наиболее вероятным механизмом полимеризации является сшивка соседних молекул связями B–C с участием третичного углерода (наименьшая энергия связи C–H) и выделением молекулярного водорода. Возможный сценарий образования кластеров «критического» размера с 24 атомами углерода проиллюстрирован на рис. 2. Мы полагаем, что процесс полимеризации с преимущественным выделением молекулярного водорода наиболее вероятен в интервале температур 770–830 K, поскольку потеря массы синтезированного при 830 K образца составляет около 8% (рис. 1б). Напротив, потеря массы образца около 30% при температуре синтеза 1020 K указывает на преобладание углеводородов/бороводородов в летучих продуктах пиролиза, которые могут служить питающей средой для роста кластеров.
Дифракционный пик фазы высокого давления B2O3 связан с присутствием кислорода в исходном материале. Мы не обнаруживаем признаков влияния примесной фазы B2O3 на результаты экспериментов и, учитывая инертность кислорода в отношении карбонизации в углеводородных системах [2], не рассматриваем ее влияния на фазовые превращения 9BBN. Пик 002 хорошо окристаллизованного графита на рентгенограммах низкотемпературных образцов объясняется случайными попаданиями кусочков графитовой капсулы/нагревателя. Это подтверждается ПЭМ и исследованиями КРС образцов.
После синтеза при 1170–1270 K на рентгеновских дифрактограммах образцов наблюдаются широкие пики при 26°, 44°, 75° и 77°, свидетельствующие о формировании смеси нанокристаллических фаз алмаза и графита в образце (рис. 1а). Рассчитанные по формуле Селякова–Шеррера значения средних размеров наноалмазов и нанографита по пикам 111 и 002 соответственно составляют около 2 нм. Появление нанографита в области стабильности алмаза можно объяснить «проскакиванием» наиболее благоприятного для «наноалмазной» полимеризации температурного интервала и интенсификацией реакций пиролиза с образованием углеводородов; потеря около 50% массы прекурсора после эксперимента при 1270 K прямо указывает на преимущественное формирование летучих соединений водорода с углеродом и бором.
Рис. 3. Эволюция состава реакционной смеси при температуре синтеза 1270 K: 2θ = 10°–55° (а), 68°–98° (б).
Для выявления особенностей трансформации sp2–sp3 нанокристаллической смеси мы исследовали влияние времени синтеза при температуре 1270 K на фазовый состав образцов (рис. 3). Результаты анализа дифрактограмм с использованием метода Ритвельда позволили охарактеризовать эволюцию наноструктуры и кинетику превращения. На рис 4 представлены зависимости массовой доли и размера кристаллитов графитоподобной и наноалмазной фаз от времени синтеза (образование сопутствующих фаз не принималось в расчет). Размеры кристаллитов оценивались по пикам 220 алмаза и 002 графита. Степень превращения нанографита в наноалмаз хорошо коррелирует со средним размером нанокристаллов алмаза, что в целом соответствует ростовому процессу. Отметим, однако, что рост наноалмазов ограничен размерами графеновой оболочки, окружающей «алмазный» кластер.
При температуре синтеза выше 1270 K (рис. 1а) наблюдается трансформация нанокристаллического графита с образованием не только наноалмаза, но и хорошо окристаллизованного графита. Напомним, что образование хорошо окристаллизованного графита свойственно перекристаллизации углерода во флюидной ростовой среде B–C–H [11]. Одновременно наблюдается и рост наноалмазов, предполагающий каталитическую активность флюида относительно роста кристаллов алмаза. Появление широкого пика в районе 37° на дифрактограммах образцов, синтезированных при 1370–1520 K, мы трактуем как образование нанокристаллической фазы на основе бора, структура которой эволюционирует в хорошо окристаллизованный карбид бора B4C при повышении температуры синтеза до 1600 K. Поскольку появление пика борсодержащей нанофазы сопровождается исчезновением пика нанографита, то резонно предположить, что нанографит содержал бор в концентрации, близкой к соотношению B/C в прекурсоре, а образующийся наноалмаз не наследует весь содержащийся в прекурсоре бор.
Рис. 4. Зависимости массовой доли (а) и размеров кристаллитов (б) нанографита (2) и наноалмаза (1) от времени синтеза при температуре 1270 K.
В ранних исследованиях наноалмазов, полученных при разложении 9BBN под давлением, в спектрах КРС присутствовала сильная фоновая люминесценция неизвестного происхождения, которая не свойственна легированным бором алмазам [6]. Получение качественных спектров КРС важно для оценки степени легирования наноалмазов. На рис. 5 представлены спектры КРС двух образцов, синтезированных при 1270 (2.1 нм) и 1520 K (4.2 нм) (см. рис. 1а), и наноалмазов после очистки от неалмазных фаз. Из-за малого сечения рассеяния сигнал КРС от алмаза не обнаруживается в спектрах образцов с графитоподобным углеродом (линии D и G). Сравнение спектров указывает на некоторое улучшение структурного совершенства графитоподобного углерода с увеличением температуры синтеза, тогда как спектры очищенных наноалмазов разного размера оказались практически одинаковы. В спектрах наноалмазов присутствуют особенности при 500, 1000, 1250 и 1300 см–1, характерные для сильного легирования бором [12]. Фоновая люминесценция в спектрах не обнаруживается, а ее присутствие в предварительных исследованиях [6] может быть связано с недостатками очистки или с поверхностной графитизацией под воздействием возбуждающего лазерного излучения. Используя предложенную В. Мортетом методику определения концентрации бора в алмазе по профилю КРС в диапазоне 1100–1500 см–1, мы оценили концентрацию бора в наноалмазах на уровне (3.4–3.7) х 1021 см–3 [13, 14]. Отсутствие размерного эффекта в КРС наноалмазами может быть связано с ограничением длины когерентности фононов примесными атомами бора.
Рис. 5. Спектры КРС образцов, синтезированных при 1270 (а) и 1520 K (б) до и после очистки; на вставках ПЭМ-изображения микроструктуры образцов после синтеза.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
С привлечением методов РФА, КРС, ПЭМ и с помощью измерения потери массы образцов после синтеза прослежены особенности пиролиза 9BBN при давлении 8–9 ГПа. Показано, что пиролиз начинается при температурах 770–830 K.
Изучение фазовых превращений в зависимости от температуры и времени синтеза позволяет выделить три этапа пиролиза: 1) полимеризация с образованием алмазоподобных кластеров и насыщенного бором нанографита, 2) рост алмазных кластеров в нанографите и 3) перекристаллизация нанофазной смеси во флюидной ростовой среде. Оценка концентрации бора в наноалмазах размером 2.1 и 4.3 нм, выполненная по недавно предложенной В. Мортетом методике анализа спектров КРС [13, 14], дает величину порядка 1021 см–1.
ФИНАНСИРОВАНИЕ РАБОТЫ
Представленное исследование было профинансировано РФФИ и GACR, проект № 20-52-26017.
КОНФЛИКТ ИНТЕРЕСОВ
Авторы заявляют, что у них нет конфликта интересов.
Sobre autores
К. Кондрина
Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина Российской академии наук; Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
Autor responsável pela correspondência
Email: kondrina.km@phystech.edu
Rússia, Калужское ш., 14, Троицк, Москва, 108840; Институтский пер., 9, Долгопрудный, Московская обл., 141701
С. Ляпин
Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина Российской академии наук
Email: kondrina.km@phystech.edu
Rússia, Калужское ш., 14, Троицк, Москва, 108840
А. Ширяев
Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина Российской академии наук
Email: kondrina.km@phystech.edu
Rússia, Ленинский пр., 31, Москва, 119071
Ю. Григорьев
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ «Курчатовский институт»
Email: kondrina.km@phystech.edu
Rússia, Ленинский пр., 59, Москва, 119333
E. Екимов
Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина Российской академии наук
Email: kondrina.km@phystech.edu
Rússia, Калужское ш., 14, Троицк, Москва, 108840
Bibliografia
- Kumar S., Nehra M., Kedia D., Dilbaghi N., Tankeshwar K., Kim K. H. Nanodiamonds: Emerging Face of Future Nanotechnology // Carbon. 2019. V. 143. P. 678–699. https://doi.org/10.1016/j.carbon.2018.11.060
- Wentorf R.H. The Behavior of Some Carbonaceous Materials at Very High Pressures and High Temperatures // J. Phys. Chem. 1965. V. 69. P. 3063-3069. https://doi.org/10.1021/j100893a041
- Onodera A., Suito K., Morigami Y. High-Pressure Synthesis of Diamond from Organic Compounds // Proc. Jpn. Acad. B. 1992. V. 68. P. 167-171. https://doi.org/10.2183/pjab.68.167
- Sidorov V.A., Ekimov E.A. Superconductivity in Diamond // Diamond Relat. Mater. 2010. V. 19. № 5-6. P. 351-357. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2009.12.002
- Davydov V.A., Rakhmanina A.V., Agafonov V.N., Khabashesku V.N. Synergistic Effect of Fluorine and Hydrogen on Processes of Graphite and Diamond Formation from Fluorographite-Naphthalene Mixtures at High Pressures // J. Phys. Chem. C. 2011. V. 115. № 43. P. 21000-21008. https://doi.org/10.1021/jp206904t
- Ekimov E.A., Kudryavtsev O.S., Khomich A.A., Lebedev O.I., Dolenko T.A., Vlasov I.I. High‐Pressure Synthesis of Boron‐Doped Ultrasmall Diamonds from an Organic Compound // Adv. Mater. 2015. V. 27. № 37. P. 5518-5522. https://doi.org/10.1002/adma.201502672
- Vervald A.M., Burikov S.A., Scherbakov A.M., Kudryavtsev O.S., Kalyagina N.A., Vlasov I.I., Ekimov E.A., Dolenko T.A., Boron-Doped Nanodiamonds as Anticancer Agents: En Route to Hyperthermia/Thermoablation Therapy // ACS Biomater. Sci. Eng. 2020. V. 6 P. 4446-4453. https://doi.org/10.1021/acsbiomaterials.0c00505
- Kondo, T. Recent Electroanalytical Applications of Boron-doped Diamond Electrodes // Curr. Opin. Electrochem. 2022. V. 32. P. 100891. https://doi.org/10.1016/j.coelec.2021.100891
- Heyer S., Janssen W., Turner S., Lu Y.G., Yeap, W.S., Verbeeck, J., Haenen, K., Krueger, A. Toward Deep Blue Nano Hope Diamonds: Heavily Boron-Doped Diamond Nanoparticles // ACS Nano. 2014. V. 8. № 6. P. 5757-5764. https://doi.org/10.1021/nn500573x
- Gebbie M.A., Ishiwata H., McQuade P.J., Petrak V., Taylor A., Freiwald C., Dahl J.E., Carlson R.M.K., Fokin A A., Schreiner P.R., Shen Z. X., Nesladek M., Melosh N.A. Experimental Measurement of the Diamond Nucleation Landscape Reveals Classical and Nonclassical Features // Proc. Nat. Ac. Sci. 2018 V. 115 № 33 P. 8284-8289. https://doi.org/10.1073/pnas.1803654115
- Екимов Е.А., Сидоров В.А., Рахманина А.В., Мельник Н.Н., Тимофеев М.А., Садыков Р.А. Особенности синтеза, структура и некоторые физические свойства алмаза, легированного бором // Неорган. материалы. 2006. Т. 42. № 11 С. 1313-1319.
- Pruvost F., Bustarret E., Deneuville A. Characteristics of Homoepitaxial Heavily Boron-Doped Diamond Films from Their Raman Spectra // Diamond Relat. Mater. 2000. V. 9. № 3-6. P. 295-299. https://doi.org/10.1016/S0925-9635(99)00241-1
- Mortet V., Taylor A., Živcová Z. V., Machon D., Frank O., Hubík P., Tremouilles D., Kavan L. Analysis of Heavily Boron-Doped Diamond Raman Spectrum // Diamond Relat. Mater. 2018. V. 88. P. 163-166. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2018.07.013
- Mortet V., Živcová Z.V., Taylor A., Davydová M., Frank O., Hubík P., Lorincik J., Aleshin M. Determination of Atomic Boron Concentration in Heavily Boron-Doped Diamond by Raman Spectroscopy // Diamond Relat. Mater. 2019. V. 93. P. 54-58. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2019.01.02
Arquivos suplementares
